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薄膜測試儀膜厚儀原理

來源: 發布時間:2020-10-23

非晶態多晶硅硅元素以非晶和晶體兩種形式存在, 在兩級之間是部分結晶硅。部分結晶硅又被叫做多晶硅。


非晶硅和多晶硅的光學常數(n和k)對不同沉積條件是獨特的,必須有精確的厚度測量。 測量厚度時還必須考慮粗糙度和硅薄膜結晶可能的風化。

Filmetrics 設備提供的復雜的測量程序同時測量和輸出每個要求的硅薄膜參數, 并且“一鍵”出結果。

測量范例多晶硅被***用于以硅為基礎的電子設備中。這些設備的效率取決于薄膜的光學和結構特性。隨著沉積和退火條件的改變,這些特性隨之改變,所以準確地測量這些參數非常重要。監控晶圓硅基底和多晶硅之間,加入二氧化硅層,以增加光學對比,其薄膜厚度和光學特性均可測得。F20可以很容易地測量多晶硅薄膜的厚度和光學常數,以及二氧化硅夾層厚度。Bruggeman光學模型被用來測量多晶硅薄膜光學特性。


基板材料: 如果薄膜位于粗糙基板 (大多數金屬) 上的話,一般不能測量薄膜的折射率。薄膜測試儀膜厚儀原理

FSM 413SP

AND FSM 413C2C 紅外干涉測量設備

適用于所有可讓紅外線通過的材料:硅、藍寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…………


應用:

   襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)

   平整度

   厚度變化 (TTV)

   溝槽深度

   過孔尺寸、深度、側壁角度

   粗糙度

薄膜厚度

不同半導體材料的厚度

   環氧樹脂厚度

   襯底翹曲度

   晶圓凸點高度(bump height)

MEMS 薄膜測量

TSV 深度、側壁角度...

FSM413SP半自動機臺人工取放芯片

Wafer 厚度3D圖形

FSM413C2C Fully

automatic 全自動機臺人工取放芯片

可適配Cassette、SMIF POD、FOUP.

工藝薄膜膜厚儀高性價比選擇監測控制生產過程中移動薄膜厚度。高達100 Hz的采樣率可以在多個測量位置得到。

F10-HC輕而易舉而且經濟有效地分析單層和多層硬涂層F10-HC 以 Filmetrics F20 平臺為基礎,根據光譜反射數據分析快速提供薄膜測量結果。 F10-HC 先進的模擬算法是為測量聚碳酸酯和其它單層和多層硬涂層(例如,底涂/硬涂層)專門設計的。

全世界共有數百臺 F10-HC 儀器在工作,幾乎所有主要汽車硬涂層公司都在使用它們。

像我們所有的臺式儀器一樣,F10-HC 可以連接到您裝有 Windows 計算機的 USB 端口并在幾分鐘內完成設定。

包含的內容:集成光譜儀/光源裝置FILMeasure 8 軟件FILMeasure **軟件 (用于遠程數據分析)CP-1-1.3 探頭BK7 參考材料TS-Hardcoat-4um 厚度標準備用燈

額外的好處:應用工程師可立刻提供幫助(周一 - 周五)網上的 “手把手” 支持 (需要連接互聯網)硬件升級計劃

FSM 413MOT 紅外干涉測量設備:

適用于所有可讓紅外線通過的材料:硅、藍寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…………

應用:

   襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)

   平整度

   厚度變化 (TTV)

   溝槽深度

   過孔尺寸、深度、側壁角度

   粗糙度

薄膜厚度

不同半導體材料的厚度

   環氧樹脂厚度

   襯底翹曲度

   晶圓凸點高度(bump height)

MEMS 薄膜測量

TSV 深度、側壁角度...

如果您想了解更多關于FSM膜厚儀的技術問題,請聯系我們岱美儀器。 采用Michaelson干涉方法,紅外波段的激光能更好的穿透被測物體,準確得到測試結果。

Total Thickness Variation (TTV) 應用

規格:

測量方式:

紅外干涉(非接觸式)

樣本尺寸:

50、75、100、200、300 mm, 也可以訂做客戶需要的產品尺寸

測量厚度:

15 — 780 μm (單探頭)

     3 mm (雙探頭總厚度測量)

掃瞄方式:

半自動及全自動型號,

 另2D/3D掃瞄(Mapping)可選

襯底厚度測量: TTV、平均值、*小值、*大值、公差...

可選粗糙度: 20 — 1000? (RMS)

重復性:

0.1 μm (1 sigma)單探頭*

  0.8 μm

(1 sigma)雙探頭*

分辨率:

 10 nm

請訪問我們的中文官網了解更多關于本產品的信息。

一般較短波長 (例如, F50-UV) 可用于測量較薄的薄膜,而較長波長可以測量更厚、更不平整和更不透明的薄膜。光學鍍膜膜厚儀用途是什么

可選粗糙度: 20 — 1000? (RMS)。薄膜測試儀膜厚儀原理

平臺和平臺附件標準和**平臺。

CS-1可升級接觸式SS-3樣品臺,可測波長范圍190-1700nm

SS-36“×6” 樣品平臺,F20 系統的標準配置。 可調節鏡頭高度,103 mm 進深。 適用所有波長范圍。

SS-3-88“×8” 樣品平臺。可調節鏡頭高度,139mm 進深。 適用所有波長范圍。

SS-3-24F20 的 24“×24” 樣品平臺。 可調節鏡頭高度,550mm 進深。 適用所有波長范圍。

SS-56" x 6" 吋樣品臺,具有可調整焦距的反射光學配件,需搭配具有APC接頭的光纖,全波長范圍使用

樣品壓重-SS-3-50

樣品壓重 SS-3 平臺, 50mm x 50mm

樣品壓重-SS-3-110

樣品壓重 SS-3 平臺, 110mm x 110mm

薄膜測試儀膜厚儀原理

岱美儀器技術服務(上海)有限公司位于中國(上海)自由貿易試驗區加太路39號第五層六十五部位,擁有一支專業的技術團隊。在岱美儀器技術服務近多年發展歷史,公司旗下現有品牌岱美儀器技術服務等。公司堅持以客戶為中心、磁記錄、半導體、光通訊生產及測試儀器的批發、進出口、傭金代理(拍賣除外)及其相關配套服務,國際貿易、轉口貿易,商務信息咨詢服務。 【依法須經批準的項目,經相關部門批準后方可開展經營活動】磁記錄、半導體、光通訊生產及測試儀器的批發、進出口、傭金代理(拍賣除外)及其相關配套服務,國際貿易、轉口貿易,商務信息咨詢服務。 【依法須經批準的項目,經相關部門批準后方可開展經營活動】市場為導向,重信譽,保質量,想客戶之所想,急用戶之所急,全力以赴滿足客戶的一切需要。自公司成立以來,一直秉承“以質量求生存,以信譽求發展”的經營理念,始終堅持以客戶的需求和滿意為重點,為客戶提供良好的磁記錄,半導體,光通訊生產,測試儀器的批發,從而使公司不斷發展壯大。

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