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云南EVG510鍵合機

來源: 發布時間:2020-07-29

EVG?850鍵合機 EVG?850鍵合機特征 生產系統可在高通量,高產量環境中運行 自動盒帶間或FOUP到FOUP操作 無污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機械平整或缺口對準的預鍵合 先進的遠程診斷 技術數據 晶圓直徑(基板尺寸) 100-200、150-300毫米 全自動盒帶到盒帶操作 預鍵合室 對準類型:平面到平面或凹口到凹口 對準精度:X和Y:±50μm,θ:±0.1° 結合力:蕞/高5N 鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統:9x10-2mbar(標準)和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標準),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質:去離子水(標準),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度(可選) 旋轉卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉:蕞/高3000rpm(5s) EVG鍵合機通過在高真空,精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合,可以滿足各種苛刻的應用。云南EVG510鍵合機

EVG®510晶圓鍵合機系統:

用于研發或小批量生產的晶圓鍵合系統-與大批量生產設備完全兼容。

特色:

EVG510是一種高度靈活的晶圓鍵合系統,可以處理從碎片到200mm的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,例如陽極,玻璃粉,焊料,共晶,瞬態液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設計允許對不同的晶圓尺寸和工藝進行快速便捷的重新工具化,轉換時間不到5分鐘。這種多功能性非常適合大學,研發機構或小批量生產應用。EVG大批量制造工具(例如EVGGEMINI)上的鍵合室設計相同,鍵合程序易于轉移,可輕松擴大生產規模。 SmartView NT鍵合機技術支持EVG鍵合機頂部和底部晶片的**溫度控制補償了不同的熱膨脹系數,實現無應力鍵合和出色的溫度均勻性。

EVG?501晶圓鍵合機(系統) ■研發和試生產的蕞/低 購置成本 ■真正的低強度晶圓楔形補償系統,可實現蕞/高產量 ■強勁的壓力和溫度均勻性 ■自動鍵合和數據記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵,低至10-5mbar) ■開放式腔室設計,可實現快速轉換和維護 ■Windows?操作軟件和控制界面 ■蕞小占地面積的200mm鍵合系統,只有0.88m2 EVG?510晶圓鍵合機(系統) ■擁有EVG?501鍵合機的所有功能 ■150和200mm晶圓的單腔系統 ■研發和試生產的蕞/佳購置成本 ■強勁的壓力和溫度均勻性 ■通過楔形補償實現高產量 ■兼容EVG的HVM鍵合系統 ■高產量,加速加熱和優異的泵送能力

根據型號和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產、研發,并且可以通過簡單的方法進行大批量生產,因為鍵合程序可以轉移到EVGGEMINI大批量生產系統中。

鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。通過控制溫度,壓力,時間和氣體,允許進行大多數鍵合過程。也可以通過添加電源來執行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的**溫度控制補償了不同的熱膨脹系數,從而實現無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下,可以在真空下執行SOI/SDB(硅的直接鍵合)預鍵合。 旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑層。

目前關于晶片鍵合的研究很多,工藝日漸成熟,但是對于表面帶有微結構的硅片鍵合研究很少,鍵合效果很差。

      本文針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝問題,提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,實現表面帶有微結構硅晶圓之間的鍵合,解決鍵合對硅晶圓表面要求極高,環境要求苛刻的問題。

在對金層施加一定的壓力和溫度時,金層發生流動、互 融,從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高,即當金層 發生氧化就會影響鍵合質量。 GEMINI FB XT適用于諸如存儲器堆疊,3D片上系統(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。天津EVG850 DB鍵合機

EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個型號用于研發的鍵合機。云南EVG510鍵合機

半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。然而,需要晶片之間的緊密對準和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實現良好的電接觸,并*小化鍵合界面處的互連面積,從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產設備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小,這推動了每一代新產品的更嚴格的晶圓間鍵合規范。

      imec 3D系統集成兼項目總監兼Eric Beyne表示:“在imec,我們相信3D技術的力量將為半導體行業創造新的機遇和可能性,并且我們將投入大量精力來改善它。“特別關注的領域是晶圓對晶圓的鍵合,在這一方面,我們通過與EV Group等行業合作伙伴的合作取得了優異的成績。去年,我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距,將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米,是目前業界標準間距的四倍。今年,我們正在努力將間距至少降低一半。” 云南EVG510鍵合機

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