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晶圓級(jí)封裝的實(shí)現(xiàn)可以帶來(lái)許多經(jīng)濟(jì)利益。它允許晶圓制造,封裝和測(cè)試的集成,從而簡(jiǎn)化制造過(guò)程。縮短的制造周期時(shí)間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。
晶圓級(jí)封裝還可以減小封裝尺寸,從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。然而,更重要的是,減小的封裝尺寸允許組件用于更***的高級(jí)產(chǎn)品中。晶圓級(jí)封裝的主要市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素之一是需要更小的組件尺寸,尤其是減小封裝高度。
岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機(jī),可以實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)封裝的功能。 EVG鍵合機(jī)支持全系列晶圓鍵合工藝,這對(duì)于當(dāng)今和未來(lái)的器件制造是至關(guān)重要。新疆鍵合機(jī)服務(wù)為先
EVG?6200鍵合機(jī)選件 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 紅外對(duì)準(zhǔn),用于內(nèi)部基板鍵對(duì)準(zhǔn) NanoAlign?包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對(duì)準(zhǔn)器的升級(jí)可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架:可選 隔振:被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn):±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn):±1μm3σ 紅外校準(zhǔn):選件 對(duì)準(zhǔn)階段 精密千分尺:手動(dòng) 可選:電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償:自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn):3個(gè)卡帶站 可選:蕞多5個(gè)站高精密儀器鍵合機(jī)技術(shù)原理EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個(gè)型號(hào)用于研發(fā)的鍵合機(jī)。
在鍵合過(guò)程中,將兩個(gè)組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個(gè)電極之間,加熱至752-932℃(華氏400-500攝氏度),和幾百到千伏的電勢(shì)被施加,使得負(fù)電極,這就是所謂的陰極,是在接觸在玻璃中,正極(陽(yáng)極)與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動(dòng)并向陰極移動(dòng),在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,然后通過(guò)靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢谩ж?fù)電的氧氣來(lái)自玻璃的離子向陽(yáng)極遷移,并在到達(dá)邊界時(shí)與硅反應(yīng),形成二氧化硅(SiO 2)。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個(gè)組件密封在一起。
EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),可處理從單芯片到150 mm(200 mm鍵合室的情況下為200 mm)的基片。該工具支持所有常見(jiàn)的晶圓鍵合工藝,如陽(yáng)極,玻璃料,焊料,共晶,瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計(jì),讓用戶(hù)能快速,輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,轉(zhuǎn)換時(shí)間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué),研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設(shè)計(jì)在EVG的HVM(量產(chǎn))工具上是相同的,例如GEMINI,鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移,這樣可以輕松擴(kuò)大生產(chǎn)量。清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB,使用去離子水和溫和的化學(xué)清潔劑去除顆粒。
半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。然而,需要晶片之間的緊密對(duì)準(zhǔn)和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實(shí)現(xiàn)良好的電接觸,并*小化鍵合界面處的互連面積,從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備。支持組件路線(xiàn)圖所需的間距不斷減小,這推動(dòng)了每一代新產(chǎn)品的更嚴(yán)格的晶圓間鍵合規(guī)范。
imec 3D系統(tǒng)集成兼項(xiàng)目總監(jiān)兼Eric Beyne表示:“在imec,我們相信3D技術(shù)的力量將為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造新的機(jī)遇和可能性,并且我們將投入大量精力來(lái)改善它。“特別關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對(duì)晶圓的鍵合,在這一方面,我們通過(guò)與EV Group等行業(yè)合作伙伴的合作取得了優(yōu)異的成績(jī)。去年,我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距,將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米,是目前業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)間距的四倍。今年,我們正在努力將間距至少降低一半。” EVG鍵合機(jī)通過(guò)在高真空,精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合,可以滿(mǎn)足各種苛刻的應(yīng)用。北京EVG810 LT鍵合機(jī)
旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑層。新疆鍵合機(jī)服務(wù)為先
Abouie M 等人[4]針對(duì)金—硅共晶鍵合過(guò)程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開(kāi)研究,提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大。康興華等人[5]加工了簡(jiǎn)單的多層硅—硅結(jié)構(gòu),但不涉及對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題,實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小。陳穎慧等人[6]以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對(duì) MEMS 器件進(jìn)行了圓片級(jí)封裝[6],其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa,但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人[7]對(duì)帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究,但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對(duì)硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝,故其鍵合工藝限制較大。新疆鍵合機(jī)服務(wù)為先
岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司致力于儀器儀表,是一家其他型公司。公司業(yè)務(wù)分為磁記錄,半導(dǎo)體,光通訊生產(chǎn),測(cè)試儀器的批發(fā)等,目前不斷進(jìn)行創(chuàng)新和服務(wù)改進(jìn),為客戶(hù)提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。公司注重以質(zhì)量為中心,以服務(wù)為理念,秉持誠(chéng)信為本的理念,打造儀器儀表良好品牌。在社會(huì)各界的鼎力支持下,持續(xù)創(chuàng)新,不斷鑄造***服務(wù)體驗(yàn),為客戶(hù)成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持。