目前關于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結構的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。

      本文針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現表面帶有微結構硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環境要求苛刻的問題。

在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發生流動、互 融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當金層 發生氧化就會影響鍵合質量。 EVG鍵合機可配置為黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態液相）和金屬擴散/熱壓縮工藝。絕緣體上的硅鍵合機優惠價格

鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊，以執行隨后的鍵合過程。可以使用適合每個通用鍵合室的**卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應用。 EVG?501/EVG?510/EVG?520IS是用于研發的鍵合機。 晶圓鍵合類型 ■陽極鍵合 ■黏合劑鍵合 ■共熔鍵合 ■瞬間液相鍵合 ■熱壓鍵合 EVG鍵合機特征 ■基底高達200mm ■壓力高達100kN ■溫度高達550°C ■真空氣壓低至1·10-6mbar ■可選：陽極，UV固化，650℃加熱器 EVG鍵合機加工服務 EVG設備的晶圓加工服務包含如下： ■等離子活化直接鍵合 ■ComBond? -硅和化合物半導體的導電鍵合 ■高真空對準鍵合 ■臨時鍵合和熱、機械或者激光剖離 ■混合鍵合 ■黏合劑鍵合 ■集體D2W鍵合絕緣體上的硅鍵合機優惠價格晶圓鍵合機系統 EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能；200 mm的單個或雙腔自動化系統。

EVG?6200鍵合機選件 自動對準 紅外對準，用于內部基板鍵對準 NanoAlign?包增強加工能力 可與系統機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術數據 常規系統配置 桌面 系統機架：可選 隔振：被動 對準方法 背面對準：±2μm3σ 透明對準：±1μm3σ 紅外校準：選件 對準階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補償：自動 基板/晶圓參數 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準 可選的 處理系統 標準：3個卡帶站 可選：蕞多5個站

EVG鍵合機加工結果 除支持晶圓級和先進封裝，3D互連和MEMS制造外，EVG500系列晶圓鍵合機（系統）還可用于研發，中試或批量生產。它們通過在高真空，精確控制的準確的真空，溫度或高壓條件下鍵合來滿足各種苛刻的應用。該系列擁有多種鍵合方法，包括陽極，熱壓縮，玻璃料，環氧樹脂，UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨特的模塊化鍵合室設計，可實現從研發到大批量生產的簡單技術轉換。 模塊設計 各種鍵合對準（對位）系統配置為各種MEMS和IC應用提供了多種優勢。使用直接（實時）或間接對準方法可以支持大量不同的對準技術。EVG鍵合機晶圓加工服務包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導體的導電鍵合、等離子活化直接鍵合。

Ziptronix Inc. 與 EV Group（簡稱“EVG ”）***宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實現亞微米鍵合后對準精度。方法是在 EVG Gemini FB 產品融合鍵合機和 SmartView NT 鍵合對準機上采用 Ziptronix 的DBI混合鍵合技術。這種方法可用于制造各種應用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲器、上等圖像傳感器和堆棧式系統芯片 (SoC)。

Ziptronix 的首席技術官兼工程副總裁 Paul Enquist 表示：“DBI 混合鍵合技術的性能不受連接間距的限制，只需要可進行測量的適當的對準和布局工具，而這是之前一直未能解決的難題。EVG 的融合鍵合設備經過優化后實現了一致的亞微米鍵合后對準精度，此對準精度上的改進為我們的技術的大批量生產 (HVM) 鋪平了道路。” EVG的各種鍵合對準（對位）系統配置為各種MEMS和IC研發生產應用提供了多種優勢。EVG301鍵合機有哪些應用

EVG和岱美經驗豐富的工藝工程師隨時準備為您提供支持。絕緣體上的硅鍵合機優惠價格

EVG®850TB臨時鍵合機特征：

開放式膠粘劑平臺；

各種載體（硅，玻璃，藍寶石等）；

適用于不同基板尺寸的橋接工具功能；

提供多種裝載端口選項和組合；

程序控制系統；

實時監控和記錄所有相關過程參數；

完全集成的SECS/GEM接口；

可選的集成在線計量模塊，用于自動反饋回路；

技術數據：

晶圓直徑（基板尺寸）：蕞長300毫米，可能有超大的托架

不同的基材/載體組合

組態

外套模塊

帶有多個熱板的烘烤模塊

通過光學或機械對準來對準模塊

鍵合模塊：

選件

在線計量

ID閱讀

高形貌的晶圓處理

翹曲的晶圓處理 絕緣體上的硅鍵合機優惠價格

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