焊使用工具將導(dǎo)線施加到微芯片上時對其產(chǎn)生壓力。將導(dǎo)線牢固地固定到位后,將超聲波能量施加到表面上,并在多個區(qū)域中建立牢固的結(jié)合。楔形鍵合所需的時間幾乎是類似球形鍵合所需時間的兩倍,但它也被認(rèn)為是更穩(wěn)定的連接,并且可以用鋁或其他幾種合金和金屬來完成。
不建議業(yè)余愛好者在未獲得適當(dāng)指導(dǎo)的情況下嘗試進行球焊或楔焊,因為焊線的敏感性和損壞電路的風(fēng)險。已開發(fā)的技術(shù)使這兩個過程都可以完全自動化,并且?guī)缀醪辉傩枰止ね瓿梢€鍵合。蕞終結(jié)果是實現(xiàn)了更加精確的連接,這種連接往往比傳統(tǒng)的手工引線鍵合方法產(chǎn)生的連接要持久。 自動晶圓鍵合機系統(tǒng)EVG?560,擁有多達4個鍵合室,能滿足各種鍵合操作;可以自動裝卸鍵合室和冷卻站。高精密儀器鍵合機
Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡稱“EVG ”)***宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實現(xiàn)亞微米鍵合后對準(zhǔn)精度。方法是在 EVG Gemini FB 產(chǎn)品融合鍵合機和 SmartView NT 鍵合對準(zhǔn)機上采用 Ziptronix 的DBI混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC)。
Ziptronix 的首席技術(shù)官兼工程副總裁 Paul Enquist 表示:“DBI 混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制,只需要可進行測量的適當(dāng)?shù)膶?zhǔn)和布局工具,而這是之前一直未能解決的難題。EVG 的融合鍵合設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化后實現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對準(zhǔn)精度,此對準(zhǔn)精度上的改進為我們的技術(shù)的大批量生產(chǎn) (HVM) 鋪平了道路。” 晶片鍵合機試用GEMINI FB XT適用于諸如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。
熔融和混合鍵合系統(tǒng):
熔融或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接,該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用,例如背面照明的CMOS圖像傳感器。
混合鍵合擴展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合,從而允許晶片面對面連接。混合綁定的主要應(yīng)用是高級3D設(shè)備堆疊。
EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含:EVG301單晶圓清洗系統(tǒng);EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng);EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng);EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);GEMINIFB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng);BONDSCALE自動化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng)。
Smart View NT鍵合機特征 適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)(EVG560?,GEMINI ? 200和300mm配置) 用于3D互連,晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準(zhǔn)器(面對面,背面,紅外和透明對準(zhǔn)) 無需Z軸運動,也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準(zhǔn)并夾緊,然后再裝入鍵合室 手動或全自動配置(例如:在GEMINI系統(tǒng)上集成) Smart View ? NT選件 可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統(tǒng),EVG ? 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ?有帶盒對盒操作完全自動化的晶圓到晶圓對準(zhǔn)動作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:150-200、200-300毫米 厚度:0.1-5毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動對準(zhǔn) 標(biāo)準(zhǔn) 處理系統(tǒng) 3個紙盒站(蕞/大200毫米)或2個FOUP加載端口(300毫米)EVG鍵合機晶圓加工服務(wù)包含如下: ComBond? - 硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合、等離子活化直接鍵合。
根據(jù)型號和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā),并且可以通過簡單的方法進行大批量生產(chǎn),因為鍵合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。
鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。通過控制溫度,壓力,時間和氣體,允許進行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的**溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù),從而實現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下,可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。 EVG鍵合機的特征有:壓力高達100 kN、基底高達200mm、溫度高達550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。高精密儀器鍵合機有誰在用
EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合。高精密儀器鍵合機
該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件,以保護它們免受損壞,污染,濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng)。陽極鍵合尤其與微機電系統(tǒng)(MEMS)行業(yè)相關(guān)聯(lián),在該行業(yè)中,陽極鍵合用于保護諸如微傳感器的設(shè)備。陽極鍵合的主要優(yōu)點是,它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合,而無需粘合劑或過高的溫度,而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點是可以鍵合的材料范圍有限,并且材料組合還存在其他限制,因為它們需要具有類似的熱膨脹率系數(shù)-也就是說,它們在加熱時需要以相似的速率膨脹,否則差異膨脹可能會導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲。
而EVG的鍵合機所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題,如果需要了解,請點擊:鍵合機。 高精密儀器鍵合機
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