共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點，以其作為中間鍵合介質層，通過加熱熔融產生金屬—半導體共晶相來實現。因此，中間介質層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質量。中間金屬鍵合介質層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質層進 行表面有微結構的硅—硅共晶鍵合技術的研究。而金層與 硅襯底的結合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結層增強金層與硅襯底的結合力，同時鈦也具有阻擋擴散層的作用， 可以阻止金向硅中擴散［10，11］。EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產系統，同時結合了自動光學對準和鍵合操作功能。解鍵合鍵合機
鍵合機特征 高真空，對準，共價鍵合 在高真空環境（<5·10-8mbar）中進行處理 原位亞微米面對面對準精度 高真空MEMS和光學器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優異的表面性能 導電鍵合 室溫過程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無應力鍵合界面 高鍵合強度 用于HVM和R＆D的模塊化系統 多達六個模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動化 技術數據 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個，蕞/大6個 加載：手動，卡帶，EFEM 可選的過程模塊： 鍵合模塊 ComBond?激/活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對準模塊（VAM） 晶圓直徑 高達200毫米山東氮化鎵鍵合機晶圓級涂層、封裝，工程襯底知造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。
EVG®850TB臨時鍵合機特征：
開放式膠粘劑平臺；
各種載體（硅，玻璃，藍寶石等）；
適用于不同基板尺寸的橋接工具功能；
提供多種裝載端口選項和組合；
程序控制系統；
實時監控和記錄所有相關過程參數；
完全集成的SECS/GEM接口；
可選的集成在線計量模塊，用于自動反饋回路；
技術數據：
晶圓直徑（基板尺寸）：蕞長300毫米，可能有超大的托架
不同的基材/載體組合
組態
外套模塊
帶有多個熱板的烘烤模塊
通過光學或機械對準來對準模塊
鍵合模塊：
選件
在線計量
ID閱讀
高形貌的晶圓處理
翹曲的晶圓處理
EVG®520IS晶圓鍵合機系統：
單腔或雙腔晶圓鍵合系統，用于小批量生產。
EVG520IS單腔單元可半自動操作蕞大200mm的晶圓，適用于小批量生產應用。EVG520IS根據客戶反饋和EVGroup的持續技術創新進行了重新設計，具有EVGroup專有的對稱快速加熱和冷卻卡盤設計。諸如獨立的頂側和底側加熱器，高壓鍵合能力以及與手動系統相同的材料和工藝靈活性等優勢，為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻。
特征：
全自動處理，手動裝卸，包括外部冷卻站
兼容EVG機械和光學對準器
單室或雙室自動化系統
全自動的鍵合工藝執行和鍵合蓋移動
集成式冷卻站可實現高產量
選項：
高真空能力（1E-6毫巴）
可編程質量流量控制器
集成冷卻
技術數據
蕞大接觸力
10、20、60、100kN
加熱器尺寸150毫米200毫米
蕞小基板尺寸單芯片100毫米
真空
標準：1E-5mbar
可選：1E-6mbar EVG鍵合機晶圓鍵合類型有：陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。
該技術用于封裝敏感的電子組件，以保護它們免受損壞，污染，濕氣和氧化或其他不良化學反應。陽極鍵合尤其與微機電系統（MEMS）行業相關聯，在該行業中，陽極鍵合用于保護諸如微傳感器的設備。陽極鍵合的主要優點是，它可以產生牢固而持久的鍵合，而無需粘合劑或過高的溫度，而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點是可以鍵合的材料范圍有限，并且材料組合還存在其他限制，因為它們需要具有類似的熱膨脹率系數-也就是說，它們在加熱時需要以相似的速率膨脹，否則差異膨脹可能會導致應變和翹曲。
而EVG的鍵合機所提供的技術能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題，如果需要了解，請點擊：鍵合機。 同時，EVG研發生產的的GEMINI系統是使用晶圓鍵合的量產應用的行業標準。西藏鍵合機推薦產品
EVG500系列鍵合機擁有多種鍵合方法，包括陽極，熱壓縮，玻璃料，環氧樹脂，UV和熔融鍵合。解鍵合鍵合機
EVG®850SOI的自動化生產鍵合系統 自動化生產鍵合系統，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數據 SOI晶片是微電子行業有望生產出更快，性能更高的微電子設備的有希望的新基礎材料。晶圓鍵合技術是SOI晶圓制造工藝的一項關鍵技術，可在絕緣基板上實現高質量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產鍵合系統，SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準到預鍵合和紅外檢查-都結合了起來。因此，EVG850確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產量生產工藝。EVG850是wei一在高通量，高產量環境下運行的生產系統，已被確立為SOI晶圓市場的行業標準。解鍵合鍵合機
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