技術介紹：

紅外干涉測量技術, 非接觸式測量。采用Michaelson干涉方法，紅外波段的激光能更好的穿透被測物體，準確的得到測試結果。

產品簡介：FSM 413EC 紅外干涉測量設備

適用于所有可讓紅外線通過的材料：硅、藍寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…………

應用:

   襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)

   平整度   

溝槽深度

   過孔尺寸、深度、側壁角度

   粗糙度

薄膜厚度

硅片厚度

   環氧樹脂厚度

   襯底翹曲度

   晶圓凸點高度(bump height)

MEMS 薄膜測量

TSV 深度、側壁角度...

利用可選的 UPG-F10-AR-HC 軟件升級能測量 0.25-15um 的硬涂層厚度。薄膜厚度測量儀膜厚儀競爭力怎么樣

樣品視頻包括硬件和照相機的F20系統視頻。視頻實時顯示精確測量點。 不包括SS-3平臺。SampleCam-sXsX探頭攝像機包含改裝的sX探頭光學配件，但不包含平臺。StageBase-XY8-Manual-40mm8“×8” 樣品平臺，具有SS-3鏡頭與38mm的精密XY平移聚焦平臺。能夠升級成電動測繪與自動對焦。StageBase-XY10-Auto-100mm10“×10” 全電動樣品平臺。可以進行100mm高精度XY平移，包括自動焦距調節。SS-Microscope- UVX-1顯微鏡（15倍反射式物鏡）及X-Y平臺。 包含UV光源與照明光纖。SS-Microscope- EXR-1顯微鏡包含X- Y平臺及照明光纖. 需另選購物鏡. 通常使用顯微鏡內建照明。SS-Trans-Curved用于平坦或彎曲表面的透射平臺，包括光纖，和 F10-AR 一起使用。 波長范圍 250nm -2500nm。T-1SS-3 平臺的透射測量可選件。包括光纖、平臺轉接器和平臺支架。 用于平坦的樣品。WS-300用于小于 300mm 樣品的平移旋轉平臺。授權膜厚儀技術服務測量SU-8 其它厚光刻膠的厚度有特別重要的應用。

F3-sX 系列：

F3-sX 系列能測量半導體與介電層薄膜厚度到3毫米,而這種較厚的薄膜與較薄的薄膜相比往往粗糙且均勻度較為不佳

波長選配F3-sX系列使用近紅外光來測量薄膜厚度，即使有許多肉眼看來不透光(例如半導體)。 F3-s980 是波長為980奈米的版本，是為了針對成本敏銳的應用而設計,F3-s1310是針對重摻雜硅片的**jia化設計,F3-s1550則是為了**厚的薄膜設計。附件附件包含自動化測繪平臺，一個影像鏡頭可看到量測點的位置以及可選配可見光波長的功能使厚度測量能力**薄至15奈米。

F30包含的內容：集成光譜儀/光源裝置光斑尺寸10微米的單點測量平臺FILMeasure 8反射率測量軟件Si 參考材料FILMeasure **軟件 (用于遠程數據分析)

額外的好處：每臺系統內建超過130種材料庫, 隨著不同應用更超過數百種應用工程師可立刻提供幫助（周一 - 周五）網上的 “手把手” 支持 (需要連接互聯網)硬件升級計劃

型號厚度范圍*波長范圍

F3-s 980:10μm - 1mm  960-1000nm

F3-s1310:15μm - 2mm 1280-1340nm 

F3-s1550:25μm - 3mm 1520-1580nm

*取決于薄膜種類 應用：襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)，平整度。

厚度標準：

所有 Filmetrics 厚度標準都是得到驗證可追溯的 NIST 標準。

S-Custom-NIST：在客戶提供的樣品上定制可追溯的 NIST 厚度校準。 

TS-Focus-SiO2-4-3100SiO2-on-Si ：厚度標準，外加調焦區和單晶硅基準，厚度大約 3100A，4" 晶圓。

TS-Focus-SiO2-4-10000SiO2-on-Si ：厚度標準，外加調焦區和單晶硅基準，厚度大約 10000A，4" 晶圓。

TS-Hardcoat-4μm：丙烯酸塑料硬涂層厚度標準，厚度大約 4um，直徑 2"。

TS-Hardcoat-Trans：背面透明的硬涂層，可用于透射測量。

TS-Parylene-4um：丙烯酸塑料上的聚對二甲苯厚度標準，厚度大約 4um ，直徑2"。

TS-Parylene-8um：硅基上的聚對二甲苯厚度標準，厚度大約 8um，23mm x 23mm。

TS-SiO2-4-7200：硅基上的二氧化硅厚度標準，厚度大約 7200A，4" 晶圓。

TS-SiO2-4-7200-NIST：可追溯的 NIST SiO2-4-7200 厚度標準。

TS-SiO2-6-Multi：多厚度硅基上的二氧化硅標準: 125埃米，250埃米，500埃米，1000埃米，5000埃米，和 10000埃米 (+/-10%誤差)，6英寸晶圓。TS-SS3-SiO2-8000：專為SS-3樣品平臺設計之二氧化硅厚度標準片,厚度大約為 8000A。 厚度范圍: 測量從 1nm 到 13mm 的厚度。 測量 70nm 到 10um 薄膜的折射率。硬涂層膜厚儀實惠價格

基板材料: 如果薄膜位于粗糙基板 (大多數金屬) 上的話，一般不能測量薄膜的折射率。薄膜厚度測量儀膜厚儀競爭力怎么樣

接觸探頭測量彎曲和難測的表面

CP-1-1.3測量平面或球形樣品，結實耐用的不銹鋼單線圈。

CP-1-AR-1.3可以抑 制背面反射，對 1.5mm 厚的基板可抑 制 96%。 鋼制單線圈外加PVC涂層，比較大可測厚度 15um。

CP-2-1.3用于探入更小的凹表面，直徑 17.5mm。

CP-C6-1.3探測直徑小至 6mm 的圓柱形和球形樣品外側。

CP-C12-1.3用于直徑小至 12mm 圓柱形和球形樣品外側。

CP-C26-1.3用于直徑小至 26mm 圓柱形和球形樣品外側。

CP-BendingRod-L350-2彎曲長度 300mm，總長度 350mm 的接觸探頭。 用于難以到達的區域，但不會自動對準表面。

CP-ID-0to90Deg-2用于食品和飲料罐頭內壁的接觸探頭。

CP-RA-3mmDia-200mmL-2直徑**小的接觸探頭，配備微型直角反射鏡，用來測量小至直徑 3mm 管子的內壁，不能自動對準表面。

CP-RA-10mmHigh-2配備微型直角反射鏡，可以在相隔 10mm 的兩個平坦表面之間進行測量。 薄膜厚度測量儀膜厚儀競爭力怎么樣

岱美儀器技術服務（上海）有限公司是一家磁記錄、半導體、光通訊生產及測試儀器的批發、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關配套服務，國際貿易、轉口貿易，商務信息咨詢服務。 【依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動】磁記錄、半導體、光通訊生產及測試儀器的批發、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關配套服務，國際貿易、轉口貿易，商務信息咨詢服務。 【依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動】的公司，是一家集研發、設計、生產和銷售為一體的專業化公司。公司自創立以來，投身于磁記錄，半導體，光通訊生產，測試儀器的批發，是儀器儀表的主力軍。岱美儀器技術服務繼續堅定不移地走高質量發展道路，既要實現基本面穩定增長，又要聚焦關鍵領域，實現轉型再突破。岱美儀器技術服務始終關注儀器儀表市場，以敏銳的市場洞察力，實現與客戶的成長共贏。