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Filmetrics F10-ARc膜厚儀實驗室應用

來源: 發布時間:2020-09-05

F54包含的內容:

集成光譜儀/光源裝置

MA-Cmount 安裝轉接器 

顯微鏡轉接器光纖連接線BK7 

參考材料TS-Focus-SiO2-4-10000 

厚度標準 聚焦/厚度標準4", 6" and 200mm 

參考晶圓真空泵備用燈

型號厚度范圍*波長范圍

F54:20nm-40μm 380-850nm

F54-UV:4nm-30μm 190-1100nm

F54-NIR:40nm-100μm 950-1700nm

F54-EXR:20nm-100μm 380-1700nm

F54-UVX:4nm-100μm190-1700nm

*取決于材料與顯微鏡

額外的好處:每臺系統內建超過130種材料庫, 隨著不同應用更超過數百種應用工程師可立刻提供幫助(周一 - 周五)網上的 “手把手” 支持 (需要連接互聯網)硬件升級計劃 F3-s980 是波長為980奈米的版本,是為了針對成本敏銳的應用而設計。Filmetrics F10-ARc膜厚儀實驗室應用

電介質成千上萬的電解質薄膜被用于光學,半導體,以及其它數十個行業, 而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。常見的電介質有:二氧化硅 – **簡單的材料之一, 主要是因為它在大部分光譜上的無吸收性 (k=0), 而且非常接近化學計量 (就是說,硅:氧非常接近 1:2)。 受熱生長的二氧化硅對光譜反應規范,通常被用來做厚度和折射率標準。 Filmetrics能測量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 對此薄膜的測量比很多電介質困難,因為硅:氮比率通常不是3:4, 而且折射率一般要與薄膜厚度同時測量。 更麻煩的是,氧常常滲入薄膜,生成一定程度的氮氧化硅,增大測量難度。 但是幸運的是,我們的系統能在幾秒鐘內 “一鍵” 測量氮化硅薄膜完整特征!中芯國際膜厚儀美元報價可選粗糙度: 20 — 1000? (RMS)。

電介質成千上萬的電解質薄膜被用于光學,半導體,以及其它數十個行業, 而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。 

測量范例氮化硅薄膜作為電介質,鈍化層,或掩膜材料被廣泛應用于半導體產業。這個案例中,我們用F20-UVX成功地測量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度,折射率,和消光系數。有趣的事,氮化硅薄膜的光學性質與薄膜的分子當量緊密相關。使用Filmetrics專有的氮化硅擴散模型,F20-UVX可以很容易地測量氮化硅薄膜的厚度和光學性質,不管他們是富硅,貧硅,還是分子當量。

鏡頭組件Filmetrics 提供幾十種不同鏡頭配置。訂制專門用途 的鏡片一般在幾天之內可以完成。

LA-GL25-25-30-EXR用于 60-1000mm 工作距離的直徑 1" 鏡頭組件,30mm 焦距鏡頭。KM-GL25用于直徑 1" 鏡頭的簡化動力支架。 可以在兩個軸上斜向調節。 8-32 安裝螺紋。KM-F50用于直徑 0.5" 鏡頭的簡化動力支架。 還可以用于 F50。可提供不同的鏡頭組合。LA-F50/SS-13-20-UVX小光斑 (200um) 選項,可見光, 近紅外或紫外線。

如果您想要了解更多的信息,請聯系我們岱美儀器。 F3-sX 系列測厚范圍:10μm - 3mm;波長:960-1580nm。

F3-CS:

Filmetrics的F3-CS 專門為了微小視野及微小樣品測量設計, 任何人從**操作到研&發人員都可以此簡易USB供電系統在數秒鐘內測量如聚對二甲苯和真空鍍膜層厚度.

我們具專利的自動校正功能大幅縮短測量設置並可自動調節儀器的靈敏度, 使用免手持測量模式時, 只需簡單地將樣品面朝下放置在平臺上測量樣品 , 此時該系統已具備可測量數百種膜層所必要的一切設置不管膜層是否在透明或不透明基底上.

快速厚度測量可選配FILMeasure厚度測量軟件使厚度測量就像在平臺上放置你的樣品一樣容易, 軟件內建所有常見的電介質和半導體層(包括C,N和HT型聚對二甲苯)的光學常數(n和k),厚度結果會及時的以直覺的測量結果顯示對于進階使用者,可以進一步以F3-CS測量折射率, F3-CS可在任何運行Windows XP到 Windows8 64位作業系統的計算機上運行, USB電纜則提供電源和通信功能. F20-UV測厚范圍:1nm - 40μm;波長:190-1100nm。襯底膜厚儀參數

紫外光可測試的深度:***的薄膜(SOI 或 Si-SiGe)或者厚樣的近表面局部應力。Filmetrics F10-ARc膜厚儀實驗室應用

參考材料

備用 BK7 和二氧化硅參考材料。

BG-Microscope顯微鏡系統內取背景反射的小型抗反光鏡

BG-F10-RT平臺系統內獲取背景反射的抗反光鏡

REF-Al-1mmSubstrate基底 - 高反射率鋁基準

REF-Al-3mmSubstrate基底 - 高反射率鋁基準

REF-BK71?" x 1?" BK7 反射基準。

REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未經處理的石英,用于雙界面基準。

REF-Si-22" 單晶硅晶圓

REF-Si-44" 單晶硅晶圓

REF-Si-66" 單晶硅晶圓

REF-Si-88" 單晶硅晶圓

REF-SS3-Al專為SS-3樣品平臺設計之鋁反射率基準片

REF-SS3-BK7專為SS-3樣品平臺設計之BK7玻璃反射率基準片

REF-SS3-Si專為SS-3樣品平臺設計之硅反射率基準片 Filmetrics F10-ARc膜厚儀實驗室應用

岱美儀器技術服務(上海)有限公司位于中國(上海)自由貿易試驗區加太路39號第五層六十五部位,擁有一支專業的技術團隊。專業的團隊大多數員工都有多年工作經驗,熟悉行業專業知識技能,致力于發展岱美儀器技術服務的品牌。公司不僅*提供專業的磁記錄、半導體、光通訊生產及測試儀器的批發、進出口、傭金代理(拍賣除外)及其相關配套服務,國際貿易、轉口貿易,商務信息咨詢服務。 【依法須經批準的項目,經相關部門批準后方可開展經營活動】磁記錄、半導體、光通訊生產及測試儀器的批發、進出口、傭金代理(拍賣除外)及其相關配套服務,國際貿易、轉口貿易,商務信息咨詢服務。 【依法須經批準的項目,經相關部門批準后方可開展經營活動】,同時還建立了完善的售后服務體系,為客戶提供良好的產品和服務。誠實、守信是對企業的經營要求,也是我們做人的基本準則。公司致力于打造***的磁記錄,半導體,光通訊生產,測試儀器的批發。

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