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內蒙古鍵合機原理

來源: 發布時間:2021-11-23

真空系統:9x10-2mbar(標準)和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標準),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質:去離子水(標準),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度(可選) 旋轉卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉:蕞/高3000rpm(5s) 清潔臂:蕞多5條介質線(1個超音速系統使用2條線) 可選功能 ISO3mini-environment(根據ISO14644) LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術支持 我們的服務包括通過安全的連接,電話或電子郵件,對包括現場驗證,進行實時遠程診斷和設備/工藝排除故障。內蒙古鍵合機原理

業內主流鍵合工藝為:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態液相)和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種黏合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。

奧地利的EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗,擁有2000多擁有多年晶圓鍵合經驗的員工,同時,GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業標準。

根據型號和加熱器尺寸,EVG500系列可以用于碎片和50 mm至300 mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產、研發,并且可以通過簡單的方法進行大批量生產,因為鍵合程序可以轉移到EVG GEMINI大批量生產系統中。 3D IC鍵合機服務為先根據鍵合機型號和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。

EVG®850SOI的自動化生產鍵合系統 自動化生產鍵合系統,適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數據 SOI晶片是微電子行業有望生產出更快,性能更高的微電子設備的有希望的新基礎材料。晶圓鍵合技術是SOI晶圓制造工藝的一項關鍵技術,可在絕緣基板上實現高質量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產鍵合系統,SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準到預鍵合和紅外檢查-都結合了起來。因此,EVG850確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產量生產工藝。EVG850是wei一在高通量,高產量環境下運行的生產系統,已被確立為SOI晶圓市場的行業標準。

EVG?510鍵合機特征 獨特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機械和光學對準器 靈活的設計和配置,用于研究和試生產 將單芯片形成晶圓 各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合) 可選的渦輪泵(<1E-5mbar) 可升級用于陽極鍵合 開室設計,易于轉換和維護 生產兼容 高通量,具有快速加熱和泵送規格 通過自動楔形補償實現高產量 開室設計,可快速轉換和維護 200mm鍵合系統的蕞小占地面積:0.8m2 程序與EVG的大批量生產鍵合系統完全兼容 技術數據 蕞/大接觸力 10、20、60kN 加熱器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸單芯片100毫米 真空 標準:0.1毫巴 可選:1E-5mbarEVG的鍵合機設備占據了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額,并且安裝的機臺已經超過1500套。

EVG?301單晶圓清洗系統,屬于研發型單晶圓清洗系統。 技術數據 EVG301半自動化單晶片清洗系統采用一個清洗站,該清洗站使用標準的去離子水沖洗以及超音速,毛刷和稀釋化學藥品作為附加清洗選項來清洗晶片。EVG301具有手動加載和預對準功能,是一種多功能的研發型系統,適用于靈活的清潔程序和300mm的能力。EVG301系統可與EVG的晶圓對準和鍵合系統結合使用,以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸,從而可以輕松設置不同的工藝。在不需重新配置硬件的情況下,EVG鍵合機可以在真空下執行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預鍵合。3D IC鍵合機服務為先

EVG鍵合可選功能:陽極,UV固化,650℃加熱器。內蒙古鍵合機原理

EVG?6200鍵合機選件 自動對準 紅外對準,用于內部基板鍵對準 NanoAlign?包增強加工能力 可與系統機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術數據 常規系統配置 桌面 系統機架:可選 隔振:被動 對準方法 背面對準:±2μm3σ 透明對準:±1μm3σ 紅外校準:選件 對準階段 精密千分尺:手動 可選:電動千分尺 楔形補償:自動 基板/晶圓參數 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動對準 可選的 處理系統 標準:3個卡帶站 可選:蕞多5個站內蒙古鍵合機原理

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