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真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標(biāo)準(zhǔn)),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度(可選) 旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn):蕞/高3000rpm(5s) 清潔臂:蕞多5條介質(zhì)線(1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線) 可選功能 ISO3mini-environment(根據(jù)ISO14644) LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持 EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合。廣西優(yōu)惠價(jià)格鍵合機(jī)
臨時(shí)鍵合系統(tǒng):
臨時(shí)鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過(guò)程,這對(duì)于3DIC,功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板(例如化合物半導(dǎo)體)非常重要。借助于中間臨時(shí)鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上,從而可以通過(guò)附加的機(jī)械支撐來(lái)處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后,將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時(shí)鍵合設(shè)備中得到了體現(xiàn),該設(shè)備自2001年以來(lái)一直由該公司提供。包含型號(hào):EVG805解鍵合系統(tǒng);EVG820涂敷系統(tǒng);EVG850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng);EVG850DB自動(dòng)解鍵合系統(tǒng)。 掩模對(duì)準(zhǔn)鍵合機(jī)美元價(jià)EVG鍵合機(jī)支持全系列晶圓鍵合工藝,這對(duì)于當(dāng)今和未來(lái)的器件制造是至關(guān)重要。
EVG®301特征
使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器(可選)進(jìn)行高/效清潔
單面清潔刷(選件)
用于晶圓清洗的稀釋化學(xué)品
防止從背面到正面的交叉污染
完全由軟件控制的清潔過(guò)程
選件
帶有紅外檢查的預(yù)鍵合臺(tái)
非SEMI標(biāo)準(zhǔn)基材的工具
技術(shù)數(shù)據(jù)
晶圓直徑(基板尺寸):200和100-300毫米
清潔系統(tǒng)
開室,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂
腔室:由PP或PFA制成(可選)
清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),其他清潔介質(zhì)(可選)
旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成
旋轉(zhuǎn):蕞高3000rpm(5秒內(nèi))
超音速噴嘴
頻率:1MHz(3MHz選件)
輸出功率:30-60W
去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘
有效清潔區(qū)域:?4.0mm
材質(zhì):聚四氟乙烯
EV Group開發(fā)了MLE?(無(wú)掩模曝光)技術(shù),通過(guò)消 除與掩模相關(guān)的困難和成本,滿足了HVM世界中設(shè)計(jì)靈活性和蕞小開發(fā)周期的關(guān)鍵要求。 MLE?解決了多功能(但緩慢)的開發(fā)設(shè)備與快 速(但不靈活)的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴(kuò)展的解決方案,可同時(shí)進(jìn)行裸片和晶圓級(jí)設(shè)計(jì),支持現(xiàn)有材料和新材料,并以高可靠性提供高速適應(yīng)性,并具有多級(jí)冗余功能,以提高產(chǎn)量和降低擁有成本(CoO)。
EVG的MLE?無(wú)掩模曝光光刻技術(shù)不僅滿足先進(jìn)封裝中后端光刻的關(guān)鍵要求,而且還滿足MEMS,生 物醫(yī)學(xué)和印刷電路板制造的要求。 EVG501鍵合機(jī):桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄。
半導(dǎo)體晶圓(晶片)的直徑為4到10英寸(10.16到25.4厘米)的圓盤,在制造過(guò)程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正(P)型半導(dǎo)體或負(fù)(N)型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片,因?yàn)楣枋钱?dāng)***行的半導(dǎo)體,這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果,它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對(duì)它們進(jìn)行刻劃,以用于切割或切割單個(gè)裸片或方形子組件,這些單個(gè)裸片或正方形子組件可能*包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個(gè)電路,例如集成電路計(jì)算機(jī)處理器。EVG鍵合可選功能:陽(yáng)極,UV固化,650℃加熱器。西藏鍵合機(jī)學(xué)校會(huì)用嗎
烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。廣西優(yōu)惠價(jià)格鍵合機(jī)
EVG?850鍵合機(jī) EVG?850鍵合機(jī)特征 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行 自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP操作 無(wú)污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合 先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 100-200、150-300毫米 全自動(dòng)盒帶到盒帶操作 預(yù)鍵合室 對(duì)準(zhǔn)類型:平面到平面或凹口到凹口 對(duì)準(zhǔn)精度:X和Y:±50μm,θ:±0.1° 結(jié)合力:蕞/高5N 鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標(biāo)準(zhǔn)),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度(可選) 旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn):蕞/高3000rpm(5s) 廣西優(yōu)惠價(jià)格鍵合機(jī)
岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大,現(xiàn)有一支專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì),各種專業(yè)設(shè)備齊全。專業(yè)的團(tuán)隊(duì)大多數(shù)員工都有多年工作經(jīng)驗(yàn),熟悉行業(yè)專業(yè)知識(shí)技能,致力于發(fā)展岱美儀器技術(shù)服務(wù)的品牌。我公司擁有強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力,多年來(lái)一直專注于磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測(cè)試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理(拍賣除外)及其相關(guān)配套服務(wù),國(guó)際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易,商務(wù)信息咨詢服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)】磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測(cè)試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理(拍賣除外)及其相關(guān)配套服務(wù),國(guó)際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易,商務(wù)信息咨詢服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)】的發(fā)展和創(chuàng)新,打造高指標(biāo)產(chǎn)品和服務(wù)。自公司成立以來(lái),一直秉承“以質(zhì)量求生存,以信譽(yù)求發(fā)展”的經(jīng)營(yíng)理念,始終堅(jiān)持以客戶的需求和滿意為重點(diǎn),為客戶提供良好的磁記錄,半導(dǎo)體,光通訊生產(chǎn),測(cè)試儀器的批發(fā),從而使公司不斷發(fā)展壯大。