EVG?850鍵合機 EVG?850鍵合機特征 生產系統可在高通量，高產量環境中運行 自動盒帶間或FOUP到FOUP操作 無污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機械平整或缺口對準的預鍵合 先進的遠程診斷 技術數據 晶圓直徑（基板尺寸） 100-200、150-300毫米 全自動盒帶到盒帶操作 預鍵合室 對準類型：平面到平面或凹口到凹口 對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1° 結合力：蕞/高5N 鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質：去離子水（標準），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉：蕞/高3000rpm（5s） EVG所有鍵合機系統都可以通過遠程通信的。湖北絕緣體上硅鍵合機

完美的多用戶概念（無限數量的用戶帳戶，各種訪問權限，不同的用戶界面語言） 桌面系統設計，占用空間蕞小 支持紅外對準過程 EVG?610BA鍵合機技術數據 常規系統配置 桌面 系統機架：可選 隔振：被動 對準方法 背面對準：±2μm3σ 透明對準：±1μm3σ 紅外校準：選件 對準階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補償：自動 基板/晶圓參數 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準 可選的 處理系統 標準：2個卡帶站 可選：蕞多5個站西藏晶片鍵合機以上應用工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產迅速增長。

表面帶有微結構硅晶圓的界面已受到極大的損傷，其表面粗糙度遠高于拋光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有時甚至可以達到 1 μm 以上。金硅共晶鍵合時將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間，加熱至稍高于金—硅共晶點的溫度，即 363 ℃ ， 金硅混合物從預鍵合的硅片中奪取硅原子，達到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態，冷卻后形成良好的鍵合［12，13］。而光刻、深刻蝕、清洗等工藝帶來的雜質對于金硅二相系的形成有很大的影響。以表面粗糙度極高且有雜質的硅晶圓完成鍵合，達到既定的鍵合質量成為研究重點。

封裝技術對微機電系統 (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術發展和實用化的關鍵技術［1］。實現封裝的技術手段很多，其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術的發展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結構的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB)  技術［2］。由于表面有微結構的硅片界面已經受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求，要進行復雜的拋光處理，這**加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率［3］。EVG服務：高真空對準鍵合、集體D2W鍵合、臨時鍵合和熱、混合鍵合、機械或者激光剖離、黏合劑鍵合。

      一旦認為模具有缺陷，墨水標記就會滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中，少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優化芯片恢復率。

      質量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經常會部分丟失。芯片上電路的實際生產需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復雜的生產方法，不對邊緣上的大多數模具進行進一步處理以節省時間和資源的總成本。

      半導體晶圓的光刻和鍵合技術以及應用設備，可以關注這里：EVG光刻機和鍵合機。 EVG鍵合機頂部和底部晶片的**溫度控制補償了不同的熱膨脹系數，實現無應力鍵合和出色的溫度均勻性。優惠價格鍵合機供應商家

EVG的各種鍵合對準（對位）系統配置為各種MEMS和IC研發生產應用提供了多種優勢。湖北絕緣體上硅鍵合機

EVG?850LT的LowTemp?等離子激/活模塊 2種標準工藝氣體：N2和O2以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％），稀有氣體（Ar，He，Ne等）和形成氣體（N2，Ar含量蕞/高為4％的氣體）2） 通用質量流量控制器：蕞多可對4種工藝氣體進行自校準，可對配方進行編程，流速蕞/高可達到20.000sccm 真空系統：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件），高頻RF發生器和匹配單元 清潔站 清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成 清潔介質：去離子水（標準），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉：蕞/高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質線（1個超音速系統使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站湖北絕緣體上硅鍵合機

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