平臺和平臺附件標準和**平臺。

CS-1可升級接觸式SS-3樣品臺，可測波長范圍190-1700nm

SS-36“×6” 樣品平臺，F20 系統的標準配置。 可調節鏡頭高度，103 mm 進深。 適用所有波長范圍。

SS-3-88“×8” 樣品平臺。可調節鏡頭高度，139mm 進深。 適用所有波長范圍。

SS-3-24F20 的 24“×24” 樣品平臺。 可調節鏡頭高度，550mm 進深。 適用所有波長范圍。

SS-56" x 6" 吋樣品臺，具有可調整焦距的反射光學配件，需搭配具有APC接頭的光纖，全波長范圍使用

樣品壓重-SS-3-50

樣品壓重 SS-3 平臺, 50mm x 50mm

樣品壓重-SS-3-110

樣品壓重 SS-3 平臺, 110mm x 110mm

以真空鍍膜為設計目標，F10-RT 只要單擊鼠標即可獲得反射和透射光譜。半導體膜厚儀價格

F40 系列

包含的內容：集成光譜儀/光源裝置FILMeasure 8 軟件FILMeasure **軟件 (用于遠程數據分析)MA-Cmount 安裝轉接器 顯微鏡轉接器光纖連接線BK7 參考材料TS-Focus-SiO2-4-10000 厚度標準 聚焦/厚度標準BG-Microscope (作為背景基準)

額外的好處：每臺系統內建超過130種材料庫, 隨著不同應用更超過數百種應用工程師可立刻提供幫助（周一 - 周五）網上的 “手把手” 支持 (需要連接互聯網)硬件升級計劃

如果需要了解更多的信息，請訪問我們官網或者聯系我們。 玻璃厚度膜厚儀研發生產FSM413SP半自動機臺人工取放芯片。

F10-ARc

獲得**精確的測量.自動基準功能**增加基準間隔時間, 量測準確性優於其他光纖探頭反射測量系統5倍可選擇UPG - F10-AR - HC軟件升級 測量0.25-15μm硬涂層的厚度. 即使在防反射涂層存在時仍可測量硬涂層厚度我們***探頭設計可排除98％背面反射,當鏡片比1.5mm 更厚時, 可排除比例更高修正了硬膜層造成的局部反射扭曲現象。

F10-ARc：200nm - 15μm** 380-1050nm

當您需要技術支援致電我們的應用工程師，提供即時的24小時援助（週一至週五）網上的 “手把手” 

支持 (需要連接互聯網)硬件升級計劃

銦錫氧化物與透明導電氧化物液晶顯示器，有機發光二極管變異體，以及絕大多數平面顯示器技術都依靠透明導電氧化物 (TCO) 來傳輸電流，并作每個發光元素的陽極。 和任何薄膜工藝一樣，了解組成顯示器各層物質的厚度至關重要。 對于液晶顯示器而言，就需要有測量聚酰亞胺和液晶層厚度的方法，對有機發光二極管而言，則需要測量發光、電注入和封裝層的厚度。

在測量任何多個層次的時候，諸如光譜反射率和橢偏儀之類的光學技術需要測量或建模估算每一個層次的厚度和光學常數 (反射率和 k 值)。

不幸的是，使得氧化銦錫和其他透明導電氧化物在顯示器有用的特性，同樣使這些薄膜層難以測量和建模，從而使測量在它們之上的任何物質變得困難。Filmetrics 的氧化銦錫解決方案Filmetrics 已經開發出簡便易行而經濟有效的方法，利用光譜反射率精確測量氧化銦錫。 將新型的氧化銦錫模式和 F20-EXR, 很寬的 400-1700nm 波長相結合，從而實現氧化銦錫可靠的“一鍵”分析。 氧化銦錫層的特性一旦得到確定，剩余顯示層分析的關鍵就解決了。

    光刻膠）polyerlayers（高分子聚合物層）polymide（聚酰亞胺）polysilicon（多晶硅）amorphoussilicon（非晶硅）基底實例：對于厚度測量，大多數情況下所要求的只是一塊光滑、反射的基底。對于光學常數測量，需要一塊平整的鏡面反射基底；如果基底是透明的，基底背面需要進行處理使之不能反射。包括：silicon（硅）glass（玻璃）aluminum（鋁）gaas（砷化鎵）steel（鋼）polycarbonate（聚碳酸脂）polymerfilms（高分子聚合物膜）應用半導體制造液晶顯示器光學鍍膜photoresist光刻膠oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶間隙polyimide聚酰亞胺ito納米銦錫金屬氧化物hardnesscoatings硬鍍膜anti-reflectioncoatings增透鍍膜filters濾光f20使用**仿真活動來分析光譜反射率數據。標準配置和規格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只測試厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm測試厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波長范圍200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm準確度大于％或2nm精度1A2A1A穩定性光斑大小20μm至可選樣品大小1mm至300mm及更大探測器類型1250-元素硅陣列512-元素砷化銦鎵1000-元素硅&512-砷化銦鎵陣列光源鎢鹵素燈。F20測厚范圍：15nm - 70μm；波長：380-1050nm。進口膜厚儀服務為先

系統測試應力的精度小于15mpa (0.03cm-1) ，全自動的200mm和300mm硅片檢查，自動檢驗和聚焦的能力。半導體膜厚儀價格

FSM 413SP

AND FSM 413C2C 紅外干涉測量設備

適用于所有可讓紅外線通過的材料：硅、藍寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…………

應用:

   襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)

   平整度

   厚度變化 (TTV)

   溝槽深度

   過孔尺寸、深度、側壁角度

   粗糙度

薄膜厚度

不同半導體材料的厚度

   環氧樹脂厚度

   襯底翹曲度

   晶圓凸點高度(bump height)

MEMS 薄膜測量

TSV 深度、側壁角度...

FSM413SP半自動機臺人工取放芯片

Wafer 厚度3D圖形

FSM413C2C Fully

automatic 全自動機臺人工取放芯片

可適配Cassette、SMIF POD、FOUP.

岱美儀器技術服務（上海）有限公司擁有磁記錄、半導體、光通訊生產及測試儀器的批發、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關配套服務，國際貿易、轉口貿易，商務信息咨詢服務。 【依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動】磁記錄、半導體、光通訊生產及測試儀器的批發、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關配套服務，國際貿易、轉口貿易，商務信息咨詢服務。 【依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動】等多項業務，主營業務涵蓋磁記錄，半導體，光通訊生產，測試儀器的批發。公司目前擁有專業的技術員工，為員工提供廣闊的發展平臺與成長空間，為客戶提供高質的產品服務，深受員工與客戶好評。誠實、守信是對企業的經營要求，也是我們做人的基本準則。公司致力于打造***的磁記錄，半導體，光通訊生產，測試儀器的批發。公司深耕磁記錄，半導體，光通訊生產，測試儀器的批發，正積蓄著更大的能量，向更廣闊的空間、更寬泛的領域拓展。