Smart View NT鍵合機(jī)特征 適合于自動(dòng)化和集成EVG鍵合系統(tǒng)(EVG560?,GEMINI ? 200和300mm配置) 用于3D互連,晶圓級(jí)封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對(duì)準(zhǔn)器(面對(duì)面,背面,紅外和透明對(duì)準(zhǔn)) 無需Z軸運(yùn)動(dòng),也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對(duì)對(duì)準(zhǔn)并夾緊,然后再裝入鍵合室 手動(dòng)或全自動(dòng)配置(例如:在GEMINI系統(tǒng)上集成) Smart View ? NT選件 可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統(tǒng),EVG ? 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ?有帶盒對(duì)盒操作完全自動(dòng)化的晶圓到晶圓對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:150-200、200-300毫米 厚度:0.1-5毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 標(biāo)準(zhǔn) 處理系統(tǒng) 3個(gè)紙盒站(蕞/大200毫米)或2個(gè)FOUP加載端口(300毫米)EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng),同時(shí)結(jié)合了自動(dòng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)和鍵合操作功能。氮化鎵鍵合機(jī)代理商
二、EVG501晶圓鍵合機(jī)特征:
帶有150 mm或200 mm加熱器的鍵合室
獨(dú)特的壓力和溫度均勻性
與EVG的機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器兼容
靈活的設(shè)計(jì)和研究配置
從單芯片到晶圓
各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合)
可選渦輪泵(<1E-5 mbar)
可升級(jí)陽極鍵合
開放式腔室設(shè)計(jì),便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)
兼容試生產(chǎn)需求:
同類產(chǎn)品中的蕞低擁有成本
開放式腔室設(shè)計(jì),便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)
蕞小占地面積的200 mm鍵合系統(tǒng):0.8㎡
程序與EVG HVM鍵合系統(tǒng)完全兼容
以上產(chǎn)品由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持。 中芯國際鍵合機(jī)免稅價(jià)格EVG鍵合機(jī)鍵合工藝可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。
封裝技術(shù)對(duì)微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大,已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)[1]。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多,其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展,越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合,然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,SDB) 技術(shù)[2]。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷,其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求,要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理,這**加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率[3]。
EV Group開發(fā)了MLE?(無掩模曝光)技術(shù),通過消 除與掩模相關(guān)的困難和成本,滿足了HVM世界中設(shè)計(jì)靈活性和蕞小開發(fā)周期的關(guān)鍵要求。 MLE?解決了多功能(但緩慢)的開發(fā)設(shè)備與快 速(但不靈活)的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴(kuò)展的解決方案,可同時(shí)進(jìn)行裸片和晶圓級(jí)設(shè)計(jì),支持現(xiàn)有材料和新材料,并以高可靠性提供高速適應(yīng)性,并具有多級(jí)冗余功能,以提高產(chǎn)量和降低擁有成本(CoO)。
EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術(shù)不僅滿足先進(jìn)封裝中后端光刻的關(guān)鍵要求,而且還滿足MEMS,生 物醫(yī)學(xué)和印刷電路板制造的要求。 EVG鍵合機(jī)軟件,支持多語言,集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)和單個(gè)用戶帳戶設(shè)置,可以簡化用戶常規(guī)操作。
目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多,工藝日漸成熟,但是對(duì)于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少,鍵合效果很差。
本文針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題,提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合,解決鍵合對(duì)硅晶圓表面要求極高,環(huán)境要求苛刻的問題。
在對(duì)金層施加一定的壓力和溫度時(shí),金層發(fā)生流動(dòng)、互 融,從而形成鍵合。該過程對(duì)金的純度要求較高,即當(dāng)金層 發(fā)生氧化就會(huì)影響鍵合質(zhì)量。 EVG鍵合機(jī)跟應(yīng)用相對(duì)應(yīng),鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。圖像傳感器鍵合機(jī)技術(shù)支持
EVG鍵合機(jī)通過在高真空,精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合,可以滿足各種苛刻的應(yīng)用。氮化鎵鍵合機(jī)代理商
共晶鍵合[8,9]是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn),以其作為中間鍵合介質(zhì)層,通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn)。因此,中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多,通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身,可以降低鍵合工藝難度,且其液相粘結(jié)性好,故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱,故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力,同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用, 可以阻止金向硅中擴(kuò)散[10,11]。氮化鎵鍵合機(jī)代理商
岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司主營品牌有岱美儀器技術(shù)服務(wù),發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大,該公司其他型的公司。岱美儀器技術(shù)服務(wù)是一家有限責(zé)任公司企業(yè),一直“以人為本,服務(wù)于社會(huì)”的經(jīng)營理念;“誠守信譽(yù),持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針。公司擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì),具有磁記錄,半導(dǎo)體,光通訊生產(chǎn),測試儀器的批發(fā)等多項(xiàng)業(yè)務(wù)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)自成立以來,一直堅(jiān)持走正規(guī)化、專業(yè)化路線,得到了廣大客戶及社會(huì)各界的普遍認(rèn)可與大力支持。