UV納米壓印光刻系統(tǒng)

EVG®610/EVG®620NT /EVG®6200NT：具有紫外線納米壓印功能的通用掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)

■高精度對(duì)準(zhǔn)臺(tái)

■自動(dòng)楔形誤差補(bǔ)償機(jī)制

■電動(dòng)和程序控制的曝光間隙

■支持***的UV-LED技術(shù)

■**小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求

EVG®720/EVG®7200/EVG®7200LA：自動(dòng)化的全場(chǎng)納米壓印解決方案，適用于第3代基材

■體積驗(yàn)證的壓印技術(shù)，具有出色的復(fù)制保真度

■專有的SmartNIL®技術(shù)和多用途聚合物印章技術(shù)

■集成式壓印，UV固化，脫模和工作印模制作

■盒帶間自動(dòng)處理以及半自動(dòng)研發(fā)模式

■適用于所有市售壓印材料的開(kāi)放平臺(tái)

HERCULES?NIL是完全集成的納米壓印光刻解決方案，可實(shí)現(xiàn)300 mm的大批量生產(chǎn)。CMOS納米壓印有哪些應(yīng)用

納米壓印應(yīng)用三：連續(xù)性UV納米壓印

EVG770是用于步進(jìn)重復(fù)納米壓印光刻的通用平臺(tái)，可用于有效地進(jìn)行母版制作或?qū)迳系膹?fù)雜結(jié)構(gòu)進(jìn)行直接圖案化。這種方法允許從比較大50 mm x 50 mm的小模具到比較大300 mm基板尺寸的大面積均勻復(fù)制模板。與鉆石車削或直接寫(xiě)入方法相結(jié)合，分步重復(fù)刻印通常用于高 效地制造晶圓級(jí)光學(xué)器件制造或EVG的SmartNIL工藝所需的母版。岱美作為EVG在中國(guó)區(qū)的代理商，歡迎各位聯(lián)系我們，探討納米壓印光刻的相關(guān)知識(shí)。我們?cè)敢馀c您共同進(jìn)步。

上海納米壓印技術(shù)原理NIL已被證明是在大面積上實(shí)現(xiàn)納米級(jí)圖案的相當(dāng)有成本效益的方法。

IQ Aligner UV-NIL 自動(dòng)化紫外線納米壓印光刻系統(tǒng)

應(yīng)用：用于晶圓級(jí)透鏡成型和堆疊的高精度UV壓印系統(tǒng)

IQ Aligner UV-NIL系統(tǒng)允許使用直徑從150 mm至300 mm的壓模和晶片進(jìn)行微成型和納米壓印工藝，非常適合高度平行地制造聚合物微透鏡。該系統(tǒng)從從晶圓尺寸的主圖章復(fù)制的軟性圖章開(kāi)始，提供了混合和整體式微透鏡成型工藝，可以輕松地將其與工作圖章和微透鏡材料的各種材料組合相適應(yīng)。此外，EV Group提供合格的微透鏡成型工藝，包括所有相關(guān)的材料專業(yè)知識(shí)。EV Group專有的卡盤(pán)設(shè)計(jì)可為高產(chǎn)量大面積印刷提供均勻的接觸力。配置包括從壓印基材上釋放印章的釋放機(jī)制。

    具體說(shuō)來(lái)就是，MOSFET能夠有效地產(chǎn)生電流流動(dòng)，因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造技術(shù)旺旺不能精確控制住摻雜的水平（硅中摻雜以帶來(lái)或正或負(fù)的電荷），以確保跨各組件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一層二氧化硅（SiO2）襯底上，然后沉積一層金屬或多晶硅制成的。然而這種方法可以不精確且難以完全掌控，摻雜有時(shí)會(huì)泄到別的不需要的地方，那樣就創(chuàng)造出了所謂的“短溝道效應(yīng)”區(qū)域，并導(dǎo)致性能下降。一個(gè)典型MOSFET不同層級(jí)的剖面圖。不過(guò)威斯康星大學(xué)麥迪遜分校已經(jīng)同全美多個(gè)合作伙伴攜手（包括密歇根大學(xué)、德克薩斯大學(xué)、以及加州大學(xué)伯克利分校等），開(kāi)發(fā)出了能夠降低摻雜劑泄露以提升半導(dǎo)體品質(zhì)的新技術(shù)。研究人員通過(guò)電子束光刻工藝在表面上形成定制形狀和塑形，從而帶來(lái)更加“物理可控”的生產(chǎn)過(guò)程。（來(lái)自網(wǎng)絡(luò)。SmartNIL集成多次使用的軟標(biāo)記處理功能，并具有顯著的擁有成本的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)保留可擴(kuò)展性和易于維護(hù)的特點(diǎn)。

SmartNIL是一項(xiàng)關(guān)鍵的啟用技術(shù)，可用于顯示器，生物技術(shù)和光子應(yīng)用中的許多新創(chuàng)新。例如，SmartNIL提供了****的全區(qū)域共形壓印，以便滿足面板基板上線柵偏振器的**重要標(biāo)準(zhǔn)。SmartNIL還非常適合對(duì)具有復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)的微流控芯片進(jìn)行高精度圖案化，以支持下一代藥 物研究和醫(yī)學(xué)診斷設(shè)備的生產(chǎn)。此外，SmartNIL的***發(fā)展為制造具有比較高功能，**小外形尺寸和大體積創(chuàng)新型光子結(jié)構(gòu)提供了更多的自由度，這對(duì)于實(shí)現(xiàn)衍射光學(xué)元件（DOE）至關(guān)重要。

特征：

體積驗(yàn)證的壓印技術(shù)，具有出色的復(fù)制保真度

專有SmartNIL ®技術(shù)，多使用聚合物印模技術(shù)

經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗(yàn)證的分辨率低至40 nm或更小

大面積全場(chǎng)壓印

總擁有成本比較低

在地形上留下印記

對(duì)準(zhǔn)能力

室溫過(guò)程

開(kāi)放式材料平臺(tái) EVG紫外光納米壓印系統(tǒng)還有：EVG?7200LA，HERCULES?NIL，EVG?770，IQAligner?等。大面積納米壓印有誰(shuí)在用

EVG ? 6200 NT是SmartNIL UV紫外光納米壓印光刻系統(tǒng)。CMOS納米壓印有哪些應(yīng)用

NIL已被證明是在大面積上實(shí)現(xiàn)納米級(jí)圖案的相當(dāng)有成本效益的方法，因?yàn)樗皇芄鈱W(xué)光刻所需的復(fù)雜光學(xué)器件的限制，并且它可以為極小尺寸（小于100分）提供比較好圖案保真度nm）結(jié)構(gòu)。

EVG的SmartNIL是基于紫外線曝光的全場(chǎng)壓印技術(shù)，可提供功能強(qiáng)大的下一代光刻技術(shù)，幾乎具有無(wú)限的結(jié)構(gòu)尺寸和幾何形狀功能。由于SmartNIL集成了多次使用的軟標(biāo)記處理功能，因此還可以實(shí)現(xiàn)****的吞吐量，并具有顯著的擁有成本優(yōu)勢(shì)，同時(shí)保留了可擴(kuò)展性和易于維護(hù)的操作。另外，主模板的壽命延長(zhǎng)到與用于光刻的掩模相當(dāng)?shù)臅r(shí)間。

新應(yīng)用程序的開(kāi)發(fā)通常與設(shè)備功能的提高緊密相關(guān)。 CMOS納米壓印有哪些應(yīng)用

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