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EVG850 LT鍵合機用途是什么

來源: 發布時間:2020-03-01

EVG?850LT的LowTemp?等離子激/活模塊 2種標準工藝氣體:N2和O2以及2種其他工藝氣體:高純度氣體(99.999%),稀有氣體(Ar,He,Ne等)和形成氣體(N2,Ar含量蕞/高為4%的氣體)2) 通用質量流量控制器:蕞多可對4種工藝氣體進行自校準,可對配方進行編程,流速蕞/高可達到20.000sccm 真空系統:9x10-2mbar(標準)和9x10-3mbar(渦輪泵選件),高頻RF發生器和匹配單元 清潔站 清潔方式:沖洗(標準),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成 清潔介質:去離子水(標準),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度(可選) 旋轉卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉:蕞/高3000rpm(5s) 清潔臂:蕞多5條介質線(1個超音速系統使用2條線) 可選功能 ISO3mini-environment(根據ISO14644) LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站EVG鍵合機的鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。EVG850 LT鍵合機用途是什么

EVG®810LT技術數據

晶圓直徑(基板尺寸)

50-200、100-300毫米

LowTemp?等離子活化室

工藝氣體:2種標準工藝氣體(N2和O2)

通用質量流量控制器:自校準(高達20.000sccm)

真空系統:9x10-2mbar

腔室的打開/關閉:自動化

腔室的加載/卸載:手動(將晶圓/基板放置在加載銷上)



可選功能:

卡盤適用于不同的晶圓尺寸

無金屬離子活化

混合氣體的其他工藝氣體

帶有渦輪泵的高真空系統:9x10-3mbar基本壓力



符合LowTemp?等離子活化粘結的材料系統

Si:Si/Si,Si/Si(熱氧化,Si(熱氧化)/

Si(熱氧化)

TEOS/TEOS(熱氧化)

絕緣體鍺(GeOI)的Si/Ge

Si/Si3N4

玻璃(無堿浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃

化合物半導體:GaAs,GaP,InP

聚合物:PMMA,環烯烴聚合物

用戶可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方(可根據要求提供完整列表)



寧夏鍵合機國內用戶GEMINI FB XT適用于諸如存儲器堆疊,3D片上系統(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。

EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程 支持全系列晶圓鍵合工藝對于當今和未來的器件制造是至關重要。鍵合方法的一般分類是有或沒有夾層的鍵合操作。雖然對于無夾層鍵合(直接鍵合,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結合,鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質。 EVG 鍵合機軟件支持 基于Windows的圖形用戶界面的設計,注重用戶友好性,并可輕松引導操作員完成每個流程步驟。多語言支持,單個用戶帳戶設置和集成錯誤記錄/報告和恢復,可以簡化用戶的日常操作。所有EVG系統都可以遠程通信。因此,我們的服務包括通過安全連接,電話或電子郵件,對包括經過現場驗證的,實時遠程診斷和排除故障。EVG經驗豐富的工藝工程師隨時準備為您提供支持,這得益于我們分布于全球的支持結構,包括三大洲的潔凈室空間:歐洲 (HQ), 亞洲 (日本) 和北美 (美國).

Abouie M 等人[4]針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質量的影響展開研究,提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,但非晶硅的實際應用限制較大。康興華等人[5]加工了簡單的多層硅—硅結構,但不涉及對準問題,實際應用的價值較小。陳穎慧等人[6]以金— 硅共晶鍵合技術對 MEMS 器件進行了圓片級封裝[6],其鍵合強度可以達到 36 MPa,但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人[7]對帶有微結構的硅—硅直接鍵合進行了研究,但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質量影響較大的工藝,故其鍵合工藝限制較大。EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程是怎么樣的呢?

業內主流鍵合工藝為:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態液相)和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種黏合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。

奧地利的EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗,擁有2000多擁有多年晶圓鍵合經驗的員工,同時,GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業標準。

根據型號和加熱器尺寸,EVG500系列可以用于碎片和50 mm至300 mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產、研發,并且可以通過簡單的方法進行大批量生產,因為鍵合程序可以轉移到EVG GEMINI大批量生產系統中。 晶圓鍵合機(系統)EVG?510 ,擁有150、200mm晶圓單腔系統 ;擁有EVG?501 鍵合機所有功能。EVG805鍵合機技術支持

EVG鍵合機的特征有:壓力高達100 kN、基底高達200mm、溫度高達550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。EVG850 LT鍵合機用途是什么

EVG的晶圓鍵合機鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。通過控制溫度,壓力,時間和氣體,允許進行大多數鍵合過程。也可以通過添加電源來執行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的**溫度控制補償了不同的熱膨脹系數,從而實現無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下,可以在真空下執行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預鍵合。


以上的鍵合機由岱美儀器供應并提供技術支持。 EVG850 LT鍵合機用途是什么

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