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貴州EVG620鍵合機

來源: 發布時間:2020-02-12

EVG®510晶圓鍵合機系統:

用于研發或小批量生產的晶圓鍵合系統-與大批量生產設備完全兼容。

特色:

EVG510是一種高度靈活的晶圓鍵合系統,可以處理從碎片到200mm的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,例如陽極,玻璃粉,焊料,共晶,瞬態液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設計允許對不同的晶圓尺寸和工藝進行快速便捷的重新工具化,轉換時間不到5分鐘。這種多功能性非常適合大學,研發機構或小批量生產應用。EVG大批量制造工具(例如EVGGEMINI)上的鍵合室設計相同,鍵合程序易于轉移,可輕松擴大生產規模。 根據鍵合機型號和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。貴州EVG620鍵合機

該技術用于封裝敏感的電子組件,以保護它們免受損壞,污染,濕氣和氧化或其他不良化學反應。陽極鍵合尤其與微機電系統(MEMS)行業相關聯,在該行業中,陽極鍵合用于保護諸如微傳感器的設備。陽極鍵合的主要優點是,它可以產生牢固而持久的鍵合,而無需粘合劑或過高的溫度,而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點是可以鍵合的材料范圍有限,并且材料組合還存在其他限制,因為它們需要具有類似的熱膨脹率系數-也就是說,它們在加熱時需要以相似的速率膨脹,否則差異膨脹可能會導致應變和翹曲。

      而EVG的鍵合機所提供的技術能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題,如果需要了解,請點擊:鍵合機。 中國臺灣EVG鍵合機EVG的各種鍵合對準(對位)系統配置為各種MEMS和IC研發生產應用提供了多種優勢。

EVG®301技術數據

晶圓直徑(基板尺寸):200和100-300毫米

清潔系統

開室,旋轉器和清潔臂

腔室:由PP或PFA制成(可選)

清潔介質:去離子水(標準),其他清潔介質(可選)

旋轉卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉:蕞高3000rpm(5秒內)

超音速噴嘴

頻率:1MHz(3MHz選件)

輸出功率:30-60W

去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘

有效清潔區域:?4.0mm

材質:聚四氟乙烯

兆聲區域傳感器

頻率:1MHz(3MHz選件)

輸出功率:蕞大2.5W/cm2有效面積(蕞大輸出200W)

去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘

有效的清潔區域:三角形,確保每次旋轉時整個晶片的輻射均勻性

材質:不銹鋼和藍寶石

刷子

材質:PVA

可編程參數:刷子和晶圓速度(rpm)

可調參數(刷壓縮,介質分配)



熔融和混合鍵合系統:

熔融或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接,該介電層用于工程襯底或層轉移應用,例如背面照明的CMOS圖像傳感器。

混合鍵合擴展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合,從而允許晶片面對面連接。混合綁定的主要應用是高級3D設備堆疊。

EVG的熔融和混合鍵合設備包含:EVG301單晶圓清洗系統;EVG320自動化單晶圓清洗系統;EVG810LT低溫等離子基活系統;EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統;EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統;GEMINIFB自動化生產晶圓鍵合系統;BONDSCALE自動化熔融鍵合生產系統。 EVG鍵合機頂部和底部晶片的**溫度控制補償了不同的熱膨脹系數,實現無應力鍵合和出色的溫度均勻性。

EVG®810LT LowTemp?等離子激/活系統 適用于SOI,MEMS,化合物半導體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統 特色 技術數據 EVG810LTLowTemp?等離子活化系統是具有手動操作的單腔**單元。處理室允許進行異位處理(晶圓被一一激/活并結合在等離子體激/活室外部)。 特征 表面等離子體活化,用于低溫粘結(熔融/分子和中間層粘結) 晶圓鍵合機制中蕞快的動力學 無需濕工藝 低溫退火(蕞/高400°C)下的蕞/高粘結強度 適用于SOI,MEMS,化合物半導體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性(包括CMOS)EVG500系列鍵合機擁有多種鍵合方法,包括陽極,熱壓縮,玻璃料,環氧樹脂,UV和熔融鍵合。山西RF濾波器鍵合機

在不需重新配置硬件的情況下,EVG鍵合機可以在真空下執行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預鍵合。貴州EVG620鍵合機

EVG®805解鍵合系統用途:薄晶圓解鍵合。

EVG805是半自動系統,用于剝離臨時鍵合和加工過的晶圓疊層,該疊層由器件晶圓,載體晶圓和中間臨時鍵合膠組成。該工具支持熱剝離或機械剝離。可以將薄晶圓卸載到單個基板載體上,以在工具之間安全可靠地運輸。

特征:

開放式膠粘劑平臺

解鍵合選項:

熱滑解鍵合

解鍵合

機械解鍵合

程序控制系統

實時監控和記錄所有相關過程參數

薄晶圓處理的獨特功能

多種卡盤設計,可支撐蕞大300mm的晶圓/基板和載體

高形貌的晶圓處理

技術數據

晶圓直徑(基板尺寸)

晶片蕞大300mm

高達12英寸的薄膜

組態

1個解鍵合模塊

選件

紫外線輔助解鍵合

高形貌的晶圓處理

不同基板尺寸的橋接能力 貴州EVG620鍵合機

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