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江蘇半導體光刻機

來源: 發布時間:2020-01-30

EVG®610 掩模對準系統

■   晶圓規格

:100 mm / 150 mm / 200 mm

■   頂/底部對準精度達到 ± 0.5 μm / ± 1.0 μm

■   用于雙面對準高/分辨率頂部和底部分裂場顯微鏡

■   軟件,硬件,真空和接近式曝光

■   自動楔形補償

■   鍵合對準和NIL可選

■   支持**/新的UV-LED技術

EVG®620 NT / EVG®6200 NT

掩模對準系統(自動化和半自動化)

■   晶圓產品規格

:150 mm / 200 mm

■   接近式楔形錯誤補償

■   多種規格晶圓轉換時間少于5分鐘

■   初次印刷高達180 wph / 自動對準模式為140 wph

■   可選**的抗震型花崗巖平臺

■   動態對準實時補償偏移

■   支持**/新的UV-LED技術 了解客戶需求和有效的全球支持,這是我們提供優先解決方案的重要基礎。江蘇半導體光刻機

EVG101光刻膠處理系統的技術數據:

可用模塊:旋涂/ OmniSpray ® /開發

分配選項:

各種光刻膠分配泵,可覆蓋高達52000 cP的粘度;

液體底漆/預濕/洗盤;

去除邊緣珠(EBR)/背面沖洗(BSR);

恒壓分配系統/注射器分配系統。


智能過程控制和數據分析功能(框架軟件平臺)

用于過程和機器控制的集成分析功能

并行任務/排隊任務處理功能,提高效率

設備和過程性能跟/蹤功能:智能處理功能;事/故和警報分析/智能維護管理和跟/蹤


晶圓直徑(基板尺寸):高達300毫米


黑龍江低溫光刻機EVG光刻機**/新的曝光光學增強功能是對LED燈的設置。

EVG ® 105—晶圓烘烤模塊

設計理念:單機EVG ® 105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過程而設計。

特點:可以在EVG105烘烤模塊上執行軟烘烤,曝光后烘烤和硬烘烤過程。受控的烘烤環境可確保均勻蒸發。可編程的接近銷可提供對光刻膠硬化過程和溫度曲線的**/佳控制。EVG105烘烤模塊可以同時處理300 mm的晶圓尺寸或4個100 mm的晶圓。


特征

**烘烤模塊

晶片尺寸**/大為300毫米,或同時**多四個100毫米晶片

溫度均勻性≤±1°C @ 100°C,**/高250°C烘烤溫度

用于手動和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷

烘烤定時器

基材真空(直接接觸烘烤)

N 2吹掃和近程烘烤0-1 mm距離晶片至加熱板可選

不規則形狀的基材


技術數據

晶圓直徑(基板尺寸):高達300毫米

烤盤:

溫度范圍:≤250°C


手動將升降桿調整到所需的接近間隙


EVG也提供量產型掩模對準系統。對于在微米范圍內的光刻圖形,掩模對準器是**/具成本效益的技術,與其他解決方案相比,每層可節省30%以上的成本,這對用戶來說是至關重要的。EVG的大批量制造系統旨在以**/佳的成本效率與**/高的技術標準相結合,并由卓/越的全球服務基礎設施提供支持。**重要的是,大焦深曝光光學系統完美匹配大批量生產中的厚抗蝕劑,表面形貌和非平面基片的圖形。在全球范圍內,我們為許多客戶提供了量產型的光刻機系統,得到了他們的無數好評。我們可以根據您的需求提供進行優化的多用途系統。

EVG ® 120--光刻膠自動化處理系統

EVG ® 120是用于當潔凈室空間有限,需要生產一種緊湊的,節省成本光刻膠處理系統。

新型EVG120通用和全自動光刻膠處理工具能夠處理各種形狀和尺寸達200 mm / 8“的基板。新一代EVG120采用全新的超緊湊設計,并帶有新開發的化學柜,可用于外部存儲化學品,同時提供更高的通量能力,針對大批量客戶需求進行了優化,并準備在大批量生產(HVM)中使用EVG120為用戶提供了一套詳盡的好處,這是其他任何工具所無法比擬的,并保證了**/高的質量各個應用領域的標準,擁有成本卻非常低。


我們用持續的技術和市場領導地位證明了自己的實力,包括EVG在使用各種非標準抗蝕劑方面的****的經驗。山西HERCULES光刻機

EVG已經與研究機構合作超過35年,能夠深入了解他們的獨特需求。江蘇半導體光刻機

EVG ® 610特征:

晶圓/基板尺寸從小到200 mm /8''

頂側和底側對準能力

高精度對準臺

自動楔形補償序列

電動和程序控制的曝光間隙

支持**/新的UV-LED技術

**小化系統占地面積和設施要求

分步流程指導

遠程技術支持

多用戶概念(無限數量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權限,不同的用戶界面語言)

便捷處理和轉換重組

臺式或帶防震花崗巖臺的單機版


EVG ® 610附加功能:

鍵對準

紅外對準

納米壓印光刻(NIL)


EVG ® 610技術數據:

對準方式

上側對準:≤±0.5 μm

底面要求:≤±2,0 μm

紅外校準:≤±2,0 μm /具體取決于基板材料

鍵對準:≤±2,0 μm

NIL對準:≤±2,0 μm 江蘇半導體光刻機

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