EVG101光刻膠處理系統的技術數據:
可用模塊:旋涂/ OmniSpray ® /開發
分配選項:
各種光刻膠分配泵,可覆蓋高達52000 cP的粘度;
液體底漆/預濕/洗盤;
去除邊緣珠(EBR)/背面沖洗(BSR);
恒壓分配系統/注射器分配系統。
智能過程控制和數據分析功能(框架軟件平臺)
用于過程和機器控制的集成分析功能
并行任務/排隊任務處理功能,提高效率
設備和過程性能跟/蹤功能:智能處理功能;事/故和警報分析/智能維護管理和跟/蹤
晶圓直徑(基板尺寸):高達300毫米
只有以客戶的需求為導向,研發才具有價值,也是我們不斷前進的動力。北京光刻機國內用戶
EVG770自動UV-NIL納米壓印步進機,用于制作主圖章。母模是晶圓大小的模板,里面完全裝有微透鏡模具,每個模具都采用分步重復的方法從一個透鏡模板中復制。EVG從金屬或玻璃制成的單鏡頭母版開始,提供了涵蓋了制作母模的所有基本工藝步驟的工藝流程,具有****的鏡片位置精度和**鏡片制造所需的高鏡片形狀可重復性晶圓級相機模塊。
IQ Aligner自動UV-NIL納米壓印系統,用于UV微透鏡成型。軟UV壓印光刻技術是用于制造聚合物微透鏡(WLO系統的關鍵要素)的高度并行技術。EVG從晶圓尺寸的主圖章復制的軟性圖章開始,提供了混合和整體式微透鏡成型工藝,可以輕松地將其應用于工作圖章和微透鏡材料的各種材料組合。此外,EV Group提供合格的微透鏡成型工藝,包括所有相關的材料專業知識。
EVG40 NT自動測量系統。支持非常高的分辨率和精度的垂直和橫向測量,計量對于驗證是否符合嚴格的工藝規范并立即優化集成的工藝參數至關重要。在WLO制造中,EVG的度量衡解決方案可用于關鍵尺寸(CD)測量和透鏡疊層對準驗證,以及許多其他應用。 湖南EVG620光刻機整個晶圓表面高光強度和均勻性是設計和不斷提高EVG掩模對準器產品組合時需要考慮的其他關鍵參數。
EVG620 NT技術數據:
曝光源:
汞光源/紫外線LED光源
先進的對準功能:
手動對準/原位對準驗證
自動對準
動態對準/自動邊緣對準
對準偏移校正算法
EVG620 NT產量:
全自動:第/一批生產量:每小時180片
全自動:吞吐量對準:每小時140片晶圓
晶圓直徑(基板尺寸):高達150毫米
對準方式:
上側對準:≤±0.5 μm
底側對準:≤±1,0 μm
紅外校準:≤±2,0 μm /具體取決于基材
鍵對準:≤±2,0 μm
NIL對準:≤±3.0 μm
曝光設定:真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式
楔形補償:全自動軟件控制
曝光選項:間隔曝光/洪水曝光/扇區曝光
系統控制:
操作系統:Windows
文件共享和備份解決方案/無限制 程序和參數
多語言用戶GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR
實時遠程訪問,診斷和故障排除
工業自動化功能:
盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄,彎曲,翹曲,邊緣晶圓處理
納米壓印光刻技術:SmartNIL ®
HERCULES 光刻軌道系統特征:
生產平臺以**小的占地面積結合了EVG精密對準和光刻膠處理系統的所有優勢;
多功能平臺支持各種形狀,尺寸,高度變形的模具晶片甚至托盤的全自動處理;
高達52,000 cP的涂層可制造高度高達300微米的超厚光刻膠特征;
CoverSpin TM旋轉蓋可降低光刻膠消耗并優化光刻膠涂層的均勻性;
OmniSpray ®涂覆用于高地形表面的優化的涂層;
納流®涂布,并通過結構的保護;
自動面膜處理和存儲;
光學邊緣曝光和/或溶劑清潔以去除邊緣顆粒;
使用橋接工具系統對多種尺寸的晶圓進行易碎,薄或翹曲的晶圓處理;
返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統;
多用戶概念(無限數量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權限,不同的用戶界面語言)。 所有系統均支持原位對準驗證的軟件,可以提高手動操作系統的對準精度和可重復性。
此外,EVG光刻機不斷關注未來的市場趨勢 - 例如光學3D傳感和光子學 - 并為這些應用開發新的方案和調整現有的解決方案,以滿足客戶不斷變化的需求。我們用持續的技術和市場地位證明了這一點,包括EVG在使用各種非標準抗蝕劑方面的****的經驗,這些抗蝕劑針對獨特的要求和參數進行了優化。了解客戶需求和有效的全球支持是我們提供優先解決方案的重要基礎。只有接近客戶,才能得知客戶**真實的需求,這是我們一直時刻與客戶保持聯系的原因之一。在全球范圍內,我們為許多用戶提供了量產型的光刻機系統,并得到了他們的無數好評。山東光刻機傳感器應用
EVG的大批量制造系統目的是在以**/佳的成本效率與**/高的技術標準相結合,為全球服務基礎設施提供支持。北京光刻機國內用戶
EVG鍵合機掩模對準系列產品,使用**/先進的工程技術。
用戶對接近式對準器的主要需求由幾個關鍵參數決定。亞微米對準精度,掩模和晶片之間受控的均勻接近間隙,以及對應于抗蝕劑靈敏度的已經明確定義且易于控制的曝光光譜是**重要的標準。此外,整個晶圓表面的高光強度和均勻性是設計和不斷增強EVG掩模對準器產品組合時需要考慮的其他關鍵參數。創新推動了我們的日常業務的發展和提升我們的理念,使我們能夠跳出思維框架,創造更先進的系統。 北京光刻機國內用戶
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