ComBond自動(dòng)化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)，高真空晶圓鍵合平臺(tái)促進(jìn)“任何物上的任何東西”的共價(jià)鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)，EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺(tái)標(biāo)志著EVG獨(dú)特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個(gè)新里程碑，可滿足市場(chǎng)對(duì)更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進(jìn)的工程襯底，堆疊的太陽能電池和功率器件到**MEMS封裝，高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計(jì)提供了高度靈活的平臺(tái)，可以針對(duì)研發(fā)和高通量，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進(jìn)了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的鍵合，并通過其獨(dú)特的氧化物去除工藝促進(jìn)了導(dǎo)電鍵界面的形成ComBond高真空技術(shù)還可以實(shí)現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合，這些金屬在周圍環(huán)境中會(huì)迅速重新氧化。對(duì)于所有材料組合，都可以實(shí)現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強(qiáng)度。GEMINI FB XT適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。高校鍵合機(jī)廠家

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行

盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP）

無污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔

機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合

先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷

技術(shù)數(shù)據(jù)：

晶圓直徑（基板尺寸）

100-200、150-300毫米

全自動(dòng)盒帶到盒帶操作

預(yù)鍵合室

對(duì)準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口

對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°

結(jié)合力：蕞高5N

鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 江蘇鍵合機(jī)摩擦學(xué)應(yīng)用在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。

在鍵合過程中，將兩個(gè)組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個(gè)電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢(shì)被施加，使得負(fù)電極，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中，正極（陽極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動(dòng)并向陰極移動(dòng)，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢谩ж?fù)電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移，并在到達(dá)邊界時(shí)與硅反應(yīng)，形成二氧化硅（SiO 2）。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個(gè)組件密封在一起。

該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件，以保護(hù)它們免受損壞，污染，濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng)。陽極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）行業(yè)相關(guān)聯(lián)，在該行業(yè)中，陽極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備。陽極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是，它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合，而無需粘合劑或過高的溫度，而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點(diǎn)是可以鍵合的材料范圍有限，并且材料組合還存在其他限制，因?yàn)樗鼈冃枰哂蓄愃频臒崤蛎浡氏禂?shù)-也就是說，它們?cè)诩訜釙r(shí)需要以相似的速率膨脹，否則差異膨脹可能會(huì)導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲。

      而EVG的鍵合機(jī)所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題，如果需要了解，請(qǐng)點(diǎn)擊：鍵合機(jī)。 EVG鍵合機(jī)可以使用適合每個(gè)通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn)，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用， 可以阻止金向硅中擴(kuò)散［10，11］。EVG的GEMINI系列是自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)。新疆鍵合機(jī)當(dāng)?shù)貎r(jià)格

GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對(duì)準(zhǔn)器，是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對(duì)準(zhǔn)要求而開發(fā)的。高校鍵合機(jī)廠家

EVG?501是晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) 應(yīng)用：適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng) EVG501技術(shù)數(shù)據(jù): EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理從單個(gè)芯片(碎片)到150mm（200mm鍵合室為200mm）的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，例如陽極，玻璃粉，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設(shè)計(jì)允許對(duì)不同的晶圓尺寸和工藝進(jìn)行快速便捷的重新工具化，轉(zhuǎn)換時(shí)間不到5分鐘。這種多功能性是大學(xué)，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)的理想選擇。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的鍵合室設(shè)計(jì)相同，鍵合程序易于轉(zhuǎn)移，可輕松擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。高校鍵合機(jī)廠家

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司致力于儀器儀表，以科技創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)管理的追求。公司自創(chuàng)立以來，投身于磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā)，是儀器儀表的主力軍。岱美儀器技術(shù)服務(wù)始終以本分踏實(shí)的精神和必勝的信念，影響并帶動(dòng)團(tuán)隊(duì)取得成功。岱美儀器技術(shù)服務(wù)始終關(guān)注儀器儀表行業(yè)。滿足市場(chǎng)需求，提高產(chǎn)品價(jià)值，是我們前行的力量。