óónmínimadelapruebaseráóáenellugardefabricacióóáuncertificadodefabricaciónenelquejustifiqueelcumplimientodelaspruebasyexámenesindicadosenestaITC,desglosandomaterialempleado,presióndeprueba,óón(brida,valona,bridaloca,rosca,etc.)atuberíasdellenado,ventilaciónaspiración,etcéántubosdeaceroconformesconlanormaUNE19040,dematerialsegúnDIN1629uotranormadeseguridadequivalente,siendoestascaracterísticaslasmínimasdeutilizacióéstosseajustaráánalaschapasdelosdepósitospormediodesoldadurasdeángulointerioresyexteriores,conunapenetraciónenelinteriorde,almenos,15milíósitossesituarán:Sobrelastapasdelasbocasdehombre;sobrelageneratrizsuperiordelosdepóósitoestaráprovistodelassiguientestubuladuras:a))Unatubuladuradeventilació)Unaovariastubuladurasdeaspiració))áobturadaherméósitosdecapacidadsuperioratresmetroscúbicostendránboca/únpuntodeldepósitoamásdecincometrosdeunabocadehombre;portanto,seprevéndosbocasparalosdepósitosdemásde10metrosdelongitud。蘇州BOE蝕刻液公司哪家好？湖南專業BOE蝕刻液報價

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    本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術：氮化硅是一種具有很高的化學穩定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進行緩慢地腐蝕。在半導體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導體制程的飛速發展，器件的特征尺寸越來越小，集成度越來越高，對制造工藝中的各工藝節點要求也越來越高，如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻時，晶圓表面會出現不均勻的現象，體現于在蝕刻前后進行相同位置取點的厚度測量時，檢測點之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實現氮化硅層的均勻蝕刻。技術實現要素：本發明所要解決的技術問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類、％的表面活性劑。進一步地，本發明涉及上述蝕刻液。

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