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漏源電壓Vds對MOSFET性能有何影響？

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深圳市芯技科技有限公司2025-06-24

導通損耗：VDS↑→RDS(on)↑（強電場致載流子遷移率↓），芯技超結MOS在600V時RDS(on)比平面結構低50%

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簡介：深圳市芯技科技有限公司專注于保護器件、MOSFET和二三極管等產品，廣泛應用于消費電子等多個領域。
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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-25

    開關特性：VDS>100V時米勒電容Cgd非線性加劇，芯技優化電荷平衡技術降低Qgd 30%

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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-30

    雪崩能力：VDS接近BVDSS時EAS驟降，芯技Avalanche Rated系列BVDSS余量>20%

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