賽瑞達(dá)智能電子裝備（無錫）有限公司2025-03-08

在氧化過程中，首先由氣體供應(yīng)系統(tǒng)向爐內(nèi)通入適量的氧氣。加熱系統(tǒng)將爐內(nèi)溫度升高到適合氧化反應(yīng)的溫度范圍，一般根據(jù)不同材料和工藝要求，溫度在幾百攝氏度到上千攝氏度不等。例如在半導(dǎo)體硅片氧化時(shí)，溫度常控制在 900 - 1200℃。硅片表面的硅原子與氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成二氧化硅（SiO?）。反應(yīng)方程式為：Si + O? → SiO? 。通過精確控制氧氣流量、溫度以及反應(yīng)時(shí)間，可以精細(xì)調(diào)控氧化膜的厚度和質(zhì)量。氣體供應(yīng)系統(tǒng)的流量穩(wěn)定性和溫度控制系統(tǒng)的精度對氧化過程的順利進(jìn)行和氧化膜的一致性至關(guān)重要。?

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