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陜西厚膜光刻膠報價

來源: 發布時間:2025-06-18

厚板光刻膠

  • 電路板制造:在制作對線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時,厚板光刻膠可確保線路的精細度和穩定性,比如汽車電子、工業控制等領域的電路板,能承受復雜環境和大電流、高電壓等工況。
  • 功率器件制造:像絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這類功率器件,需要承受高電壓和大電流,厚板光刻膠可用于其芯片制造過程中的光刻環節,保障芯片內部電路的精細布局,提高器件的性能和可靠性。


負性光刻膠

  • 半導體制造:在芯片制造過程中,用于制作一些對精度要求高、圖形面積較大的結構,如芯片的金屬互連層、接觸孔等。通過負性光刻膠的曝光和顯影工藝,能實現精確的圖形轉移,確保芯片各部分之間的電氣連接正常。
  • 平板顯示制造:在液晶顯示器(LCD)和有機發光二極管顯示器(OLED)的制造中,用于制作電極、像素等大面積圖案。以 LCD 為例,負性光刻膠可幫助形成液晶層與玻璃基板之間的電極圖案,控制液晶分子的排列,從而實現圖像顯示。


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納米壓印光刻膠


  • 微納光學器件制造:制作衍射光學元件、微透鏡陣列等微納光學器件時,納米壓印光刻膠可實現高精度的微納結構復制。通過納米壓印技術,將模板上的微納圖案轉移到光刻膠上,再經過后續處理,可制造出具有特定光學性能的微納光學器件,應用于光通信、光學成像等領域。
  • 生物芯片制造:在 DNA 芯片、蛋白質芯片等生物芯片的制造中,需要在芯片表面構建高精度的微納結構,用于生物分子的固定和檢測。納米壓印光刻膠可幫助實現這些精細結構的制作,提高生物芯片的檢測靈敏度和準確性。

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    ? 正性光刻膠

    ? YK-300:適用于半導體制造,具備高分辨率(線寬≤10μm)、耐高溫(250℃)、耐酸堿腐蝕特性,主要用于28nm及以上制程的晶圓制造,適配UV光源(365nm/405nm)。

    ? 技術優勢:采用進口樹脂及光引發劑,絕緣阻抗高(>10^14Ω),滿足半導體器件對絕緣性的嚴苛要求。

    ? 負性光刻膠

    ? JT-1000:負性膠,主打優異抗深蝕刻性能,分辨率達3μm,適用于功率半導體、MEMS器件制造,可承受氫氟酸(HF)、磷酸(H3PO4)等強腐蝕液處理。

    ? SU-3:經濟型負性膠,性價比高,適用于分立器件及低端邏輯芯片,光源適應性廣(248nm-436nm),曝光靈敏度≤200mJ/cm2。

    2. 顯示面板光刻膠

    ? LCD正性光刻膠YK-200:專為TFT-LCD制程設計,具備高涂布均勻性(膜厚誤差±1%)、良好的基板附著力,用于彩色濾光片(CF)和陣列基板(Array)制造,支持8.5代線以上大規模生產。

    ? 水性感光膠JT-1200:環保型產品,VOC含量<50g/L,符合歐盟RoHS標準,適用于柔性顯示基板,可制作20μm以下精細網點,主要供應京東方、TCL等面板廠商。

    定義與特性

    負性光刻膠是一種在曝光后,未曝光區域會溶解于顯影液的光敏材料,形成與掩膜版(Mask)圖案相反的圖形。與正性光刻膠相比,其主要特點是耐蝕刻性強、工藝簡單、成本低,但分辨率較低(通?!?μm),主要應用于對精度要求相對較低、需要厚膠或高耐腐蝕性的場景。

    化學組成與工作原理

     主要成分

     基體樹脂:

    ? 早期以聚異戊二烯橡膠(天然或合成)為主,目前常用環化橡膠(Cyclized Rubber)或聚乙烯醇肉桂酸酯,提供膠膜的機械強度和耐蝕刻性。

     光敏劑:

    ? 主要為雙疊氮化合物(如雙疊氮芪)或重氮醌類衍生物,占比約5%-10%,吸收紫外光后引發交聯反應。

     交聯劑:

    ? 如六亞甲基四胺(烏洛托品),在曝光后與樹脂發生交聯,形成不溶性網狀結構。

     溶劑:

    ? 多為有機溶劑(如二甲苯、環己酮),溶解樹脂和光敏劑,涂布后揮發形成均勻膠膜。

     工作原理

     曝光前:光敏劑和交聯劑均勻分散在樹脂中,膠膜可溶于顯影液(有機溶劑)。

     曝光時:

    ? 光敏劑吸收紫外光(G線436nm為主)后產生活性自由基,引發交聯劑與樹脂分子間的共價鍵交聯,使曝光區域形成不溶于顯影液的三維網狀結構。

     顯影后:

    ? 未曝光區域的樹脂因未交聯,被顯影液溶解去除,曝光區域保留,形成負性圖案(與掩膜版相反)。
    吉田質量管控與認證壁壘。

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    吉田半導體水性感光膠 JT-1200:水油兼容,鋼片加工精度 ±5μm

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    針對汽車電子鋼片加工需求,吉田半導體研發的 JT-1200 水性感光膠實現水油兼容性達 100%,加工精度 ±5μm。其高粘接強度與耐強酸強堿特性,確保復雜結構的長期可靠性。其涂布性能優良,易做精細網點,適用于安全氣囊傳感器、車載攝像頭模組等精密部件。產品通過 IATF 16949 汽車行業認證,生產過程嚴格控制金屬離子含量,確保電子產品可靠性。
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    技術趨勢與挑戰

     半導體先進制程:

    ? EUV光刻膠需降低缺陷率(目前每平方厘米缺陷數<10個),開發低粗糙度(≤5nm)材料;

    ? 極紫外吸收問題:膠膜對13.5nm光吸收率高,需厚度控制在50-100nm,挑戰化學增幅體系的靈敏度。

     環保與低成本:

    ? 水性負性膠替代溶劑型膠(如PCB阻焊膠),減少VOC排放;

    ? 單層膠工藝替代多層膠,簡化流程(如MEMS厚膠的一次性涂布)。

     新興領域拓展:

    ? 柔性電子:開發耐彎曲(曲率半徑<5mm)、低模量感光膠,用于可穿戴設備電路;

    ? 光子芯片:高折射率膠(n>1.8)制作光波導,需低傳輸損耗(<0.1dB/cm)。

    典型產品與廠商

    ? 半導體正性膠:

    ? 日本信越(Shin-Etsu)的ArF膠(分辨率22nm,用于12nm制程);

    ? 美國陶氏(Dow)的EUV膠(靈敏度10mJ/cm2,缺陷密度<5個/cm2)。

    ? PCB負性膠:

    ? 中國容大感光(LP系列):耐堿性蝕刻,厚度20-50μm,國產化率超60%;

    ? 日本東京應化(TOK)的THMR-V:全球PCB膠市占率30%,適用于高可靠性汽車板。

    ? MEMS厚膠:

    ? 美國陶氏的SU-8:實驗室常用,厚度5-200μm,分辨率1μm(需優化交聯均勻性);

    ? 德國Microresist的MR膠:耐深硅蝕刻,線寬精度±2%,用于工業級MEMS制造。

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