上海高溫光刻膠工廠

來源：發布時間：2025-06-17

吉田半導體突破 ArF 光刻膠技術壁壘，國產替代再迎新進展

自主研發 ArF 光刻膠通過中芯國際驗證，吉田半導體填補國內光刻膠空白。
吉田半導體成功研發出 AT-450 ArF 光刻膠，分辨率達 90nm，適用于 14nm 及以上制程，已通過中芯國際量產驗證。該產品采用國產原材料與自主配方，突破日本企業對 ArF 光刻膠的壟斷。其光酸產率提升 30%，蝕刻選擇比達 4:1，性能對標日本信越的 ArF 系列。吉田半導體的技術突破加速了國產芯片制造材料自主化進程，為國內晶圓廠提供高性價比解決方案。

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公司遵循國際質量管理標準，通過 ISO9001:2008 認證，并在生產過程中執行 8S 現場管理，從原料入庫到成品出庫實現全流程監控。以錫膏產品為例，其無鹵無鉛配方符合環保要求，同時具備低飛濺、高潤濕性等特點，適用于電子產品組裝。此外，公司建立了行業標準化實驗室，配備先進檢測設備，確保產品性能達到國際同類水平。

憑借多年研發積累，公司形成了覆蓋光刻膠、焊接材料、電子膠等領域的豐富產品線。在焊接材料方面，不僅提供常規錫膏、助焊膏，還針對特殊場景開發了 BGA 助焊膏、針筒錫膏等定制化產品，滿足精密電子組裝的多樣化需求。同時，感光膠系列產品分為水性與油性兩類，兼具耐潮性與易操作性，廣泛應用于印刷電路板制造。

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光刻膠的納米級性能要求

超高分辨率：需承受電子束（10keV以上）或EUV（13.5nm波長）的轟擊，避免散射導致的邊緣模糊，目前商用EUV膠分辨率已達13nm（3nm制程）。

低缺陷率：納米級結構對膠層中的顆粒或化學不均性極其敏感，需通過化學增幅型配方（如酸催化交聯）提升對比度和抗刻蝕性。

多功能性：兼容多種基底（柔性聚合物、陶瓷）和后處理工藝（干法刻蝕、原子層沉積），例如用于柔性電子的可拉伸光刻膠。

技術挑戰與前沿方向

? EUV光刻膠優化：解決曝光后酸擴散導致的線寬波動，開發含氟聚合物或金屬有機材料以提高靈敏度。

? 無掩膜光刻：結合機器學習優化電子束掃描路徑，直接寫入復雜納米圖案（如神經網絡芯片的突觸陣列），縮短制備周期。

? 生物基光刻膠：開發可降解、低毒性的天然高分子光刻膠，用于生物芯片或環保型納米制造。

感光機制

? 重氮型（雙液型）：需混合光敏劑（如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉），曝光后通過交聯反應固化，適用于精細圖案（如PCB電路線寬≤0.15mm）。

? SBQ型（單液型）：預混光敏劑，無需調配，感光度高（曝光時間縮短30%），適合快速制版（如服裝印花）。

? 環保型：采用無鉻配方（如CN10243143A），通過多元固化體系（熱固化+光固化）實現12-15mJ/cm2快速曝光，分辨率達2μm，符合歐盟REACH標準。

功能細分

? 耐溶劑型：如日本村上AD20，耐酒精、甲苯等溶劑，適用于電子油墨印刷。

? 耐水型：如瑞士科特1711，抗水性強，適合紡織品水性漿料。

? 厚版型：如德國K?ppen厚版膠，單次涂布可達50μm，用于立體印刷。

典型應用場景：

? PCB制造：使用360目尼龍網+重氮感光膠，配合LED曝光（405nm波長），實現0.15mm線寬，耐酸性蝕刻液。

? 紡織印花：圓網制版采用9806A型感光膠，涂布厚度20μm，耐堿性染料色漿，耐印率超10萬次。

? 包裝印刷：柔版制版選用杜邦賽麗® Lightning LFH版材，UV-LED曝光+無溶劑工藝，碳排放降低40%。

半導體材料選吉田，歐盟認證，支持定制化解決方案！

廣東吉田半導體材料有限公司成立于松山湖經濟技術開發區，是一家專注于半導體材料研發、生產與銷售的技術企業。公司注冊資本 2000 萬元，擁有 23 年行業經驗，產品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、半導體錫膏、焊片及靶材等，服務全球市場并與多家世界 500 強企業建立長期合作關系。

作為國家技術企業，吉田半導體以科技創新為驅動力，擁有多項技術，并通過 ISO9001:2008 質量體系認證。生產過程嚴格遵循 8S 現場管理標準，原材料均采用美、德、日等國進口的材料，確保產品質量穩定可靠。公司配備全自動化生產設備，具備行業大型的規模化生產能力，致力于成為 “半導體材料方案提供商”。

其明星產品包括：適用于 LCD 制造的正性光刻膠 YK-200/YK-300，具備高分辨率與優異涂布性能；3 微米負性光刻膠 SU-3，適用于厚膜工藝；耐高溫達 250℃的納米壓印光刻膠 JT-2000，可滿足高精度微納加工需求。所有產品均符合要求，部分型號通過歐盟 ROHS 認證。

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定義與特性

負性光刻膠是一種在曝光后，未曝光區域會溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案相反的圖形。與正性光刻膠相比，其主要特點是耐蝕刻性強、工藝簡單、成本低，但分辨率較低（通常≥1μm），主要應用于對精度要求相對較低、需要厚膠或高耐腐蝕性的場景。

化學組成與工作原理

主要成分

基體樹脂：

? 早期以聚異戊二烯橡膠（天然或合成）為主，目前常用環化橡膠（Cyclized Rubber）或聚乙烯醇肉桂酸酯，提供膠膜的機械強度和耐蝕刻性。

光敏劑：

? 主要為雙疊氮化合物（如雙疊氮芪）或重氮醌類衍生物，占比約5%-10%，吸收紫外光后引發交聯反應。

交聯劑：

? 如六亞甲基四胺（烏洛托品），在曝光后與樹脂發生交聯，形成不溶性網狀結構。

溶劑：

? 多為有機溶劑（如二甲苯、環己酮），溶解樹脂和光敏劑，涂布后揮發形成均勻膠膜。

工作原理

曝光前：光敏劑和交聯劑均勻分散在樹脂中，膠膜可溶于顯影液（有機溶劑）。

曝光時：

? 光敏劑吸收紫外光（G線436nm為主）后產生活性自由基，引發交聯劑與樹脂分子間的共價鍵交聯，使曝光區域形成不溶于顯影液的三維網狀結構。

顯影后：

? 未曝光區域的樹脂因未交聯，被顯影液溶解去除，曝光區域保留，形成負性圖案（與掩膜版相反）。

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標簽：光刻膠錫膏錫片

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