吉田半導(dǎo)體獲評(píng) "專(zhuān)精特新" 企業(yè),行業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),以技術(shù)創(chuàng)新與標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)為,吉田半導(dǎo)體榮獲 "廣東省專(zhuān)精特新企業(yè)" 稱(chēng)號(hào),樹(shù)立行業(yè)。
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納米制造與表面工程
? 納米結(jié)構(gòu)模板:作為納米壓印光刻(NIL)的母版制備材料,通過(guò)電子束光刻膠寫(xiě)出高精度納米圖案(如50nm以下的柱陣列、孔陣列),用于批量復(fù)制微流控芯片或柔性顯示基板。
? 表面功能化:在基底表面構(gòu)建納米級(jí)粗糙度(如仿生荷葉超疏水表面)或化學(xué)圖案(引導(dǎo)細(xì)胞定向生長(zhǎng)的納米溝槽),用于生物醫(yī)學(xué)或能源材料(如電池電極的納米陣列結(jié)構(gòu))。
量子技術(shù)與精密測(cè)量
? 超導(dǎo)量子比特:在鈮酸鋰或硅基底上,通過(guò)光刻膠定義納米級(jí)約瑟夫森結(jié)陣列,構(gòu)建量子電路。
? 納米傳感器:制備納米級(jí)懸臂梁(表面鍍光刻膠圖案化的金屬電極),用于探測(cè)單個(gè)分子的質(zhì)量或電荷變化(分辨率達(dá)亞納米級(jí))。
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光刻膠的納米級(jí)性能要求
超高分辨率:需承受電子束(10keV以上)或EUV(13.5nm波長(zhǎng))的轟擊,避免散射導(dǎo)致的邊緣模糊,目前商用EUV膠分辨率已達(dá)13nm(3nm制程)。
低缺陷率:納米級(jí)結(jié)構(gòu)對(duì)膠層中的顆粒或化學(xué)不均性極其敏感,需通過(guò)化學(xué)增幅型配方(如酸催化交聯(lián))提升對(duì)比度和抗刻蝕性。
多功能性:兼容多種基底(柔性聚合物、陶瓷)和后處理工藝(干法刻蝕、原子層沉積),例如用于柔性電子的可拉伸光刻膠。
技術(shù)挑戰(zhàn)與前沿方向
? EUV光刻膠優(yōu)化:解決曝光后酸擴(kuò)散導(dǎo)致的線(xiàn)寬波動(dòng),開(kāi)發(fā)含氟聚合物或金屬有機(jī)材料以提高靈敏度。
? 無(wú)掩膜光刻:結(jié)合機(jī)器學(xué)習(xí)優(yōu)化電子束掃描路徑,直接寫(xiě)入復(fù)雜納米圖案(如神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片的突觸陣列),縮短制備周期。
? 生物基光刻膠:開(kāi)發(fā)可降解、低毒性的天然高分子光刻膠,用于生物芯片或環(huán)保型納米制造。
光刻膠(Photoresist)是一種對(duì)光敏感的高分子材料,主要用于光刻工藝中,通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移,是半導(dǎo)體、集成電路(IC)、印刷電路板(PCB)、液晶顯示(LCD)等制造領(lǐng)域的材料之一。
光刻膠特性與組成
? 光敏性:在特定波長(zhǎng)(如紫外光、極紫外光EUV等)照射下,會(huì)發(fā)生化學(xué)結(jié)構(gòu)變化(如交聯(lián)或分解),從而改變?cè)陲@影液中的溶解性。
? 主要成分:
? 樹(shù)脂(成膜劑):形成基礎(chǔ)膜層,決定光刻膠的機(jī)械和化學(xué)性能。
? 光敏劑:吸收光能并引發(fā)化學(xué)反應(yīng)(如光分解、光交聯(lián))。
? 溶劑:調(diào)節(jié)粘度,便于涂覆成膜。
? 添加劑:改善性能(如感光度、分辨率、對(duì)比度等)。
吉田半導(dǎo)體全流程解決方案,賦能客戶(hù)提升生產(chǎn)效率。
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,各有特性與優(yōu)勢(shì),適用于不同領(lǐng)域。
厚板光刻膠 JT - 3006:具有優(yōu)異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn),保質(zhì)期 1 年。需保存在干燥區(qū)域并密封,使用前要閱讀參考技術(shù)資料。適用于厚板的光刻加工,在對(duì)精度、感光度和抗蝕刻要求高的生產(chǎn)場(chǎng)景中發(fā)揮作用,如特定的電路板制造領(lǐng)域。
水油光刻膠 SR - 3303:適用于光學(xué)儀器、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域的光刻工藝。品質(zhì)保障、性能穩(wěn)定的特點(diǎn),由工廠(chǎng)研發(fā)且支持定制,工廠(chǎng)直銷(xiāo)。
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主要應(yīng)用場(chǎng)景
印刷電路板(PCB):
? 通孔/線(xiàn)路加工:負(fù)性膠厚度可達(dá)20-50μm,耐堿性蝕刻液(如氯化鐵、堿性氯化銅),適合制作大尺寸線(xiàn)路(線(xiàn)寬/線(xiàn)距≥50μm),如雙面板、多層板的外層電路。
? 阻焊層:作為絕緣保護(hù)層,覆蓋非焊盤(pán)區(qū)域,需厚膠(50-100μm)和高耐焊接溫度(260℃以上),負(fù)性膠因工藝簡(jiǎn)單、成本低而廣泛應(yīng)用。
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS):
? 深硅蝕刻(DRIE):負(fù)性膠作為蝕刻掩膜,厚度可達(dá)100μm以上,耐SF?等強(qiáng)腐蝕性氣體,用于制作加速度計(jì)、陀螺儀的高深寬比結(jié)構(gòu)(深寬比>20:1)。
? 模具制造:在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具,利用負(fù)性膠的厚膠成型能力。
平板顯示(LCD):
? 彩色濾光片(CF)基板預(yù)處理:在玻璃基板上制作絕緣層或緩沖層,耐濕法蝕刻(如HF溶液),確保后續(xù)RGB色阻層的精確涂布。
功率半導(dǎo)體與分立器件:
? IGBT、MOSFET的隔離區(qū)蝕刻:負(fù)性膠用于制作較寬的隔離溝槽(寬度>10μm),耐高濃度酸堿蝕刻,降低工藝成本。
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