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成都PCB光刻膠報價

來源: 發布時間:2025-06-01

以 15% 年研發投入為驅動,吉田半導體加速 EUV 光刻膠與木基材料研發,搶占行業制高點。布局下一代光刻技術。
面對極紫外光刻技術挑戰,吉田半導體與中科院合作開發化學放大型 EUV 光刻膠,在感光效率(<10mJ/cm2)和耐蝕性(>80%)指標上取得階段性進展。同時,公司前瞻性布局木基光刻膠研發,對標日本王子控股技術,探索生物基材料在半導體封裝中的應用。這些技術儲備為 7nm 及以下制程提供支撐,助力中國在下一代光刻技術中占據重要地位。吉田技術自主化與技術領域突破!成都PCB光刻膠報價

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作為深耕半導體材料領域二十余年的綜合性企業,廣東吉田半導體材料有限公司始終將環保理念融入產品研發與生產全流程。公司位于東莞松山湖產業集群,依托區域產業鏈優勢,持續推出符合國際環保標準的半導體材料解決方案。

公司在錫膏、焊片等產品中采用無鹵無鉛配方,嚴格遵循 RoHS 指令要求,避免使用有害物質。以錫膏為例,其零鹵素配方通過第三方機構認證,不僅減少了電子產品廢棄后的環境負擔,還提升了焊接可靠性,適用于新能源汽車、精密電子設備等領域。同時,納米壓印光刻膠與 LCD 光刻膠的生產過程中,公司通過優化原料配比,減少揮發性有機物(VOCs)排放,確保產品符合歐盟 REACH 法規。

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光刻膠系列

厚板光刻膠 JT - 3001,具備優異分辨率、感光度和抗深蝕刻性能,符合歐盟 ROHS 標準,保質期 1 年;

水油光刻膠 SR - 3308,容量 5L;SU - 3 負性光刻膠,分辨率優異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應,重量 100g;

液晶平板顯示器負性光刻膠 JT - 1000,有 1L 裝和 100g 裝兩種規格,分辨率高,準確性和穩定性好;

JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠,耐強酸強堿,耐高溫達 250°C,長期可靠性高,粘接強度高,重量 100g;

LCD 正性光刻膠 YK - 200,具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力,重量 100g;

半導體正性光刻膠 YK - 300,具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性,重量 100g;

耐腐蝕負性光刻膠 JT - NF100,重量 1L。

光刻膠的工作原理:

1. 涂覆與曝光:在基底(如硅片、玻璃、聚合物)表面均勻涂覆光刻膠,通過掩膜(或直接電子束掃描)對特定區域曝光。

2. 化學變化:曝光區域的光刻膠發生光化學反應(正性膠曝光后溶解,負性膠曝光后交聯不溶)。

3. 顯影與刻蝕:溶解未反應的部分,留下圖案化的膠層,作為后續刻蝕或沉積的掩模,將圖案轉移到基底上。

在納米技術中,關鍵挑戰是突破光的衍射極限(λ/2),因此需依賴高能束曝光技術(如電子束光刻、極紫外EUV光刻)和高性能光刻膠(高分辨率、低缺陷)。

吉田質量管控與認證壁壘。

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廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領域的需求。

厚板光刻膠:JT-3001 型號,具有優異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,符合歐盟 ROHS 標準,保質期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,如特定電路板制造。

負性光刻膠

  • SU-3 負性光刻膠:分辨率優異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應,重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。


正性光刻膠 光刻膠半導體領域的應用。北京激光光刻膠價格

  • LCD 正性光刻膠 YK-200:具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力,重量 100g。適用于液晶顯示領域的光刻工藝,確保 LCD 生產中圖形精確轉移和良好涂布效果。
  • 半導體正性光刻膠 YK-300:具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性,重量 100g。主要用于半導體制造工藝,滿足半導體器件對光刻膠在化學穩定性和電氣性能方面的要求。

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吉田半導體突破 ArF 光刻膠技術壁壘,國產替代再迎新進展

自主研發 ArF 光刻膠通過中芯國際驗證,吉田半導體填補國內光刻膠空白。
吉田半導體成功研發出 AT-450 ArF 光刻膠,分辨率達 90nm,適用于 14nm 及以上制程,已通過中芯國際量產驗證。該產品采用國產原材料與自主配方,突破日本企業對 ArF 光刻膠的壟斷。其光酸產率提升 30%,蝕刻選擇比達 4:1,性能對標日本信越的 ArF 系列。吉田半導體的技術突破加速了國產芯片制造材料自主化進程,為國內晶圓廠提供高性價比解決方案。
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標簽: 光刻膠 錫片
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