吉田半導體突破光刻膠共性難題,提升行業生產效率,通過優化材料配方與工藝,吉田半導體解決光刻膠留膜率低、蝕刻損傷等共性問題,助力客戶降本增效。
針對傳統光刻膠留膜率低、蝕刻損傷嚴重等問題,吉田半導體研發的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類產品高 8%,密集圖形側壁垂直度達標率提升 15%。其納米壓印光刻膠采用特殊交聯技術,在顯影過程中減少有機溶劑對有機半導體的損傷,使芯片良率提升至 99.8%。這些技術突破有效降低客戶生產成本,推動行業生產效率提升。納米壓印光刻膠哪家強?吉田半導體附著力提升 30%!中山PCB光刻膠價格
吉田半導體突破 ArF 光刻膠技術壁壘,國產替代再迎新進展
自主研發 ArF 光刻膠通過中芯國際驗證,吉田半導體填補國內光刻膠空白。
吉田半導體成功研發出 AT-450 ArF 光刻膠,分辨率達 90nm,適用于 14nm 及以上制程,已通過中芯國際量產驗證。該產品采用國產原材料與自主配方,突破日本企業對 ArF 光刻膠的壟斷。其光酸產率提升 30%,蝕刻選擇比達 4:1,性能對標日本信越的 ArF 系列。吉田半導體的技術突破加速了國產芯片制造材料自主化進程,為國內晶圓廠提供高性價比解決方案。
湖南激光光刻膠感光膠光刻膠:半導體之路上的挑戰與突破。
感光機制
? 重氮型(雙液型):需混合光敏劑(如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉),曝光后通過交聯反應固化,適用于精細圖案(如PCB電路線寬≤0.15mm)。
? SBQ型(單液型):預混光敏劑,無需調配,感光度高(曝光時間縮短30%),適合快速制版(如服裝印花)。
? 環保型:采用無鉻配方(如CN10243143A),通過多元固化體系(熱固化+光固化)實現12-15mJ/cm2快速曝光,分辨率達2μm,符合歐盟REACH標準。
功能細分
? 耐溶劑型:如日本村上AD20,耐酒精、甲苯等溶劑,適用于電子油墨印刷。
? 耐水型:如瑞士科特1711,抗水性強,適合紡織品水性漿料。
? 厚版型:如德國K?ppen厚版膠,單次涂布可達50μm,用于立體印刷。
典型應用場景:
? PCB制造:使用360目尼龍網+重氮感光膠,配合LED曝光(405nm波長),實現0.15mm線寬,耐酸性蝕刻液。
? 紡織印花:圓網制版采用9806A型感光膠,涂布厚度20μm,耐堿性染料色漿,耐印率超10萬次。
? 包裝印刷:柔版制版選用杜邦賽麗® Lightning LFH版材,UV-LED曝光+無溶劑工藝,碳排放降低40%。
晶圓制造(前道工藝)
? 功能:在硅片表面形成高精度電路圖形,是光刻工藝的主要材料。
? 細分場景:
? 邏輯/存儲芯片:用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠(分辨率0.25-1μm)、14nm以下先進制程的ArF浸沒式光刻膠(分辨率≤45nm),以及極紫外(EUV)光刻膠(目標7nm以下,研發中)。
? 功率半導體(如IGBT):使用厚膜光刻膠(膜厚5-50μm),滿足深溝槽刻蝕需求。
? MEMS傳感器:通過高深寬比光刻膠(如SU-8)實現微米級結構(如加速度計、陀螺儀的懸臂梁)。
芯片封裝(后道工藝)
? 先進封裝技術:
? Flip Chip(倒裝芯片):用光刻膠形成凸點(Bump)下的 Redistribution Layer(RDL),線寬精度要求≤10μm。
? 2.5D/3D封裝:在硅通孔(TSV)工藝中,光刻膠用于定義通孔開口(直徑5-50μm)。
厚板光刻膠 JT-3001,抗深蝕刻,PCB 電路板制造Preferred!
技術優勢:23年研發沉淀與細分領域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發中實現了從樹脂合成、光引發劑制備到配方優化的全流程自主化。例如,其納米壓印光刻膠通過自主開發的樹脂體系,實現了3μm的分辨率,適用于MEMS傳感器、光學器件等領域。
技術壁壘:公司擁有23年光刻膠研發經驗,掌握光刻膠主要原材料(如樹脂、光酸)的合成技術,部分原材料純度達PPT級。
細分領域技術先進
? 納米壓印光刻膠:在納米級圖案化領域(如量子點顯示、生物芯片)實現技術突破,分辨率達3μm,填補國內空缺。
? LCD光刻膠:針對顯示面板行業需求,開發出高感光度、高對比度的光刻膠,適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術。
研發投入與合作
公司2018年獲高新技術性企業認證,與新材料領域同伴們合作開發半導體光刻膠,計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發。
光刻膠技術突破加速,對芯片制造行業有哪些影響?大連LED光刻膠品牌
負性光刻膠生產廠家。中山PCB光刻膠價格
廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領域的需求。
厚板光刻膠:JT-3001 型號,具有優異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,符合歐盟 ROHS 標準,保質期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,如特定電路板制造。
負性光刻膠
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SU-3 負性光刻膠:分辨率優異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應,重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。
正性光刻膠
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LCD 正性光刻膠 YK-200:具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力,重量 100g。適用于液晶顯示領域的光刻工藝,確保 LCD 生產中圖形精確轉移和良好涂布效果。
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半導體正性光刻膠 YK-300:具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性,重量 100g。主要用于半導體制造工藝,滿足半導體器件對光刻膠在化學穩定性和電氣性能方面的要求。