對表面散熱的計算還可以采用公式法，本文中的公式法源于《化工原理》中的傳熱學部分，對于具體傳熱系數的計算方法則來自于拉法基集團水泥工藝工程手冊及拉法基集團熱工計算工具中使用的經驗計算公式。公式法將表面散熱分為輻射散熱和對流散熱分別進行計算，表面的總熱損失是輻射和對流損失的總和：Q總=Q輻射+Q對流。1）紅外熱像儀輻射散熱而言，附件物體的表面會把所測外殼的熱輻射反射回外殼，從而減少了熱量的傳遞，輻射熱量的減少量取決于所測外殼的大小、形狀、發射率和溫度。所測殼體的曲面以及殼體大小、形狀和距離將影響可視因子，這里所說的可視因子是指可以被所測外殼“看到”的附件物體表面的比例。即使對于相對簡單的形狀，可視因子的計算也變得相當復雜，因此必須進行假設以簡化計算。紅外熱像儀的圖像是否可以進行后期處理？人體測溫紅外熱像儀支架

熱釋電探測器是基于一種與溫度有關的自發電極化（或電偏振）材料制作的，這種材料被稱作熱釋電材料。在熱平衡條件下，電非對稱性可由自由電荷補償，因而熱釋電探測器無信號。當外界溫度變化過快時，這種電非對稱性將無法得到補償，電信號就這樣產生了。其它熱探測器都是直接探測溫度的***值，而熱釋電探測器則是探測溫度的變化量，它是一種交流型器件。熱釋電材料總體可分為單晶、聚合物和陶瓷三種類型。熱釋電探測器因其獨特的性質而在光譜學、輻照度學、遠距離溫度測量、紅外熱像儀方向遙感等方面得到了重要的應用。DIAS紅外熱像儀樣品紅外熱像儀到底能測多遠、多小的目標？

截止目前,紅外熱像儀HgCdTe材料依舊是制作高性能IR光子探測器的比較好的材料?與InGaAs類似,HgCdTe也是一種三元系半導體化合物,其帶隙也會隨組分的改變而改變,借此HgCdTe探測器可覆蓋1-22μm的超寬波段?HgCdTe探測器在NIR?MIR和LWIR三個波段都能表現出十分優異的性能,所以它問世不久便成為了IR探測器大家族中的霸主?然而,隨著近些年InGaAs探測器的興起,HgCdTe探測器在NIR波段的地位日趨下降;在MIR波段,雖然InSb探測器的探測率不如HgCdTe探測器,但由于InSb的材料生長技術比HgCdTe成熟,HgCdTe探測器在該波段已達不到一家獨大的地步;對于LWIR波段,HgCdTe探測器仍具有很強的統治地位?

由于大尺寸HgCdTe FPA探測器的制作成本居高不下,QWIP FPA探測器被寄予厚望,因而發展迅速?在LWIR波段,目前QWIP FPA探測器的性能足以與**的HgCdTe相媲美?QWIP也存在一些缺點:因存在與子帶間躍遷相關的基本限制,QWIP需要的工作溫度較低(一般低于液氮溫度)，QWIP的量子效率普遍很低?一般而言,PC探測器的響應速度比PV慢,但QWIP PC探測器的響應速度與其它PV紅外熱像儀相當,所以大規模QWIP FPA探測器也被研制了出來?與HgCdTe—樣,QWIP FPA探測器也是第三代IR成像系統的重要成員,這類探測器在民用與天文等領域都有著大量的使用案例?在電力行業，很早就將紅外熱像儀運用于設備的安全檢。

紅外測溫儀：在對物體進行測量時只能測一個點，可以把它認為成只有一個像素的熱像儀，因此其顯示目標上單個點的溫度測量值。小貼士提醒:在知道準確的位置要進行近距離檢測時，紅外測溫儀經濟實惠并具有出色的性能。面對以下情況時，建議優先考慮紅外熱像儀。NO.2進行小目標測量紅外測溫儀光斑尺寸的同時就限制了需在近距離情況下測量小物體溫度的能力。但要測量極小的元件時，則需要搭配特寫光學元件（微距鏡頭）的紅外熱像儀能聚焦到每像素光斑尺寸小于5μm，這樣更有利于被測物件得到準確的測量結果。紅外線熱像儀靈敏度高，如保溫杯、熱飯盒等都能監測出來，并將定位在發熱點，監測精度高。testo 885紅外熱像儀推薦貨源

紅外熱像儀是否可以用于建筑和房屋檢測？人體測溫紅外熱像儀支架

紅外熱像儀具有許多優點，如非接觸式測量、響應速度快、測量范圍廣等。它可以測量難以接近或高溫物體的溫度，無需破壞被測物體，因此在各個領域得到了很廣的應用。然而，紅外熱像儀也存在一些限制，如受到環境溫度、濕度、氣體成分等因素的影響，可能導致測量精度下降。此外，不同物體的發射率也會影響紅外熱像儀的測量結果。因此，在使用紅外熱像儀時，需要根據實際情況進行校準和修正，以獲得更準確的溫度信息。總的來說，紅外熱像儀是一種功能強大、應用很廣的溫度測量設備。隨著技術的不斷發展，紅外熱像儀的性能將不斷提升，為各個領域提供更精確、更便捷的溫度測量解決方案。人體測溫紅外熱像儀支架