單細胞分選需要復雜的流體動力學控制結構，傳統光刻難以實現多尺度結構集成。Polos 光刻機的分層曝光功能，在同一片芯片上制備出 5μm 窄縫的細胞捕獲區與 50μm 寬的廢液通道，通道高度誤差控制在 ±2% 以內。某細胞生物學實驗室利用該芯片，將單細胞分選通量提升至 1000 個 / 秒，分選純度達 98%，較傳統流式細胞儀體積縮小 90%。該技術已應用于循環tumor細胞檢測，使稀有細胞捕獲效率提升 3 倍，相關設備進入臨床驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。光學超材料突破：光子晶體結構precise制造，賦能超透鏡與隱身技術研究。北京POLOSBEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

Polos光刻機與弗勞恩霍夫ILT的光束整形技術結合，可定制激光輪廓以優化能量分布，減少材料蒸發和飛濺，提升金屬3D打印效率7。這種跨領域技術融合為工業級微納制造（如光學元件封裝）提供新思路，推動智能制造向高精度、低能耗方向發展Polos系列broad兼容AZ、SU-8等光刻膠，通過優化曝光參數（如能量密度與聚焦深度）實現不同材料的高質量加工。例如，使用AZ5214E時，可調節光束強度以減少側壁粗糙度，提升微結構的功能性。這一特性使其在生物相容性器件（如仿生傳感器）中表現outstanding26。吉林BEAM-XL光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸雙光子聚合擴展：結合Nanoscribe技術實現3D微納打印，拓展微型機器人制造。

針對碳化硅（SiC）功率模塊的柵極刻蝕難題，Polos 光刻機的激光直寫技術實現了 20nm 的邊緣粗糙度控制，較傳統光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設備，將 SiC MOSFET 的導通電阻降低 15%，開關損耗減少 20%，推動車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗證新型柵極結構，使器件研發周期從 12 周壓縮至 4 周，助力我國在第三代半導體領域實現彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。

在tumor轉移機制研究中，某tumor研究中心利用 Polos 光刻機構建了仿生tumor微環境芯片。通過無掩模激光光刻技術，在 PDMS 基底上制造出三維tumor血管網絡與間質纖維化結構，其中血管直徑可精確控制在 10-50μm。實驗顯示，該芯片模擬的tumor微環境中，tumor細胞遷移速度較傳統二維培養提升 2.3 倍，且化療藥物滲透效率降低 40%，與臨床數據高度吻合。該團隊通過軟件實時調整通道曲率和細胞外基質密度，成功復現了tumor細胞上皮 - 間質轉化（EMT）過程，相關成果發表于《Cancer Research》，并被用于新型抗轉移藥物的篩選平臺開發。亞微米級精度：0.8 μmmost小線寬，支持高精度微流體芯片與MEMS器件制造。

某revolution生物醫學研究機構致力于開發快速、precise的疾病診斷技術。在研發一種用于早期tumor篩查的微流體診斷芯片時，采用了德國 Polos 光刻機。利用其無掩模激光光刻技術，科研團隊成功制造出擁有復雜微通道網絡的芯片。這些微通道能精確控制生物樣本與檢測試劑的混合及反應過程，極大提高了檢測的靈敏度和準確性。以往使用傳統光刻技術制備此類芯片，不only周期長，且精度難以保證。而 Polos 光刻機使制備周期縮短了近三分之一，助力該機構在tumor早期診斷研究上取得重大突破，相關成果已發表在國際authority醫學期刊上。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。光刻膠broad兼容：支持AZ5214E、SU-8等材料，優化參數降低側壁粗糙度。吉林BEAM-XL光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接導入，微流控芯片制備周期縮短 40%。北京POLOSBEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉移，Polos 光刻機的激光直寫技術避免了傳統濕法轉移的污染問題。某納米電子實驗室在 SiO?基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場效應晶體管，其電子遷移率達 2×10? cm2/(V?s)，接近理論極限。該技術支持快速構建多種二維材料異質結，使器件研發效率提升 5 倍，相關成果推動二維材料在柔性電子、量子計算領域的應用研究進入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。北京POLOSBEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米