針對第三代半導體材料（SiC/GaN）的減薄需求，優普納砂輪適配6吋、8吋晶圓，滿足襯底片粗磨、精磨全流程。以東京精密HRG200X設備為例，6吋SiC線割片采用2000#砂輪粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂輪，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV穩定在2μm以下。DISCO設備案例中，8吋晶圓精磨后TTV≤2μm，適配性強，可替代日本、德國進口產品。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。在8吋SiC線割片的精磨加工中，優普納砂輪于DISCO-DFG8640減薄機上實現磨耗比200%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。碳化硅減薄砂輪加工

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，憑借其高性能陶瓷結合劑和“Dmix+”制程工藝，在第三代半導體材料加工領域樹立了新的目標。這種獨特的結合劑配方不只賦予了砂輪強度高和韌性，還通過多孔顯微組織的設計，實現了高研削性能和良好的散熱效果。在實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優普納的砂輪都能保持穩定的性能，減少振動和損傷，確保加工后的晶圓表面質量優異。這種技術優勢不只滿足了半導體制造的需求，還為國產化替代提供了堅實的技術支持。高性能砂輪報價優普納砂輪的低磨耗比優勢，不僅降低客戶成本，還保證加工后的晶圓表面質量，是高性價比的國產化替代方案。

在半導體制造領域，晶圓襯底的材質多種多樣，包括單晶硅、多晶體、藍寶石、陶瓷等。不同材質的晶圓對襯底粗磨減薄砂輪的要求也不同。江蘇優普納科技有限公司擁有豐富的砂輪制造經驗和技術實力，能夠根據客戶的具體需求，提供定制化的砂輪解決方案。無論是硬度較高的碳化硅晶圓，還是脆性較大的氮化鎵晶圓，我們都能提供合適的砂輪，確保在粗磨過程中獲得更佳的加工效果。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。

優普納砂輪以國產價格提供進口品質，單次加工成本降低40%。例如，進口砂輪精磨8吋SiC晶圓磨耗比通常超過250%，而優普納產品只需200%，且Ra≤3nm的精度完全滿足5G、新能源汽車芯片制造需求。客戶反饋顯示，國產替代后設備停機更換頻率減少50%，年維護成本節省超百萬元。針對不同設備（如DISCO-DFG8640、東京精密HRG200X），優普納提供基體優化設計砂輪，增強冷卻液流動性，減少振動。支持定制2000#至30000#磨料粒度，適配粗磨、半精磨、精磨全工藝。案例中，6吋SiC晶圓使用30000#砂輪精磨后TTV≤2μm，表面質量達國際先進水平。從材料特性分析到加工工藝定制，優普納為客戶提供全方面的解決方案，確保不同應用場景下的高效性和穩定性。

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，以其優越的**低損耗特性**，為客戶節省了大量的成本。其獨特的多孔顯微組織調控技術，使得砂輪在高磨削效率的同時，磨耗比極低。在實際應用中，6吋SiC線割片的磨耗比只為15%，而8吋SiC線割片的磨耗比也只為35%。這意味著在長時間的加工過程中，砂輪的磨損極小，使用壽命更長。低損耗不只體現在砂輪本身的使用壽命上，還體現在加工后的晶圓表面質量上，損傷極小，進一步提升了產品的性價比，助力優普納在國產化替代進程中占據優勢。優普納碳化硅晶圓減薄砂輪，以高精度、低損耗，成為國產碳化硅減薄砂輪市場的先行者 推動產業技術升級。高性能砂輪報價

在6吋和8吋SiC線割片的加工中，優普納砂輪均展現出優越性能，無論是粗磨還是精磨，達到行業更高加工標準。碳化硅減薄砂輪加工

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，憑借其高性能陶瓷結合劑和“Dmix+”制程工藝，在第三代半導體材料加工領域樹立了新的目標。這種獨特的結合劑配方不只賦予了砂輪強度高和韌性，還通過多孔顯微組織的設計，實現了高研削性能和良好的散熱效果。在實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優普納的砂輪都能保持穩定的性能，減少振動和損傷，確保加工后的晶圓表面質量優異。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。碳化硅減薄砂輪加工