在第三代半導體材料加工領域，江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪憑借其高精度加工能力脫穎而出。采用專研的強度高微晶增韌陶瓷結合劑，砂輪在磨削過程中展現出優越的穩定性，能夠有效減少振動，確保加工后的晶圓表面粗糙度極低。無論是6吋還是8吋的SiC線割片，使用優普納砂輪加工后，表面粗糙度Ra值均能達到納米級別，總厚度變化TTV控制在微米級別以內。這種高精度的加工能力，不只滿足了半導體制造的需求，也為優普納在國產碳化硅減薄砂輪市場奠定了堅實的基礎，助力其品牌形象進一步鞏固。在實際應用中，優普納砂輪展現出的高精度、低損耗和強適配性，使其成為半導體加工領域不可或缺的高效工具。進口替代砂輪規格

隨著碳化硅功率器件在新能源汽車中的普及，優普納砂輪已成功應用于多家頭部車企的芯片供應鏈。例如，某800V高壓平臺電驅模塊的SiC晶圓減薄中，優普納30000#砂輪精磨后Ra≤3nm，TTV≤2μm，芯片導通損耗降低15%。客戶反饋顯示，國產砂輪在加工一致性與成本控制上遠超進口競品，單條產線年產能提升30%，為車規級芯片國產化奠定基礎。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。SiC砂輪實驗數據優普納砂輪于東京精密-HRG200X減薄機上，對8吋SiC線割片進行粗磨，磨耗比35%，Ra≤30nm，TTV≤3μm。

在半導體制造等精密加工領域，精磨減薄砂輪發揮著舉足輕重的作用。其工作原理基于磨料的磨削作用，通過砂輪高速旋轉，磨粒與工件表面產生強烈摩擦，從而實現材料的去除與減薄。以江蘇優普納科技有限公司的精磨減薄砂輪為例，在碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料的加工中，砂輪中的磨粒憑借自身極高的硬度，切入堅硬且脆性大的半導體材料表面。磨粒的粒度分布經過精心設計，從粗粒度用于高效去除大量材料，到細粒度實現精密的表面修整，整個過程如同工匠精心雕琢藝術品。在磨削過程中，結合劑的作用不可或缺，它牢牢把持磨粒，使其在合適的時機發揮磨削功能，同時又能在磨粒磨損到一定程度時，適時讓磨粒脫落，新的鋒利磨粒得以露出，這一過程被稱為砂輪的自銳性。優普納的砂輪在結合劑的研發上投入大量精力，通過優化結合劑配方，實現了磨粒把持力與自銳性的完美平衡，確保在長時間的磨削作業中，砂輪始終保持穩定且高效的磨削性能，為半導體晶圓的高質量減薄加工奠定堅實基礎。

江蘇優普納碳化硅減薄砂輪憑借超細金剛石磨粒與高自銳性設計，在第三代半導體晶圓加工中實現低損傷、低粗糙度的行業突破。以DISCO-DFG8640設備為例，精磨8吋SiC線割片時，砂輪磨耗比達200%，表面粗糙度Ra≤3nm，TTV精度≤2μm，完全滿足5G芯片、功率器件對晶圓平整度的嚴苛要求。對比進口砂輪，優普納產品在相同加工條件下可減少磨削熱損傷30%，明顯提升晶圓良率，尤其適用于新能源汽車電驅模塊等高附加值領域。歡迎您的隨時致電咨詢。通過優化砂輪的基體設計，優普納產品有效減少加工過程中的振動，提升加工精度，增強冷卻效果 延長使用壽命。

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，以其高精度加工能力成為第三代半導體材料加工的理想選擇。其專研的強度高微晶增韌陶瓷結合劑和多孔顯微組織調控技術，賦予了砂輪優越的穩定性，能夠有效減少振動，確保加工后的晶圓表面粗糙度極低。在東京精密-HRG200X減薄機的實際應用中，6吋和8吋SiC線割片的加工結果顯示，表面粗糙度Ra值和總厚度變化TTV均達到了行業先進水平。這種高精度的加工能力，不只滿足了半導體制造的需求，也為優普納在國產碳化硅減薄砂輪市場奠定了堅實的基礎，助力其品牌形象進一步鞏固。優普納碳化硅晶圓減薄砂輪在性能和質量上不斷突破，為國產半導體加工設備及耗材的自主可控發展貢獻力量。晶圓減薄砂輪標準

在8吋SiC線割片的精磨加工中，優普納砂輪于DISCO-DFG8640減薄機上實現磨耗比200%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。進口替代砂輪規格

優普納的多孔砂輪顯微組織調控技術，通過優化砂輪內部孔隙率與分布，大幅提升冷卻液滲透效率，解決傳統砂輪因散熱不足導致的晶圓微裂紋問題。在東京精密HRG200X設備上，6吋SiC晶圓粗磨時，砂輪磨耗比只15%，且加工過程中溫升降低40%，表面粗糙度穩定在Ra≤30nm。該技術不只延長砂輪壽命20%，還可適配高轉速磨床，助力客戶實現高效、低成本的批量生產。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。進口替代砂輪規格