多節鋰電保護產品功能-全保護7?10串鋰離子/鋰聚合物電池二級保護推挽,次級保護IC7?10串鋰離子/鋰聚合物電池保護ICXBM7102系列是一種高度集成的保護芯片,旨在保護7至10串鋰離子或鋰聚合物電池。它可以降低電池損壞或壽命縮短的。XBM7102系列可提供過度充電,過度放電,開放線和充電/discharge過度保護。充電/放電低溫保護。可以通過外部電阻**設置XBM7102系列的超高保護閾值/過度保護閾值和放電閾值。XBM7102系列可以直接驅動。多節鋰電保護產品功能-全保護7?10串鋰離子/鋰聚合物電池二級保護推挽,次級保護IC7?10串鋰離子/鋰聚合物電池保護ICXBM7102系列是一種高度集成的保護芯片,旨在保護7至10串鋰離子或鋰聚合物電池。它可以降低電池損壞或壽命縮短的。XBM7102系列可提供過度充電,過度放電,開放線和充電/discharge過度保護。充電/放電低溫保護。可以通過外部電阻**設置XBM7102系列的超高保護閾值/過度保護閾值和放電閾值。XBM7102系列可以直接驅動。 XF5131是賽芯退出的一款集成充電管理、鋰電池保護、低功耗二合一芯片。廣州2e1EAB賽芯方案公司
XBM5244 用于3-4串鋰電池的保護芯片,芯片內置高精度電壓檢測電路和電流檢測電路,支持電池過充電、過放電、充電過電流、放電過電流和短路保護功能,具備25mV過充電檢測精度,3~4串集成均衡/NTC/Sense/SSOP16 概述鋰電池具備電壓高、能量密度大、循環壽命長等優點,在各種需要儲能的場景都有廣泛應用。但對于鋰電池而言,過充、過放、過壓、過流等情況都會導致電池異常,影響電池使用壽命。因此,多串鋰電池需要保護IC來監控和保護電池,避免出現危險狀況汕頭XBM3204DBA賽芯內置MOS 兩節鋰保芯納科技、鋰電池充電管理XA4246。
小家電/電動工具應用領域:電動牙刷充電:電動牙刷通常需要定期充電,且使用頻率較高。DS3056B快充充電管理SOC可支持其充電,提高使用便利性。例如,用戶在早上發現電動牙刷電量不足時,利用其快充功能,能在短時間內完成充電,不影響正常使用。手持吸塵器充電:手持吸塵器在使用后電量消耗較大,需要補充電量以便下次使用。該SOC可以為手持吸塵器設計快充方案,使其充電時間大幅縮短,提高清潔效率。電鉆充電:在建筑裝修或家居維修場景中,電鉆使用頻繁,電量消耗快。DS3056B能滿足電鉆的快充需求,減少充電等待時間,提高工作效率。電鋸充電:電鋸在木材加工等行業應用,其工作強度大,電量消耗迅速。該SOC可為電鋸提供充電管理,確保電鋸能夠工作狀態。芯納科技專注代理電源芯片和電子元器件13年。提供的產品和方案包括:移動電源SOC、多口快充SOC、快充充電管理SOC、電源管理芯片、鋰電池充電管理、鋰電保護、DC轉換器、MOS等。為客戶的成長與發展竭誠服務,當好供求間之橋梁,謀求產業鏈的共同發展!
單路??2~6串升降壓??30~100WDC移動電源??SOCDS-6066是針對DC應用場景開發的一款高集成、多協議雙向快充DC移動電源應用??SOC,集成了同步開關升降壓變換器、支持??2~6節電池串聯,支持??30~100W功率選擇,支持??A+A+Cinout+Cinout任意口快充,支持??DC插入自識別并雙向充放電,支持??CC-CV切換,支持??,集成電池充放電管理模塊、電量計算模塊、顯示模塊,并提供輸入/輸出的過壓/欠壓,電池過充/過放、NTC過溫、放電過流、輸出短路保護等保護功能。2.應用領域空調服,加熱服,移動電源其他電池供電的DC應用設備。 太陽能板供電的鋰電池、磷酸鐵鋰電池充電管理芯片。
船運模式 XBM325 兩串鋰電池保護芯片介紹35W以內 2串鋰保集成MOS 內置均衡 船運模式:對兩節節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護,同時具備電池反接保護功能,這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護閾值調節:保護芯片功能基本保護功能:對兩節節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護,同時具備電池反接保護功能,這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護閾值調節,可組成一個充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路,鋰電池就可以實現邊充邊放的功能4-7串鋰電池保護 XBM5774 級聯功能/集成均衡/NTC/Sense/SSOP24。南京XBM5774 賽芯原廠
太陽能充電管理方案芯片。廣州2e1EAB賽芯方案公司
PCBLayout參考---兩顆芯片并聯兩個同型號的鋰電保護可以直接并聯,實現幾乎是直接翻倍的帶載能力,降低內阻,提高效率,但布板清注意:①兩個芯片盡量對稱,直接跨接在B-和大地上。②B-和VM盡量大面積鋪地,減小布線內阻和加強散熱。③,每片鋰電保護IC都需要一個。100Ω電阻**好共用一顆電阻,并且布的離VDD近些,盡量與兩個芯片距離差不都。④VDD采樣線可以略長些,也無需多粗,但需要繞開干擾源-VDD采樣線里面沒有大電流。PCBLayout參考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封裝較小,PCB板上,封裝焊盤略大一些,避免虛焊。②,走線經過電阻后,先經過電容再到芯片的VDD。③電容的GND盡量短的回到芯片的GND,使整個電容環路**小。④芯片的GND(B-)到VM建議預留一個C2()電容位置,C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。⑤芯片的EPAD,建議連接芯片的GND(B-)或者懸空。 廣州2e1EAB賽芯方案公司