船運(yùn)模式 XBM325 兩串鋰電池保護(hù)芯片介紹35W以內(nèi)  2串鋰保集成MOS  內(nèi)置均衡  船運(yùn)模式：對兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)：保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能：對兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)，可組成一個(gè)充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實(shí)現(xiàn)邊充邊放的功能多節(jié)鋰電保護(hù)芯片(三元/磷酸鐵鋰)XBM5244 均衡,推挽,充電過流檢測.3-4串XBM4X30 開漏，次級保護(hù)。北京DS3056賽芯內(nèi)置MOS 兩節(jié)鋰保

XBM2138內(nèi)置MOS內(nèi)置均衡器高精度電壓檢測電路和延時(shí)電路，用于2節(jié)串聯(lián)鋰離子/鋰聚合物可再充電電池的保護(hù)。適合對2節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)。各延遲時(shí)間由內(nèi)部電路設(shè)置（不需外接電容），連接充電器的端子采用高耐壓設(shè)計(jì)（CS端子和OC端子，***額定值是33V），還具備向0V電池充電功能，可選擇允許或禁止。內(nèi)置MOS在高負(fù)載時(shí)可能發(fā)熱，需優(yōu)化PCB散熱（如增加銅箔面積） 內(nèi)置MOS，集成均衡功能深圳XBM4451賽芯內(nèi)置MOS 兩節(jié)鋰保充電管理芯片、LED驅(qū)動(dòng)芯片、直流 - 直流轉(zhuǎn)換芯片、溫度開關(guān)芯片、電池放電管理芯片。

鋰電保護(hù)應(yīng)用原理圖①按鋰電池保護(hù)芯片的典型原理圖設(shè)計(jì)，鋰電保護(hù)的GND接電池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②帶EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），請嚴(yán)格按照規(guī)格書中的典型原理圖來做。③鋰電池保護(hù)芯片帶VT腳的，VT腳通常可接芯片GND（B-），或者懸空。④典型應(yīng)用圖中的100Ω/1KΩ電阻與，濾除電池電壓的劇烈波動(dòng)和外部強(qiáng)烈電壓干擾，使得VDD電壓盡量穩(wěn)定，該電阻和電容缺一不可，缺少任何一個(gè)都會(huì)有少燒芯片的可能，增加生產(chǎn)的不良率（XB5432不加電容）。不同IC的電阻取值有差異，請根據(jù)***版的Datesheet的典型應(yīng)用圖或FAE的建議選擇電阻的取值。⑤馬達(dá)應(yīng)用、LED照明應(yīng)用、射頻干擾應(yīng)用、負(fù)載電流劇烈變化的應(yīng)用如音頻功放等，可能需要增大RC濾波的網(wǎng)絡(luò)的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比較大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之間靠近管腳加一個(gè)，可以增強(qiáng)鋰電保護(hù)電路的系統(tǒng)級ESD，增強(qiáng)對尖峰電壓等外部信號的抗干擾能力。⑦鋰電保護(hù)芯片可并聯(lián)使用，減小內(nèi)阻，增強(qiáng)持續(xù)電流，多芯片并聯(lián)使用時(shí)，芯片VDD的RC網(wǎng)絡(luò)，電阻可共用，但電容須要一個(gè)保護(hù)芯片配一個(gè)電容。

    級聯(lián)是串聯(lián)還是并聯(lián)在電氣工程領(lǐng)域，特別是防雷技術(shù)中，級聯(lián)策略被視為確保電氣系統(tǒng)安全運(yùn)行的關(guān)鍵。級聯(lián)，無論是串聯(lián)還是并聯(lián)，都是將多個(gè)組件或系統(tǒng)按特定方式連接起來以實(shí)現(xiàn)更高性能、可靠性或效率的方法1。串聯(lián)級聯(lián)串聯(lián)級聯(lián)是指將設(shè)備首尾相連，電流依次流過每個(gè)設(shè)備。這種設(shè)計(jì)能避**一防雷器因過載而失效的。包括逐級降壓，確保雷電流在到達(dá)敏感設(shè)備前被逐步削減，減少對末端設(shè)備的影響；冗余保護(hù)，即使某一級防雷器出現(xiàn)故障，后續(xù)級別的保護(hù)依然，提高了系統(tǒng)的整體可靠性1。并聯(lián)級聯(lián)并聯(lián)級聯(lián)則是在同一節(jié)點(diǎn)部署多個(gè)防雷器，它們共同承擔(dān)雷電流的沖擊。這種策略特別適用于高流量和高能量的環(huán)境，如大型數(shù)據(jù)中心或工業(yè)設(shè)施。包括快響應(yīng)，可以同時(shí)處理雷電流，***縮短了系統(tǒng)響應(yīng)時(shí)間，提高了防護(hù)效率；負(fù)載均衡，多個(gè)防雷器共享負(fù)載，減少了單個(gè)設(shè)備的壓力，延長了設(shè)備壽命1。結(jié)論綜上所述，級聯(lián)既可以是串聯(lián)也可以是并聯(lián)，具體取決于應(yīng)用場景和設(shè)計(jì)需求。在防雷系統(tǒng)中，串聯(lián)級聯(lián)和并聯(lián)級聯(lián)各有優(yōu)缺點(diǎn)。 XL1507、XL1509、XL2596、XL2576。

    在當(dāng)今以電子設(shè)備為主導(dǎo)的時(shí)代，鋰電池作為一種**、輕便的能源存儲(chǔ)裝置，被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、筆記本電腦、電動(dòng)汽車等眾多領(lǐng)域。而在鋰電池的安全運(yùn)行中，鋰電池保護(hù)IC起著至關(guān)重要的作用。鋰電池保護(hù)IC，即鋰電池保護(hù)集成電路，是專門為保護(hù)鋰電池而設(shè)計(jì)的一種芯片。它的主要作用是監(jiān)測鋰電池的工作狀態(tài)，并在出現(xiàn)異常情況時(shí)及時(shí)采取措施，以防止鋰電池發(fā)生過充、過放、過流和短路等危險(xiǎn)情況。首先，鋰電池保護(hù)IC可以防止過充電。當(dāng)鋰電池在充電過程中，電壓會(huì)逐漸升高。如果充電電壓過高，可能會(huì)導(dǎo)致鋰電池內(nèi)部發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，甚至引發(fā)等危險(xiǎn)情況。鋰電池保護(hù)IC會(huì)實(shí)時(shí)監(jiān)測鋰電池的充電電壓，一旦發(fā)現(xiàn)電壓超過設(shè)定的安全值，就會(huì)立即切斷充電電路，從而避免過充電的發(fā)生。其次，保護(hù)IC能夠防止過放電。當(dāng)鋰電池在放電過程中，電壓會(huì)逐漸降低。如果放電電壓過低，可能會(huì)導(dǎo)致鋰電池內(nèi)部的電極材料受損，影響鋰電池的使用壽命。鋰電池保護(hù)IC會(huì)監(jiān)測鋰電池的放電電壓，當(dāng)電壓低于設(shè)定的安全值時(shí)，就會(huì)切斷放電電路，防止過放電的發(fā)生。此外，鋰電池保護(hù)IC還可以防止過流和短路。在使用鋰電池的過程中，如果出現(xiàn)短路或過大的電流，可能會(huì)導(dǎo)致鋰電池發(fā)熱、起火甚至。移動(dòng)電源SOC DS6036B+EPP無線充 30W 2串移動(dòng)電源+無線充.廣州DS2730賽芯原廠

XF5131是賽芯退出的一款集成充電管理、鋰電池保護(hù)、低功耗二合一芯片。北京DS3056賽芯內(nèi)置MOS 兩節(jié)鋰保

    降壓型C+CA多口快充SOC  DS2730數(shù)據(jù)手冊—降壓型C+CA多口快充SOC  DS2730集成了過壓/欠壓保護(hù)、過流保護(hù)、過溫保護(hù)、短路保護(hù)功能。?過壓/欠壓保護(hù)：放電過程中，DS2730實(shí)時(shí)監(jiān)測輸入/輸出電壓，并和預(yù)設(shè)的閾值電壓比較。如果電壓高于過壓閾值或低于欠壓閾值，且維持時(shí)間達(dá)到一定長度時(shí)，芯片關(guān)閉放電通路。?過流保護(hù)：放電過程中，利用內(nèi)部的高精度ADCADC，實(shí)時(shí)監(jiān)測流經(jīng)采樣電阻的電流。當(dāng)電流大于預(yù)設(shè)的過流閾值時(shí)，首先降低輸出功率；如果降低功率后仍然持續(xù)過流，則觸發(fā)過流保護(hù)，芯片自動(dòng)關(guān)閉放電通路。?過溫保護(hù)：放電過程中，利用連接在TS管腳上的NTCNTC，實(shí)時(shí)監(jiān)測芯片自身的溫度或應(yīng)用方案中關(guān)鍵元件的溫度（例如，MOS管）。當(dāng)溫度超出預(yù)設(shè)的保護(hù)門限時(shí)，降低放電功率。?短路保護(hù)：放電過程中，實(shí)時(shí)檢測VBUS的電壓和放電電流。發(fā)生VBUSBUS輸出短路時(shí)，自動(dòng)關(guān)閉放電通路。 北京DS3056賽芯內(nèi)置MOS 兩節(jié)鋰保