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雙向可控硅可被認為是一對反并聯連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2， 一個門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發導通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負觸發脈沖都...

目前只能通過IGBT高壓串聯等技術來實現高壓應用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國的EUPEC生產的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經獲得實際應用，日本東芝也已涉足該領域。與此同時，各大半導體生產廠商不...

一、電化學工業這是應用整流變**多的行業，電解有色金屬化合物以制取鋁、鎂、銅及其它金屬；電解食鹽以制取氯堿；電解水以制取氫和氧。二、牽引用直流電源用于礦山或城市電力機車的直流電網。由于閥側接架空線，短路故障較多，直流負載變化輻度大，電機車經常起動，造成不同程度...

觸發電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右，觸發電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發 電壓不宜超過10V，峰值觸發電流也不宜超過 2A。A、K 間導通壓降為 1-2V [1]。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。雙...

右圖給出三相橋式不控整流電路示意圖，變壓器一次側繞組為三角形連接，二次側繞組為星形連接。六個整流二極管按其導通順序排列，VD1、VD3、VD5三個二極管構成共陰極三相半波整流，VD2、VD4、VD6三個二極管構成共陽極三相半波整流，電感L和電阻R串聯成阻感負載...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發”的過程，對可控硅來說，觸發信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經觸發導通后，...

2．變壓器設計的基本問題是什么？變壓器設計的基本問題是磁通和電流密度。變壓器的電流與容量成正比，電流密度的大小（即導線的粗細）按照導體的發熱量來考慮。對于磁通，電磁學的基本關系式為u=4.44fwΦ，其中u為電壓；f為頻率，在這里為50Hz，定值；w為線圈的匝...

2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發，且觸發電壓低（或觸發電流小）。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅...

由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點：1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子...

1. 普通晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，普通晶閘管都處于關斷狀態。 2. 普通晶閘管承受正向陽極電壓時，*在門極承受正向電壓的情況下普通晶閘管才導通。 3. 普通晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，普通晶閘管保...

4、故障解除：當整流器故障時，發出燈光報警信號并停機，操作人員應在排除故障以后可 合閘，否則將擴大故障范圍，造成更大損失，故障排除后，可將 K 主令開關置一下，除去電 笛聲，排除故障后，然后按正常運行程序開機。5、起動后，直流輸出電壓或電流達不到額定值則丟脈沖...

。不同的控制策略可以容易的被實現，特別是那些涉及外部輔助信號以顯著提高系統性能的控制。參考電壓和電流斜率都能夠用簡單的方式加以控制。由于TCR型SVC本質上是模塊化的，因此通過追加更多的TCR模塊就能達到擴容的目的，當然前提是不能超過耦合變壓器的容量。TCR不...

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。可控硅開關（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅...

b、主電路用螺絲擰緊，控制極g要用插件，盡可能不用焊接方式。c、裝卸時應采用接地工作臺，接地地面，接地腕帶等防靜電措施。 d、儀器測量時，將1000電阻與g極串聯。e、要在無電源時進行安裝。f,焊接g極時，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵**合適。當手工焊...

（3）器身：器身絕緣墊塊均采用**度的層壓木和層壓紙板支撐，使繞組的端部的支撐面積達到95%以上，進一步提高了產品抗短路能力，提高產品的運行可靠性。器身與箱蓋的連接采用了呆板帶緩沖結構，克服了器身“懸空”和“頂蓋”現象。絕緣材料均采用**度、高密度電纜紙包繞，...

目前只能通過IGBT高壓串聯等技術來實現高壓應用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國的EUPEC生產的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經獲得實際應用，日本東芝也已涉足該領域。與此同時，各大半導體生產廠商不...

當控制極G接收到觸發信號時，晶閘管會從截止狀態轉變為導通狀態。值得注意的是，一旦晶閘管導通，即使控制極信號消失，只要陽極和陰極間維持著正向電壓，它將繼續保持導通狀態，直到陽極電流降至維持電流以下或陽極出現反向偏置時，才會重新回到截止狀態。二、應用領域晶閘管模塊...

電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數的***、二、三層...

整流電路常用整流電路為單相半波、單相全波、三相半波、三相全波（Y或△）橋式、三相曲折式（Zo形）、六相Y形（中點接線）、六相叉形（又曲折形）、六相Y形并聯橋式（帶平衡電抗器）、六相△Y形串聯橋式、十二相四曲折形帶平衡電抗器、六相Y形或△形式、六相（十二、二十四...

廣泛應用于以下領域：直流拖動、軋鋼、電解、電鍍機床、造紙、紡織、勵磁、低壓大電流工業電爐等領域。整流器運行操作流程：1、接通交流電源，控制電源與主開關電源相序同步，將“2SA”按鈕置于啟動位置， “給定” 電位器旋至**小位置。2、合上交流接觸器、運行指示燈亮...

當晶閘管全部導通時，靜態閂鎖出現。只在關斷時才會出現動態閂鎖。這一特殊現象嚴重地限制了安全操作區。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現象，有必要采取以下措施：一是防止NPN部分接通，分別改變布局和摻雜級別。二是降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。此外，閂鎖...

常用的不控整流電路有四種。三相半波電路（圖2a）指在電源一個周期內有三個二極管輪流導電，就可得到三脈波整流電壓。該電路優點是接線簡單，但變壓器次級繞組的導電角*120°，因此繞組的利用率較低，而且電流是單方向的，它的直流分量形成直流安匝的磁通勢并產生較大的漏磁...

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。可控硅開關（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅...

在使用IGBT的場合，當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態)，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應在柵極與發射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程...

雙 向：Bi-directional(取***個字母)三 端：Triode(取***個字母)由以上兩組單詞組合成“BT”，也是對雙向可控硅產品的型號命名，典型的生產商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司，均以此來命名雙向可控硅。**型號如：PHIL...

（4）過載能力強：產品具有較強的過負載能力和過電壓能力，可在額定負載情況下長期安全運行，可在110%過電壓情況下滿負載長期安全運行（環境溫度40℃）；變壓器與電機相聯的端子上能承受1.5倍額定電流，歷時5S。產品設計、制造充分考慮負載特性，從溫升、絕緣性能及附...

TCR的作用就像一個可變電納，改變觸發角就可以改變電納值，因為所加的交流電壓是恒定的，改變電納值就可以改變基波電流，從而導致電抗器吸收無功功率的變化。但是，當觸發角超過90°以后，電流變為非正弦的，隨之就產生諧波。如果兩個晶閘管在正半波和負半波對稱觸發，就只會...

保護電路設計：設計過流和過壓保護電路，以防止晶閘管因過流或過壓而損壞。環境影響：工作環境溫度、濕度以及塵埃和污染都可能影響晶閘管的性能和使用壽命，需要采取相應的防護措施。電磁兼容性（EMC）：設計相應的電磁屏蔽和濾波電路來減小電磁干擾，并增強晶閘管的電磁抗性。...

IGBT是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、UPS、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR...

晶閘管模塊（Silicon Controlled Rectifier Module）是現代電力電子技術中的重要器件之一，以下是對其的詳細介紹：一、基本原理晶閘管模塊是一種將晶閘管與換流電路等集成在一起的產品，采用模塊化設計，便于安裝和使用。其**元件晶閘管本身...