反向電流反向電流是指二極管在常溫(25℃)和比較高反向電壓作用***過二極管的反向電流。反向電流越小,管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系,大約溫度每升高10℃,反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管,在25℃時反向電流若為25...
至于型號后綴字母的觸發電流,各個廠家的**含義如下:PHILIPS公司:D=5mA,E=10mA,C=15mA,F=25mA,G=50mA,R=200uA或5mA,型號沒有后綴字母之觸發電流,通常為25-35mA;PHILIPS公司的觸發電流**字母沒有統一的...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領域中已經得到廣泛的應用,在實際使用中除IGBT自身外,IGBT 驅動器的作用對整個換流系統來說同樣至關重要。驅動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統的可靠性。驅動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT ...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。...
②限流特性好,分斷能力高;③相對尺寸較小;NT系列熔斷器④價格較便宜。(2)熔斷器的主要缺點①故障熔斷后必須更換熔斷體;②保護功能單一,只有一段過電流反時限特性,過載、短路和接地故障都用此防護;③發生一相熔斷時,對三相電動機將導致兩相運轉的不良后果,當然可用帶...
大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極〔圖2(P型半導體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(以硅單晶為基本...
自復熔斷器是可多次動作使用的熔斷器,在日本稱為長久熔斷器。在分斷過載或短路電流后瞬間,熔體能自動恢復到原狀。自復熔斷器是可多次動作使用的熔斷器,在日本稱為長久熔斷器。在分斷過載或短路電流后瞬間,熔體能自動恢復到原狀 [1]。外殼由奧氏體不銹鋼制成,外殼中心埋有...
插入式熔斷器:它常用于380V及以下電壓等級的線路末端,作為配電支線或電氣設備的短路保護用。螺旋式熔斷器:熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到,它常用于機床電氣控制設備中。螺旋式熔斷器。分斷電流較大,可用于電壓...
在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極比較大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來傳送驅動信號,以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外,在柵極—發射極間開...
熔斷器的選擇主要依據負載的保護特性和短路電流的大小選擇熔斷器的類型。對于容量小的電動機和照明支線,常采用熔斷器作為過載及短路保護,因而希望熔體的熔化系數適當小些。通常選用鉛錫合金熔體的熔斷器。對于較大容量的電動機和照明干線,則應著重考慮短路保護和分斷能力。通常...
雙向可控硅屬于NPNPN五層器件,三個電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向導通,故除門極G以外的兩個電極統稱為主端子,用T1、T2表示,不再劃分成陽極或陰極。其特點是,當G極和T2極相對于T1,的電壓均為正時,T2是陽極,T1是陰極。反之,當G極和T2極...
二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 [1]。二極管有兩個電極,正極,又叫陽極;負極,又叫陰極,給二極管兩極間加上正向電壓時,二極管導通, 加上反向電壓時,二極管截止。 二極管的導通和截止,則相當于開關的接通與斷開 [2]。二極管具有單向導電...
光敏二極管是將光信號變成電信號的半導體器件。它的**部分也是一個PN結,和普通二極管相比,在結構上不同的是,為了便于接受入射光照,PN結面積盡量做的大一些,電極面積盡量小些,而且PN結的結深很淺,一般小于1微米。光敏二極管是在反向電壓作用之下工作的。沒有光照時...
對于鍺二極管,開啟電壓為0.2V,導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓,當電壓值較小時,電流極小,其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時,電流開始急劇增大,稱之為反向擊穿,稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓,用符號UBR表示。不同型號的二極管...
Philips公司的產品型號前綴為“BTA”字頭的,通常是指三象限的雙向可控硅。而意法ST公司,則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣組合成:“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號,如:三象限/絕緣型/雙向...
大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極〔圖2(P型半導體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(以硅單晶為基本...
路器一般由觸頭系統、滅弧系統、操作機構、脫扣器、外殼等構成。當短路時,大電流(一般10至12倍)產生的磁場克服反力彈簧,脫扣器拉動操作機構動作,開關瞬時跳閘。當過載時,電流變大,發熱量加劇,雙金屬片變形到一定程度推動機構動作(電流越大,動作時間越短)。有電子型...
熔斷器的選擇主要依據負載的保護特性和短路電流的大小選擇熔斷器的類型。對于容量小的電動機和照明支線,常采用熔斷器作為過載及短路保護,因而希望熔體的熔化系數適當小些。通常選用鉛錫合金熔體的熔斷器。對于較大容量的電動機和照明干線,則應著重考慮短路保護和分斷能力。通常...
高反向耐壓點接觸型二極管是比較大峰值反向電壓和比較大直流反向電壓很高的產品。使用于高壓電路的檢波和整流。這種型號的二極管一般正向特性不太好或一般。在點接觸型鍺二極管中,有SD38、1N38A、OA81等等。這種鍺材料二極管,其耐壓受到限制。要求更高時有硅合金和...
將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯.再將控制板與本觸發電路連接,就組成了一個簡單實用的大功率無級調速電路。這個電路的獨特之處在于可控硅控制極不需外加電源,只要將負載與本電路串聯后接通電源,兩個控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動直流電壓產生,調節電...
IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸...
因此,在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素,便形成了P型區和N型區,根據N型半導體和P型半導體的特性,可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異,電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散,它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。 [6]PN...
反向電流反向電流是指二極管在常溫(25℃)和比較高反向電壓作用***過二極管的反向電流。反向電流越小,管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系,大約溫度每升高10℃,反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管,在25℃時反向電流若為25...
點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后,再通過電流法而形成的。因此,其PN結的靜電容量小,適用于高頻電路。點接觸型與面結型相比,較少使用于大電流和整流。因為構造簡單,所以價格便宜。對于小信號的檢波、整流、調制、混頻和限幅等一般用途而言,它是應用...
全范圍熔斷器,由高分斷能力熔斷器和噴射式熔斷器串聯組成的熔斷器,把熔體分成比一般熔斷器多幾倍的并聯熔體的結構,分斷低過載電流至額定分斷電流的熔斷器。能可靠分斷低過載電流至額定分斷電流的熔斷器。全范圍熔斷器有3種結構形式:①由高分斷能力熔斷器和噴射式熔斷器串聯組...
IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸...
在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,如果超過此頻率,因元件開關損耗***增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用。可控硅...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。...
插入式熔斷器:它常用于380V及以下電壓等級的線路末端,作為配電支線或電氣設備的短路保護用。螺旋式熔斷器:熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到,它常用于機床電氣控制設備中。螺旋式熔斷器。分斷電流較大,可用于電壓...
Q 為柵極電荷,可參考IGBT模塊參數手冊。例如,常見IGBT驅動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,負電壓-9V,則U=24V,假設 F=10KHz,Q=2.8uC可計算出 P=0.67w ,柵極電阻應選取2W電阻,或2個1W電阻并聯。三、設置柵極電阻...