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肖特基二極管模塊基于金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理，具有低正向壓降（VF≈0.3-0.5V）和超快開關(guān)速度（trr<10ns）。其**優(yōu)勢包括：?高效率?：在48V服務(wù)器電源中，相比硅二極管模塊效率提升2-3%；?高溫性能?：結(jié)溫可達(dá)175℃（硅基器件通常限125℃）；?高功率密度?：因散熱需求降低，體積可縮小40%。典型應(yīng)用包括：?同步整流?：在DC/DC轉(zhuǎn)換器中替代MOSFET，降低成本（如TI的CSD18541Q5B模塊用于100kHz Buck電路）；?高頻逆變?：電動汽車車載充電機(jī)（OBC）中支持400kHz開關(guān)頻率。但肖特基模塊的反向漏電流較高（如1mA@150℃），需在高溫場景中嚴(yán)格降額使用...

即信號幅度沒有大到讓限幅電路動作的程度，這時(shí)限幅電路不工作。2）信號幅度比較大時(shí)的電路工作狀態(tài)，即信號幅度大到讓限幅度電路動作的程度，這時(shí)限幅電路工作，將信號幅度進(jìn)行限制。用畫出信號波形的方法分析電路工作原理有時(shí)相當(dāng)管用，用于分析限幅電路尤其有效，如圖9-45所示是電路中集成電路A1的①腳上信號波形示意圖。圖9-45集成電路A1的①腳上信號波形示意圖圖中，U1是集成電路A1的①腳輸出信號中的直流電壓，①腳輸出信號中的交流電壓是“騎”在這一直流電壓上的。U2是限幅電壓值。結(jié)合上述信號波形來分析這個二極管限幅電路，當(dāng)集成電路A1的①腳輸出信號中的交流電壓比較小時(shí)，交流信號的正半周加上直流輸出電壓U...

IGBT模塊的散熱效率直接影響其功率輸出能力與壽命。典型散熱方案包括強(qiáng)制風(fēng)冷、液冷和相變冷卻。例如，高鐵牽引變流器使用液冷基板，通過乙二醇水循環(huán)將熱量導(dǎo)出，使模塊結(jié)溫穩(wěn)定在125°C以下。材料層面，氮化鋁陶瓷基板（熱導(dǎo)率≥170 W/mK）和銅-石墨復(fù)合材料被用于降低熱阻。結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上，DBC（直接鍵合銅）技術(shù)將銅層直接燒結(jié)在陶瓷表面，減少界面熱阻；而針翅式散熱器通過增加表面積提升對流換熱效率。近年來，微通道液冷技術(shù)成為研究熱點(diǎn)：GE開發(fā)的微通道IGBT模塊，冷卻液流道寬度*200μm，散熱能力較傳統(tǒng)方案提升50%，同時(shí)減少冷卻系統(tǒng)體積40%，特別適用于數(shù)據(jù)中心電源等空間受限場景。內(nèi)置控制電路發(fā)...

二極管模塊是將多個二極管芯片集成封裝的高效功率器件，主要用于實(shí)現(xiàn)整流、續(xù)流、穩(wěn)壓及電路保護(hù)功能。其**結(jié)構(gòu)由二極管芯片（如硅基PN結(jié)、肖特基勢壘或碳化硅JBS結(jié)構(gòu)）、絕緣基板（DBC或AMB陶瓷）、鍵合線（鋁或銅）及外殼組成。以整流模塊為例，三相全橋模塊包含6個二極管芯片，輸入380V AC時(shí)輸出540V DC，導(dǎo)通壓降≤1.2V，效率可達(dá)99%。模塊化設(shè)計(jì)簡化了系統(tǒng)集成，例如英飛凌的EconoDUAL封裝將二極管與IGBT芯片集成，支持1200V/450A的電流等級。此外，部分**模塊集成溫度傳感器（如NTC熱敏電阻）和驅(qū)動電路，實(shí)現(xiàn)過溫保護(hù)與智能控制。二極管有兩個電極，由P區(qū)引出的電極是正...

收音機(jī)終只要其中的上包絡(luò)信號，下包絡(luò)信號不用，中間的高頻載波信號也不需要。2．電路中各元器件作用說明如表9-43所示是元器件作用解說。表9-43元器件作用解說3．檢波電路工作原理分析檢波電路主要由檢波二極管VD1構(gòu)成。在檢波電路中，調(diào)幅信號加到檢波二極管的正極，這時(shí)的檢波二極管工作原理與整流電路中的整流二極管工作原理基本一樣，利用信號的幅度使檢波二極管導(dǎo)通，如圖9-49所示是調(diào)幅波形展開后的示意圖。圖9-49調(diào)幅波形時(shí)間軸展開示意圖從展開后的調(diào)幅信號波形中可以看出，它是一個交流信號，只是信號的幅度在變化。這一信號加到檢波二極管正極，正半周信號使二極管導(dǎo)通，負(fù)半周信號使二極管截止，這樣相當(dāng)于整流...

也是一個PN結(jié)的結(jié)構(gòu)，不同之處是要求這種二極管的開關(guān)特性要好。當(dāng)給開關(guān)二極管加上正向電壓時(shí)，二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于開關(guān)的通態(tài)；當(dāng)給開關(guān)二極管加上反向電壓時(shí)，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，相當(dāng)于開關(guān)的斷態(tài)。二極管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)完成開與關(guān)功能。開關(guān)二極管就是利用這種特性，且通過制造工藝，開關(guān)特性更好，即開關(guān)速度更快，PN結(jié)的結(jié)電容更小，導(dǎo)通時(shí)的內(nèi)阻更小，截止時(shí)的電阻很大。如表9-41所示是開關(guān)時(shí)間概念說明。表開關(guān)時(shí)間概念說明2．典型二極管開關(guān)電路工作原理二極管構(gòu)成的電子開關(guān)電路形式多種多樣，如圖9-46所示是一種常見的二極管開關(guān)電路。圖9-46二極管開關(guān)電路通過觀察這一電路，可以熟悉下列幾個方面的問題...

3）從分流支路電路分析中要明白一點(diǎn)：從級錄音放大器輸出的信號，如果從VD1支路分流得多，那么流入第二級錄音放大器的錄音信號就小，反之則大。4）VD1存在導(dǎo)通與截止兩種情況，在VD1截止時(shí)對錄音信號無分流作用，在導(dǎo)通時(shí)則對錄音信號進(jìn)行分流。5）在VD1正極上接有電阻R1，它給VD1一個控制電壓，顯然這個電壓控制著VD1導(dǎo)通或截止。所以，R1送來的電壓是分析VD1導(dǎo)通、截止的關(guān)鍵所在。分析這個電路大的困難是在VD1導(dǎo)通后，利用了二極管導(dǎo)通后其正向電阻與導(dǎo)通電流之間的關(guān)系特性進(jìn)行電路分析，即二極管的正向電流愈大，其正向電阻愈小，流過VD1的電流愈大，其正極與負(fù)極之間的電阻愈小，反之則大。3．控制電路...

2CP1554硅二極管Ir≤≤,≤,2CP1555硅二極管Ir≤≤,≤,[1]整流二極管高頻整流二極管的特性與參數(shù)編輯開關(guān)電源中的整流二極管必須具有正向壓降低、快速恢復(fù)的特點(diǎn)，還應(yīng)具有足夠大的輸出功率，可以采用以下三種類型的整流二極管：快速恢復(fù)整流二極管;超快速恢復(fù)整流二極管;肖特基整流二極管。快速恢復(fù)和超快恢復(fù)整流二極管具有適中的和較高的正向電壓降，其范圍是從～。這兩種整流二極管還具有較高的截止電壓參數(shù)。因此，它們特別適合于在小功率的、輸出電壓在12V左右的輔助電源電路中使用。由于現(xiàn)代的開關(guān)電源工作頻率都在20kHz以上，比起一般的整流二極管，快速恢復(fù)整流二極管和超快速恢復(fù)整流二極管的反向恢...

從這種電路結(jié)構(gòu)可以得出一個判斷結(jié)果：C2和VD1這個支路的作用是通過該支路來改變與電容C1并聯(lián)后的總?cè)萘看笮。@樣判斷的理由是：C2和VD1支路與C1上并聯(lián)后總電容量改變了，與L1構(gòu)成的LC并聯(lián)諧振電路其振蕩頻率改變了。所以，這是一個改變LC并聯(lián)諧振電路頻率的電路。關(guān)于二極管電子開關(guān)電路分析思路說明如下幾點(diǎn)：1）電路中，C2和VD1串聯(lián)，根據(jù)串聯(lián)電路特性可知，C2和VD1要么同時(shí)接入電路，要么同時(shí)斷開。如果只是需要C2并聯(lián)在C1上，可以直接將C2并聯(lián)在C1上，可是串入二極管VD1，說明VD1控制著C2的接入與斷開。2）根據(jù)二極管的導(dǎo)通與截止特性可知，當(dāng)需要C2接入電路時(shí)讓VD1導(dǎo)通，當(dāng)不需要C...

在光伏和風(fēng)電系統(tǒng)中，二極管模塊主要用于：?組串防反灌?：防止夜間電池組反向放電至光伏板，需漏電流≤1μA（如Vishay的VS-40CPQ060模塊）；?MPPT續(xù)流?：在Boost電路中配合IGBT實(shí)現(xiàn)最大功率點(diǎn)跟蹤，需trr≤200ns；?直流側(cè)保護(hù)?：與熔斷器配合抑制短路電流，響應(yīng)時(shí)間≤5μs。以5MW海上風(fēng)電變流器為例，其直流母線需配置耐壓1500V、電流600A的SiC二極管模塊，在鹽霧環(huán)境（ISO 9227標(biāo)準(zhǔn)）下壽命需達(dá)20年。實(shí)際運(yùn)行數(shù)據(jù)顯示，采用SiC模塊后系統(tǒng)損耗降低25%，年均發(fā)電量提升3-5%。發(fā)光二極管是一種將電能直接轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體固體顯示器件，簡稱LED(Lig...

幾安到幾十安），主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開關(guān)、脈沖及高頻電路中。[1]二極管原理發(fā)光二極管編輯發(fā)光二極管也是由一個PN結(jié)構(gòu)成，具有單向?qū)щ娦浴５湔蚬ぷ麟妷?開啟電壓)比普通二極管高，約為1～，反向擊穿電壓比普通二極管低，約5V左右。當(dāng)正向電流達(dá)到1mA左右時(shí)開始發(fā)光，發(fā)光強(qiáng)度近似與工作電流成正比；但工作電流達(dá)到一定數(shù)值時(shí)，發(fā)光強(qiáng)度逐漸趨于飽和，與工作電流成非線性關(guān)系。一般小型發(fā)光二極管正向工作電流為10～20mA，大正向工作電流為30～50mA。發(fā)光二極管的外形可以做成矩形、圓形、字形、...

二極管模塊是將多個二極管芯片集成封裝的高功率電子器件，主要用于整流、續(xù)流和電壓鉗位。其典型結(jié)構(gòu)包括：?芯片層?：由多顆硅基或碳化硅（SiC）二極管芯片并聯(lián)，通過鋁線鍵合或銅帶互連降低導(dǎo)通電阻；?絕緣基板?：氧化鋁（Al2O3）或氮化鋁（AlN）陶瓷基板，導(dǎo)熱系數(shù)分別為24W/mK和170W/mK，確保熱量快速傳導(dǎo)；?封裝外殼?：塑封或環(huán)氧樹脂封裝，部分高壓模塊采用金屬陶瓷外殼（如DCB基板+銅底板）。例如，英飛凌的F3L300R12W5模塊集成6顆SiC二極管，額定電流300A，反向耐壓1200V，正向壓降*1.5V（同類硅基模塊為2.2V）。其**功能包括AC/DC轉(zhuǎn)換、逆變器續(xù)流保護(hù)及浪涌...

碳化硅（SiC）二極管模塊憑借寬禁帶特性（3.26eV），正在顛覆傳統(tǒng)硅基市場。其優(yōu)勢包括：1）耐壓高達(dá)1700V，漏電流比硅基低2個數(shù)量級；2）反向恢復(fù)電荷（Qrr）趨近于零，適用于ZVS/ZCS軟開關(guān)拓?fù)洌?）高溫穩(wěn)定性（200℃下壽命超10萬小時(shí)）。羅姆的Sicox系列模塊采用全SiC方案（二極管+MOSFET），將EV牽引逆變器效率提升至99.3%。市場方面，2023年全球SiC二極管模塊市場規(guī)模達(dá)8.2億美元，預(yù)計(jì)2028年將突破30億美元（CAGR 29%），主要驅(qū)動力來自新能源汽車、數(shù)據(jù)中心電源及5G基站。內(nèi)置控制電路發(fā)光二極管點(diǎn)陣顯示模塊。山東二極管模塊品牌也是一個PN結(jié)的結(jié)構(gòu)...

晶體二極管為一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。中文名二級管外文名diode目錄1二極管簡介2二極管特性3二極管的原理4反向擊穿5應(yīng)用6類型7發(fā)光二極管二極管原理二極管簡介編輯二極管內(nèi)部構(gòu)造二極管的英文是diode。二極管的正...

促使整流管加速老化，并被過早地?fù)舸p壞。（3）運(yùn)行管理欠佳。值班運(yùn)行人員工作不負(fù)責(zé)任，對外界負(fù)荷的變化(特別是在深夜零點(diǎn)至第二天上午6點(diǎn)之間)不了解，或是當(dāng)外界發(fā)生了甩負(fù)荷故障，運(yùn)行人員沒有及時(shí)進(jìn)行相應(yīng)的操作處理，產(chǎn)生過電壓而將整流管擊穿損壞。（4）設(shè)備安裝或制造質(zhì)量不過關(guān)。由于發(fā)電機(jī)組長期處于較大的振動之中運(yùn)行，使整流管也處于這一振動的外力干擾之下；同時(shí)由于發(fā)電機(jī)組轉(zhuǎn)速時(shí)高時(shí)低，使整流管承受的工作電壓也隨之忽高忽低地變化，這樣便地加速了整流管的老化、損壞。（5）整流管規(guī)格型號不符。更換新整流管時(shí)錯將工作參數(shù)不符合要求的管子換上或者接線錯誤，造成整流管擊穿損壞。（6）整流管安全裕量偏小。整流管...

高功率二極管模塊的封裝技術(shù)直接影響散熱性能和可靠性：?芯片互連?：銅帶鍵合替代鋁線，載流能力提升50%（如賽米控的SKiN技術(shù)）；?基板材料?：氮化硅（Si3N4）陶瓷基板抗彎強(qiáng)度達(dá)800MPa，適合高機(jī)械應(yīng)力場景；?散熱設(shè)計(jì)?：直接水冷模塊的熱阻可低至0.06℃/W（傳統(tǒng)風(fēng)冷為0.5℃/W）。例如，富士電機(jī)的6DI300C-12模塊采用雙面散熱結(jié)構(gòu)，通過上下銅底板同時(shí)導(dǎo)熱，使結(jié)溫降低20℃，允許輸出電流提升15%。此外，銀燒結(jié)工藝（燒結(jié)溫度250℃）替代傳統(tǒng)焊錫，可提升高溫循環(huán)壽命3倍以上。發(fā)光二極管芯片陣列固定在印刷電路板的一個面上。青海哪里有二極管模塊咨詢報(bào)價(jià)能承受較高的反向擊穿電壓和較...

根據(jù)功能與材料，二極管模塊可分為整流模塊、快恢復(fù)二極管（FRD）模塊、肖特基二極管（SBD）模塊及碳化硅（SiC）二極管模塊。整流模塊多用于工頻電路（50/60Hz），典型產(chǎn)品如三菱的RM系列，支持3000A/6000V的極端工況。快恢復(fù)模塊的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）可低至50ns，適用于高頻開關(guān)電源（如LLC諧振電路）。肖特基模塊利用金屬-半導(dǎo)體結(jié)降低導(dǎo)通壓降（0.3-0.6V），但耐壓通常低于200V，常用于低壓大電流場景（如服務(wù)器電源）。碳化硅二極管模塊憑借耐高溫（200℃）和高頻特性（開關(guān)損耗比硅基低70%），正逐步替代硅基產(chǎn)品，尤其在新能源汽車OBC（車載充電機(jī)）中普及。目前，市場上有...

電動汽車主逆變器的續(xù)流回路需采用高可靠性二極管模塊，其技術(shù)要求包括：?耐振動?：通過ISO 16750-3標(biāo)準(zhǔn)隨機(jī)振動測試（10-2000Hz，加速度30g）；?低溫啟動?：在-40℃下正向壓降變化率≤10%；?高功率循環(huán)能力?：支持ΔTj=80℃的功率循環(huán)次數(shù)≥5萬次（如三菱電機(jī)的FMF800DC-24A模塊）。特斯拉Model S Plaid的逆變器采用定制化SiC二極管模塊，將峰值功率提升至1020kW，同時(shí)將續(xù)流損耗降低至硅基方案的1/3。此外，車載充電機(jī)（OBC）的PFC級也需采用超快恢復(fù)二極管模塊（trr≤100ns），以降低電磁干擾并提升充電效率。當(dāng)制成大面積的光電二極管時(shí)，可當(dāng)...

所謂限幅電路就是限制電路中某一點(diǎn)的信號幅度大小，讓信號幅度大到一定程度時(shí)，不讓信號的幅度再增大，當(dāng)信號的幅度沒有達(dá)到限制的幅度時(shí)，限幅電路不工作，具有這種功能的電路稱為限幅電路，利用二極管來完成這一功能的電路稱為二極管限幅電路。如圖9-44所示是二極管限幅電路。在電路中，A1是集成電路（一種常用元器件），VT1和VT2是三極管（一種常用元器件），R1和R2是電阻器，VD1～VD6是二極管。圖9-44二極管限幅電路1．電路分析思路說明對電路中VD1和VD2作用分析的思路主要說明下列幾點(diǎn)：1）從電路中可以看出，VD1、VD2、VD3和VD4、VD5、VD6兩組二極管的電路結(jié)構(gòu)一樣，這兩組二極管在這...

二極管模塊是將多個二極管芯片集成封裝的高效功率器件，主要用于實(shí)現(xiàn)整流、續(xù)流、穩(wěn)壓及電路保護(hù)功能。其**結(jié)構(gòu)由二極管芯片（如硅基PN結(jié)、肖特基勢壘或碳化硅JBS結(jié)構(gòu)）、絕緣基板（DBC或AMB陶瓷）、鍵合線（鋁或銅）及外殼組成。以整流模塊為例，三相全橋模塊包含6個二極管芯片，輸入380V AC時(shí)輸出540V DC，導(dǎo)通壓降≤1.2V，效率可達(dá)99%。模塊化設(shè)計(jì)簡化了系統(tǒng)集成，例如英飛凌的EconoDUAL封裝將二極管與IGBT芯片集成，支持1200V/450A的電流等級。此外，部分**模塊集成溫度傳感器（如NTC熱敏電阻）和驅(qū)動電路，實(shí)現(xiàn)過溫保護(hù)與智能控制。常用來觸發(fā)雙向可控硅，在電路中作過壓保...

則指給定反向漏電流條件下的電壓值。（5）高工作頻率fm：它是二極管在正常情況下的高工作頻率。主要由PN結(jié)的結(jié)電容及擴(kuò)散電容決定，若工作頻率超過fm，則二極管的單向?qū)щ娦阅軐⒉荒芎芎玫伢w現(xiàn)。例如1N4000系列二極管的fm為3kHz。另有快恢復(fù)二極管用于頻率較高的交流電的整流，如開關(guān)電源中。（6）反向恢復(fù)時(shí)間trr：指在規(guī)定的負(fù)載、正向電流及大反向瞬態(tài)電壓下的反向恢復(fù)時(shí)間。（7）零偏壓電容CO：指二極管兩端電壓為零時(shí)，擴(kuò)散電容及結(jié)電容的容量之和。值得注意的是，由于制造工藝的限制，即使同一型號的二極管其參數(shù)的離散性也很大。手冊中給出的參數(shù)往往是一個范圍，若測試條件改變，則相應(yīng)的參數(shù)也會發(fā)生變化，例...

收音機(jī)終只要其中的上包絡(luò)信號，下包絡(luò)信號不用，中間的高頻載波信號也不需要。2．電路中各元器件作用說明如表9-43所示是元器件作用解說。表9-43元器件作用解說3．檢波電路工作原理分析檢波電路主要由檢波二極管VD1構(gòu)成。在檢波電路中，調(diào)幅信號加到檢波二極管的正極，這時(shí)的檢波二極管工作原理與整流電路中的整流二極管工作原理基本一樣，利用信號的幅度使檢波二極管導(dǎo)通，如圖9-49所示是調(diào)幅波形展開后的示意圖。圖9-49調(diào)幅波形時(shí)間軸展開示意圖從展開后的調(diào)幅信號波形中可以看出，它是一個交流信號，只是信號的幅度在變化。這一信號加到檢波二極管正極，正半周信號使二極管導(dǎo)通，負(fù)半周信號使二極管截止，這樣相當(dāng)于整流...

也是一個PN結(jié)的結(jié)構(gòu)，不同之處是要求這種二極管的開關(guān)特性要好。當(dāng)給開關(guān)二極管加上正向電壓時(shí)，二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于開關(guān)的通態(tài)；當(dāng)給開關(guān)二極管加上反向電壓時(shí)，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，相當(dāng)于開關(guān)的斷態(tài)。二極管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)完成開與關(guān)功能。開關(guān)二極管就是利用這種特性，且通過制造工藝，開關(guān)特性更好，即開關(guān)速度更快，PN結(jié)的結(jié)電容更小，導(dǎo)通時(shí)的內(nèi)阻更小，截止時(shí)的電阻很大。如表9-41所示是開關(guān)時(shí)間概念說明。表開關(guān)時(shí)間概念說明2．典型二極管開關(guān)電路工作原理二極管構(gòu)成的電子開關(guān)電路形式多種多樣，如圖9-46所示是一種常見的二極管開關(guān)電路。圖9-46二極管開關(guān)電路通過觀察這一電路，可以熟悉下列幾個方面的問題...

收音機(jī)終只要其中的上包絡(luò)信號，下包絡(luò)信號不用，中間的高頻載波信號也不需要。2．電路中各元器件作用說明如表9-43所示是元器件作用解說。表9-43元器件作用解說3．檢波電路工作原理分析檢波電路主要由檢波二極管VD1構(gòu)成。在檢波電路中，調(diào)幅信號加到檢波二極管的正極，這時(shí)的檢波二極管工作原理與整流電路中的整流二極管工作原理基本一樣，利用信號的幅度使檢波二極管導(dǎo)通，如圖9-49所示是調(diào)幅波形展開后的示意圖。圖9-49調(diào)幅波形時(shí)間軸展開示意圖從展開后的調(diào)幅信號波形中可以看出，它是一個交流信號，只是信號的幅度在變化。這一信號加到檢波二極管正極，正半周信號使二極管導(dǎo)通，負(fù)半周信號使二極管截止，這樣相當(dāng)于整流...

2CP1554硅二極管Ir≤≤,≤,2CP1555硅二極管Ir≤≤,≤,[1]整流二極管高頻整流二極管的特性與參數(shù)編輯開關(guān)電源中的整流二極管必須具有正向壓降低、快速恢復(fù)的特點(diǎn)，還應(yīng)具有足夠大的輸出功率，可以采用以下三種類型的整流二極管：快速恢復(fù)整流二極管;超快速恢復(fù)整流二極管;肖特基整流二極管。快速恢復(fù)和超快恢復(fù)整流二極管具有適中的和較高的正向電壓降，其范圍是從～。這兩種整流二極管還具有較高的截止電壓參數(shù)。因此，它們特別適合于在小功率的、輸出電壓在12V左右的輔助電源電路中使用。由于現(xiàn)代的開關(guān)電源工作頻率都在20kHz以上，比起一般的整流二極管，快速恢復(fù)整流二極管和超快速恢復(fù)整流二極管的反向恢...

二極管模塊是將多個二極管芯片集成封裝的高功率電子器件，主要用于整流、續(xù)流和電壓鉗位。其典型結(jié)構(gòu)包括：?芯片層?：由多顆硅基或碳化硅（SiC）二極管芯片并聯(lián)，通過鋁線鍵合或銅帶互連降低導(dǎo)通電阻；?絕緣基板?：氧化鋁（Al2O3）或氮化鋁（AlN）陶瓷基板，導(dǎo)熱系數(shù)分別為24W/mK和170W/mK，確保熱量快速傳導(dǎo)；?封裝外殼?：塑封或環(huán)氧樹脂封裝，部分高壓模塊采用金屬陶瓷外殼（如DCB基板+銅底板）。例如，英飛凌的F3L300R12W5模塊集成6顆SiC二極管，額定電流300A，反向耐壓1200V，正向壓降*1.5V（同類硅基模塊為2.2V）。其**功能包括AC/DC轉(zhuǎn)換、逆變器續(xù)流保護(hù)及浪涌...

送到后級電路中進(jìn)一步處理。圖9-50檢波電路輸出端信號波形示意圖2）檢波電路輸出信號的平均值是直流成分，它的大小表示了檢波電路輸出信號的平均幅值大小，檢波電路輸出信號幅度大，其平均值大，這一直流電壓值就大，反之則小。這一直流成分在收音機(jī)電路中用來控制一種稱為中頻放大器的放大倍數(shù)（也可以稱為增益），稱為AGC（自動增益控制）電壓。AGC電壓被檢波電路輸出端耦合電容隔離，不能與音頻信號一起加到后級放大器電路中，而是專門加到AGC電路中。3）檢波電路輸出信號中還有高頻載波信號，這一信號無用，通過接在檢波電路輸出端的高頻濾波電容C1，被濾波到地端。一般檢波電路中不給檢波二極管加入直流電壓，但在一些小信...

外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。[5]當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，PN結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。[5]二極管PN結(jié)形成原理P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。P型和N型半導(dǎo)體因硼原子只有三個價(jià)電子，它與周圍的硅原子形成共價(jià)鍵，因缺少一個電子，...

二極管模塊的封裝直接影響散熱效率與可靠性。主流封裝形式包括壓接式（Press-Pack）、焊接式（如EconoPACK）和塑封式（TO-247）。壓接式模塊通過彈簧壓力固定芯片，避免焊料層疲勞問題，熱阻降低至0.5℃/kW（如ABB的StakPak系列）。焊接式模塊采用活性金屬釬焊（AMB）工藝，氮化硅（Si?N?）基板熱導(dǎo)率達(dá)90W/m·K，支持連續(xù)工作電流600A。散熱設(shè)計(jì)方面，雙面冷卻技術(shù)（如英飛凌的.XT）將模塊基板與散熱器兩面接觸，熱阻減少40%。相變材料（PCM）作為熱界面介質(zhì)，可在高溫下液化填充微孔，使接觸熱阻穩(wěn)定在0.1℃/cm2以下。當(dāng)給陽極和陰極加上反向電壓時(shí)，二極管截止。...

沒有高到讓外接的二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，理由是：如果集成電路A1的①腳輸出的直流電壓足夠高，那么VD1、VD2和VD3導(dǎo)通，其導(dǎo)通后的內(nèi)阻很小，這樣會將集成電路A1的①腳輸出的交流信號分流到地，對信號造成衰減，顯然這一電路中不需要對信號進(jìn)行這樣的衰減，所以從這個角度分析得到的結(jié)論是：集成電路A1的①腳輸出的直流電壓不會高到讓VD1、VD2和VD3導(dǎo)通的程度。4）從集成電路A1的①腳輸出的是直流和交流疊加信號，通過電阻R1與三極管VT1基極，VT1是NPN型三極管，如果加到VT1基極的正半周交流信號幅度出現(xiàn)很大的現(xiàn)象，會使VT1的基極電壓很大而有燒壞VT1的危險(xiǎn)。加到VT1基極的交流信號負(fù)半周信號幅...