按封裝形式：

IGBT 單管：將單個 IGBT 芯片與 FRD（快速恢復二極管）芯片以分立式晶體管的形式封裝在銅框架上，封裝規模小，電流較小，適用于消費和工業家電等對功率要求不高的場景。

IGBT 模塊：將多個 IGBT 芯片與 FRD 芯片通過特定電路橋接而成的模塊化產品，具有更高的集成度和散熱穩定性，常用于對功率要求較高的場合，如工業變頻器、新能源汽車等。

按內部結構：

穿通 IGBT（PT - IGBT）：發射極接觸處具有 N + 區，包括 N + 緩沖層，也叫非對稱 IGBT，具有不對稱的電壓阻斷能力，其特點是導通壓降較低，但關斷速度相對較慢，適用于對導通損耗要求較高的應用，如低頻、大功率的變流器。

非穿通 IGBT（NPT - IGBT）：沒有額外的 N + 區域，結構對稱性提供了對稱的擊穿電壓特性，關斷速度快，開關損耗小，但導通壓降相對較高，常用于高頻、開關速度要求高的場合，如開關電源、高頻逆變器等。 IGBT模塊在家用電器中作為開關元件，控制電源通斷。深圳4-pack四單元igbt模塊

IGBT模塊主要由IGBT芯片、覆銅陶瓷基板（DBC基板）、鍵合線、散熱基板、二極管芯片、外殼、焊料層等部分構成：IGBT芯片：是IGBT模塊的重要部件，位于模塊內部的中心位置，起到變頻、逆變、變壓、功率放大、功率控制等關鍵作用，決定了IGBT模塊的基本性能和功能。其通常由不同摻雜的P型或N型半導體組合而成的四層半導體器件構成，柵極和發射極在芯片上方（正面），集電極在下方（背面），芯片厚度較薄，一般為200μm左右。為保證IGBT芯片之間的均流效果，在每個芯片的柵極內部還會集成一個電阻。廣東4-pack四單元igbt模塊IGBT模塊在充電樁領域的應用推動了市場規模的增長。

結合MOSFET和BJT優點：IGBT是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR（雙極功率晶體管）的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。

電壓型控制：輸入阻抗大，驅動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大。

電能傳輸與分配：在高壓直流輸電（HVDC）系統中，IGBT 模塊組成的換流器可實現將交流電轉換為直流電進行遠距離傳輸，然后在受電端再將直流電轉換為交流電接入當地電網。這樣可以減少電能在傳輸過程中的損耗，提高輸電效率和可靠性。此外，在智能電網的分布式發電、儲能系統以及微電網中，IGBT 模塊也起著關鍵的電能分配和管理作用，確保電能能夠在不同的電源和負載之間靈活、高效地傳輸。

功率放大：在一些需要高功率輸出的設備中，如音頻放大器、射頻放大器等，IGBT 模塊可以將輸入的小功率信號放大為具有足夠功率的輸出信號，以驅動負載工作。例如在專業音響系統中，IGBT 模塊組成的功率放大器能夠將音頻信號放大到足夠的功率，推動揚聲器發出響亮、清晰的聲音。 罐封技術保證IGBT模塊在惡劣環境下的運行可靠性。

高效電能轉換：IGBT 模塊能夠實現直流到交流（逆變）、交流到直流（整流）以及交直流電壓變換等功能，且在轉換過程中具有較高的效率。例如在新能源汽車的充電樁中，它可將電網的交流電轉換為適合給汽車電池充電的直流電，同時在車載逆變器中，又能將電池的直流電轉換為交流電，為車內的空調、音響等交流設備供電。

精確電力控制：IGBT 模塊可以通過控制其柵極電壓來精確地控制其導通和關斷，從而實現對電路中電流、電壓的精確控制。在電機驅動系統中，通過調節 IGBT 模塊的導通時間和頻率，可以精確控制電機的轉速和扭矩，使電機能夠根據實際需求高效運行，廣泛應用于工業自動化中的電機調速、機器人控制等領域。 IGBT模塊封裝過程中焊接技術影響運行時的傳熱性。深圳4-pack四單元igbt模塊

IGBT模塊外殼實現絕緣性能，要求耐高溫、不易變形。深圳4-pack四單元igbt模塊

散熱基板：一般由銅制成，因為銅具有良好的導熱性，不過也有其他材料制成的基板，例如鋁碳化硅（AlSiC）等。銅基板的厚度通常在3 - 8mm。它是IGBT模塊的散熱功能結構與通道，主要負責將IGBT芯片工作過程中產生的熱量快速傳遞出去，以保證模塊的正常工作溫度，同時還發揮機械支撐與結構保護的作用。二極管芯片：通常與IGBT芯片配合使用，其電流方向與IGBT的電流方向相反。二極管芯片可以在IGBT關斷時提供續流通道，防止電流突變產生過高的電壓尖峰，保護IGBT芯片免受損壞。深圳4-pack四單元igbt模塊