DDR測試

DDR5的接收端容限測試

前面我們在介紹USB3.0、PCIe等高速串行總線的測試時提到過很多高速的串行總線由于接收端放置有均衡器，因此需要進(jìn)行接收容限的測試以驗(yàn)證接收均衡器和CDR在惡劣信號下的表現(xiàn)。對于DDR來說，DDR4及之前的總線接收端還相對比較簡單，只是做一些匹配、時延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時代(圖5.19),由于信號速率更高，因此接收端也開始采用很多高速串行總線中使用的可變增益調(diào)整以及均衡器技術(shù)，這也使得DDR5測試中必須關(guān)注接收均衡器的影響，這是之前的DDR測試中不曾涉及的。 用DDR的BGA探頭引出測試信號；解決方案DDR測試系列

一種ddr4內(nèi)存信號測試方法、裝置及存儲介質(zhì)技術(shù)領(lǐng)域1.本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)測試技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種ddr4內(nèi)存信號測試方法、裝置及存儲介質(zhì)。背景技術(shù)：2.為保證服務(wù)器的平穩(wěn)運(yùn)行以及服務(wù)器ddr4內(nèi)存的完好使用，測量服務(wù)器內(nèi)存的信號完整性是否符合標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)成了服務(wù)器研發(fā)過程中必不可少的重要流程。目前服務(wù)器主流都是適用ddr4內(nèi)存，為了保證數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，ddr4鏈路的測試對服務(wù)器存儲性能評估有著至關(guān)重要的影響。3.目前服務(wù)器ddr4信號的測試無法進(jìn)行正常工作狀態(tài)的讀寫分離，只能利用主控芯片進(jìn)行讀寫命令來進(jìn)行相應(yīng)讀或?qū)懙臏y試，效率較低且不能完全反映正常工作狀態(tài)下的波形，在信號完整性測試上有比較大的風(fēng)險。USB測試DDR測試價格多少DDR4關(guān)于信號建立保持是的定義；

如何測試DDR？

DDR測試有具有不同要求的兩個方面：芯片級測試DDR芯片測試既在初期晶片階段也在封裝階段進(jìn)行。采用的測試儀通常是內(nèi)存自動測試設(shè)備，其價值一般在數(shù)百萬美元以上。測試儀的部分是一臺可編程的高分辨信號發(fā)生器。測試工程師通過編程來模擬實(shí)際工作環(huán)境；另外，他也可以對計(jì)時脈沖邊沿前后進(jìn)行微調(diào)來尋找平衡點(diǎn)。自動測試儀（ATE）系統(tǒng)也存在缺陷。它產(chǎn)生的任意波形數(shù)量受制于其本身的后備映象隨機(jī)內(nèi)存和算法生成程序。由于映象隨機(jī)內(nèi)存深度的局限性，使波形只能在自己的循環(huán)內(nèi)重復(fù)。因?yàn)镈DR帶寬和速度是普通SDR的二倍，所以波形變化也應(yīng)是其二倍。因此，測試儀的映象隨機(jī)內(nèi)存容量會很快被消耗殆盡。為此，要保證一定的測試分辨率，就必須增大測試儀的內(nèi)存。建立測試頭也是一個棘手的問題。因?yàn)镈DR內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀取窗口有1—2ns，所以管腳驅(qū)動器的上升和下降時間非常關(guān)鍵。為保證在數(shù)據(jù)眼中心進(jìn)行信號轉(zhuǎn)換，需要較好的管腳驅(qū)動器轉(zhuǎn)向速度。在頻率為266MHz時，開始出現(xiàn)傳輸線反射。設(shè)計(jì)工程師發(fā)現(xiàn)在設(shè)計(jì)測試平臺時必須遵循直線律。為保證信號的統(tǒng)一性，必須對測試頭布局進(jìn)行傳輸線模擬。管腳驅(qū)動器強(qiáng)度必須能比較大限度降低高頻信號反射。

DDR測試信號和協(xié)議測試

DDR4一致性測試工作臺（用示波器中的一致性測試軟件分析DDR仿真波形）對DDR5來說，設(shè)計(jì)更為復(fù)雜，仿真軟件需要幫助用戶通過應(yīng)用IBIS模型針對基于DDR5顆粒或DIMM的系統(tǒng)進(jìn)行仿真驗(yàn)證，比如仿真驅(qū)動能力、隨機(jī)抖動/確定性抖動、寄生電容、片上端接ODT、信號上升/下降時間、AGC(自動增益控制)功能、4tapsDFE(4抽頭判決反饋均衡)等。

克勞德高速數(shù)字信號測試實(shí)驗(yàn)室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) DDR總線利用率和讀寫吞吐率的統(tǒng)計(jì)；

DDR測試

大部分的DRAM都是在一個同步時鐘的控制下進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫，即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據(jù)時鐘采樣方式的不同，又分為SDR   SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR  SDRAM只在時鐘的上升或者下降沿進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣，而DDR SDRAM在時鐘的上升和下降 沿都會進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣。采用DDR方式的好處是時鐘和數(shù)據(jù)信號的跳變速率是一樣的，因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對于時鐘和數(shù)據(jù)信號是一樣的。 解決DDR內(nèi)存系統(tǒng)測試難題？USB測試DDR測試價格多少

DDR規(guī)范里關(guān)于信號建立保持是的定義；解決方案DDR測試系列

6.信號及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號切換情況下，其電源的容差性。當(dāng)未符合此容差要求時，將會導(dǎo)致很多的問題，比如加大時鐘抖動、數(shù)據(jù)抖動和串?dāng)_。這里，可以很好的理解與去偶相關(guān)的理論，現(xiàn)在從”目標(biāo)阻抗”的公式定義開始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent（1）在這里，關(guān)鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流（TransientCurrent）的影響，另一個重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里，去耦網(wǎng)絡(luò)必須確保它的阻抗等于或小于目標(biāo)阻抗（Ztarget）。在一塊PCB上，由電源和地層所構(gòu)成的電容，以及所有的去耦電容，必須能夠確保在100KHz左右到100-200MH左右之間的去耦作用。頻率在100KHz以下，在電壓調(diào)節(jié)模塊里的大電容可以很好的進(jìn)行去耦。而頻率在200MHz以上的，則應(yīng)該由片上電容或用的封裝好的電容進(jìn)行去耦。解決方案DDR測試系列