氮化鋁粉體的制備工藝：碳熱還原法：碳熱還原法就是將混合均勻的Al2O3和C在N2氣氛中加熱，首先Al2O3被還原，所得產物Al再與N2反應生成AlN，其化學反應式為：Al2O3(s)+3C(s)+N2(g)→2AlN(s)+3CO(g)；其優點是原料豐富，工藝簡單；粉體純度高，粒徑小且分布均勻。其缺點是合成時間長，氮化溫度較高，反應后還需對過量的碳進行除碳處理，導致生產成本較高。高能球磨法：高能球磨法是指在氮氣或氨氣氣氛下，利用球磨機的轉動或振動，使硬質球對氧化鋁或鋁粉等原料進行強烈的撞擊、研磨和攪拌，從而直接氮化生成氮化鋁粉體的方法。其優點是：高能球磨法具有設備簡單、工藝流程短、生產效率高等優點。其缺點是：氮化難以完全，且在球磨過程中容易引入雜質，導致粉體的質量較低。結晶氮化鋁：無色斜方品系結晶工業品為淡黃色或深黃色結晶。廣州單晶氮化鋁粉體銷售公司

目前發現的適合作為燒結助劑的材料有Y2O3、CaO、Li2O、BaO、MgO、SrO2、La2O3、HfO2和CeO2等不與AlN發生反應的氧化物，以及一些稀土金屬與堿土金屬的氟化物和少量具有還原性的化合物（CaC2、YC2、TiO2、ZrO2、TiN等）。單獨采用某種單一的燒結助劑，在常壓下燒結通常需要高于1800℃的溫度，利用復合助劑，設計合理的助劑及配比，可以進一步有效降低燒結溫度，也是目前普遍采用的一種氮化鋁低溫燒結方法。氮化鋁陶瓷基板電子封裝領域的應用范圍越來越廣，目前也有一些國內企業在這個領域有所建樹，然而相對于早已接近紅海的海外市場，我國的氮化鋁陶瓷基板的發展仍處于起步階段，在高性能粉體及高導熱基板的制備生產上仍有一定的差距。深入了解材料的作用機理，從根源上“對癥下藥”，才能讓我國的陶瓷基板產業更上一個臺階。上海導熱氮化鋁粉體生產商陶瓷電子基板和封裝材料領域，其性能遠超氧化鋁。

提高氮化鋁陶瓷熱導率的途徑：選擇合適的燒結工藝，微波燒結：微波燒結是利用微波與介質的相互作用產生介電損耗使坯體整體加熱的燒結方法。同時，微波可以使粉末顆粒活性提高，有利于物質的傳遞。微波燒結已成為一門新型的陶瓷燒結技術，它利用整體性自身加熱，使材料加熱的效率提高，升溫速度加快，保溫時間縮短，這有利于提高致密化速度并可以有效抑制晶粒生長，獲得獨特的性能和結構。放電等離子燒結：放電等離子燒結系統利用脈沖能、放電脈沖壓力和焦耳熱產生的瞬間高溫場來實現燒結過程。SPS升溫速度快、燒結時間短、能在較低溫度下燒結，通過控制燒結組分與工藝能實現溫度梯度場，可用于燒結梯度材料及大型工件等復雜材料。放電等離子燒結內每個顆粒均勻的自身發熱使顆粒表現活化，因而具有很高的熱導率，可在短時間內使燒結體致密化。

氮化鋁(AlN)是一種六方纖鋅礦結構的共價鍵化合物，晶格參數為a=3.114，c=4.986。純氮化鋁呈藍白色，通常為灰色或灰白色，是典型的III-Ⅴ族寬禁帶半導體材料。氮化鋁(AlN)具有度、高體積電阻率、高絕緣耐壓、熱膨脹系數、與硅匹配好等特性，不但用作結構陶瓷的燒結助劑或增強相，尤其是在近年來大火的陶瓷電子基板和封裝材料領域，其性能遠超氧化鋁。與其它幾種陶瓷材料相比較，氮化鋁陶瓷綜合性能優良，非常適用于半導體基片和結構封裝材料，在電子工業中的應用潛力非常巨大。理論上AlN熱導率可達320W·m-1·K-1，但由于AlN中的雜質和缺陷造成實際產品的熱導率還不到200W·m-1·K-1。這主要是由于晶體內的結構基元都不可能有完全嚴格的均勻分布，總是存在稀疏稠密的不同區域，所以載流聲子在傳播過程中，總會受到干擾和散射。環氧樹脂作為一種有著很好的化學性能和力學穩定性的高分子材料，它固化方便，收縮率低。

采用小粒徑氮化鋁粉：氮化鋁燒結過程的驅動力為表面能，顆粒細小的AlN粉體能夠增強燒結活性，增加燒結推動力從而加速燒結過程。研究證實，當氮化鋁原始粉料的起始粒徑細小20倍后，陶瓷的燒結速率將增加147倍。燒結原料應選擇粒徑小且分布均勻的氮化鋁粉，可防止二次再結晶，內部的大顆粒易發生晶粒異常生長而不利于致密化燒結；若顆粒分布不均勻，在燒結過程中容易發生個別晶體異常長大而影響燒結。此外，氮化鋁陶瓷的燒結機理有時也受原始粉末粒度的影響。微米級的氮化鋁粉體按體積擴散機理進行燒結，而納米級的粉體則按晶界擴散或者表面擴散機理進行燒結。但目前而言，細小均勻的氮化鋁粉體制備很困難，大多通過濕化學法結合碳熱還原法制備，不但燒結工藝復雜，而且耗能多多規模的推廣應用仍舊有一定的限制。國內在小粒徑高性能氮化鋁粉的供應上，仍十分稀缺。氮化鋁可以用作高溫結構件熱交換器材料等。嘉興球形氧化鋁廠家直銷

氮化鋁陶瓷具有高熱導率、好的抗熱沖擊性、高溫下依然擁有良好的力學性能。廣州單晶氮化鋁粉體銷售公司

氮化鋁粉體的制備工藝：原位自反應合成法：原位自反應合成法的原理與直接氮化法的原理基本類同，以鋁及其它金屬形成的合金為原料，合金中其它金屬先在高溫下熔出，與氮氣發生反應生成金屬氮化物，繼而金屬Al取代氮化物的金屬，生產AlN。其優點是工藝簡單、原料豐富、反應溫度低，合成粉體的氧雜質含量低。其缺點是金屬雜質難以分離，導致其絕緣性能較低。等離子化學合成法：等離子化學合成法是使用直流電弧等離子發生器或高頻等離子發生器，將Al粉輸送到等離子火焰區內，在火焰高溫區內，粉末立即融化揮發，與氮離子迅速化合而成為AlN粉體。其優點是團聚少、粒徑小。其缺點是該方法為非定態反應，只能小批量處理，難于實現工業化生產，且其氧含量高、所需設備復雜和反應不完全。廣州單晶氮化鋁粉體銷售公司