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研究所光刻機售后服務

來源: 發布時間:2020-08-17

EVG的光刻機技術:EVG在光刻技術上的關鍵能力在于其掩模對準器的高產能,接觸和接近曝光功能以及其光刻膠處理系統的內部處理的相關知識。EVG的所有光刻設備平臺均支持300毫米的晶圓,可以完全集成到其HERCULES光刻軌道系統中,并配有用于從上到下的側面對準驗證的度量工具。

EVG不斷展望未來的市場趨勢,因此提供了針對特定應用的解決方案,尤其是在光學3D傳感和光子學市場中,其****的EVG的工藝和材料專業知識-源自對各種光刻膠材料進行的廣/泛優化研究。了解客戶需求并提供有效的全球支持是EVG光刻解決方案成功的重要因素。 只有接近客戶,才能得知客戶**真實的需求,這是我們一直時刻與客戶保持聯系的原因之一。研究所光刻機售后服務

EVG ® 150光刻膠處理系統技術數據:

模塊數:

工藝模塊:6

烘烤/冷卻模塊:**多20個

工業自動化功能:

Ergo裝載盒式工作站/ SMIF裝載端口/ SECS / GEM / FOUP裝載端口

智能過程控制和數據分析功能(框架軟件平臺)

用于過程和機器控制的集成分析功能

并行任務/排隊任務處理功能

設備和過程性能跟/蹤功能

智能處理功能

事/故和警報分析/智能維護管理和跟/蹤

晶圓直徑(基板尺寸):高達300毫米


可用模塊:

旋涂/ OmniSpray ® /開發

烘烤/冷卻

晶圓處理選項:

單/雙EE /邊緣處理/晶圓翻轉


彎曲/翹曲/薄晶圓處理


中國香港光刻機高級封裝應用可以使用用于壓印光刻的工具,例如紫外光納米壓印光刻,熱壓印或微接觸印刷。

EVG101光刻膠處理系統的技術數據:

可用模塊:旋涂/ OmniSpray ® /開發

分配選項:

各種光刻膠分配泵,可覆蓋高達52000 cP的粘度;

液體底漆/預濕/洗盤;

去除邊緣珠(EBR)/背面沖洗(BSR);

恒壓分配系統/注射器分配系統。


智能過程控制和數據分析功能(框架軟件平臺)

用于過程和機器控制的集成分析功能

并行任務/排隊任務處理功能,提高效率

設備和過程性能跟/蹤功能:智能處理功能;事/故和警報分析/智能維護管理和跟/蹤


晶圓直徑(基板尺寸):高達300毫米


IQ Aligner® 自動化掩模對準系統

特色:EVG ® IQ定位儀®平臺用于自動非接觸近距離處理而優化的用于晶片尺寸高達200毫米。

技術數據:IQ Aligner是具有高度自動化程度的非接觸式接近光刻平臺,可滿足將生產線中的掩模污染降至**/低并增加掩模壽命和產品良率的需求。除了多種對準功能外,該系統還通過專門配置進行了廣/泛的安裝和現場驗證,可自動處理和處理翹曲或變薄的晶圓。標準的頂側或底側對準與集成的IR對準功能之間的混合匹配操作進一步拓寬了應用領域,尤其是在與工程或粘合基板對準時。該系統還通過快速響應的溫度控制工具集支持晶片對準跳動控制。 EVG光刻機**/新的曝光光學增強功能是對LED燈的設置。

掩模對準系統:EVG的發明,例如1985年世界上較早的擁有底面對準功能的系統,開創了頂面和雙面光刻,對準晶圓鍵合和納米壓印光刻的先例,并設定了行業標準。EVG通過不斷開發掩模對準器產品來增強這些**光刻技術,從而在這些領域做出了貢獻。

EVG的掩模對準系統可容納尺寸**/大,尺寸和形狀以及厚度**/大為300 mm的晶片和基板,旨在為高級應用提供先進的自動化程度和研發靈活性的復雜解決方案。EVG的掩模對準器和工藝能力已經過現場驗證,并已安裝在全球的生產設施中,以支持眾多應用,包括高級封裝,化合物半導體,功率器件,LED,傳感器和MEMS制造。 EVG?620 NT / EVG?6200 NT 掩模對準系統(自動化和半自動化)支持的晶圓尺寸 :150 mm / 200 mm。微流體光刻機技術服務

EVG的CoverSpin TM旋轉蓋可降低光刻膠消耗,并提高光刻膠涂層的均勻性。研究所光刻機售后服務

光刻機處理結果:EVG在光刻技術方面的核心競爭力在于其掩模對準系統(EVG6xx和IQ Aligner系列)以及高度集成的涂層平臺(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG的所有光刻設備平臺均為300mm,可完全集成到HERCULES光刻軌道系統中,并輔以其用于從上到下側對準驗證的計量工具。高級封裝:在EVG®IQAligner®上結合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開口 ;在EVG的IQ

Aligner NT®上進行撞擊40μm厚抗蝕劑;負側壁,帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層; 金屬墊在結構的中間;用于LIGA結構的高縱橫比結構,用EVG® IQ Aligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結果;西門子星狀測試圖暴露在EVG®6200NT上,展示了高/分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力;MEMS結構在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結果。 研究所光刻機售后服務

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