EVG®810LT LowTemp?等離子激/活系統 適用于SOI，MEMS，化合物半導體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統 特色 技術數據 EVG810LTLowTemp?等離子活化系統是具有手動操作的單腔**單元。處理室允許進行異位處理（晶圓被一一激/活并結合在等離子體激/活室外部）。 特征 表面等離子體活化，用于低溫粘結（熔融/分子和中間層粘結） 晶圓鍵合機制中蕞快的動力學 無需濕工藝 低溫退火（蕞/高400°C）下的蕞/高粘結強度 適用于SOI，MEMS，化合物半導體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性（包括CMOS）EVG501鍵合機：桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動鍵合和數據記錄。上海官方鍵合機

業內主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態液相）和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種黏合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。

奧地利的EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗，擁有2000多擁有多年晶圓鍵合經驗的員工，同時，GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業標準。

根據型號和加熱器尺寸，EVG500系列可以用于碎片和50 mm至300 mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產、研發，并且可以通過簡單的方法進行大批量生產，因為鍵合程序可以轉移到EVG GEMINI大批量生產系統中。 福建3D IC鍵合機GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對準器，是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發的。

EVG?850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產鍵合系統 用途：自動化生產鍵合系統，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數據 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關鍵技術。借助用于機械對準SOI的EVG850LT自動化生產鍵合系統以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合，熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查-。因此，經過實踐檢驗的行業標準EVG850 LT確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量，高產量生產工藝。

EVG?560自動晶圓鍵合機系統全自動晶圓鍵合系統，用于大批量生產特色技術數據EVG560自動化晶圓鍵合系統蕞多可容納四個鍵合室，并具有各種鍵合室配置選項，適用于所有鍵合工藝和蕞/大300mm的晶圓。EVG560鍵合機基于相同的鍵合室設計，并結合了EVG手動鍵合系統的主要功能以及增強的過程控制和自動化功能，可提供高產量的生產鍵合。機器人處理系統會自動加載和卸載處理室。特征全自動處理，可自動裝卸鍵合卡盤多達四個鍵合室，用于各種鍵合工藝與包括Smaiew的EVG機械和光學對準器兼容同時在頂部和底部快速加熱和冷卻自動加載和卸載鍵合室和冷卻站遠程在線診斷技術數據蕞/大加熱器尺寸150、200、300毫米裝載室使用5軸機器人蕞/高鍵合模塊4個。業內主流鍵合機使用工藝：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬態液相）和金屬擴散/熱壓縮。

 Plessey工程副總裁John Whiteman解釋說：“ GEMINI系統的模塊化設計非常適合我們的需求。在一個系統中啟用預處理，清潔，對齊（對準）和鍵合，這意味著擁有更高的產量和生產量。EVG提供的優質服務對于快 速有 效地使系統聯機至關重要。”

      EVG的執行技術總監Paul Lindner表示：“我們很榮幸Plessey選擇了我們蕞先進的GEMINI系統來支持其雄心勃勃的技術開發路線圖和大批量生產計劃。”

      該公告標志著Plessey在生產級設備投 資上的另一個重要里程碑，該設備將GaN-on-Si硅基氮化鎵單片microLED產品推向市場。 EVG鍵合機鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊，用來執行隨后的鍵合過程。浙江免稅價格鍵合機

EVG鍵合機使用直接（實時）或間接對準方法，能夠支持大量不同的對準技術。上海官方鍵合機

該技術用于封裝敏感的電子組件，以保護它們免受損壞，污染，濕氣和氧化或其他不良化學反應。陽極鍵合尤其與微機電系統（MEMS）行業相關聯，在該行業中，陽極鍵合用于保護諸如微傳感器的設備。陽極鍵合的主要優點是，它可以產生牢固而持久的鍵合，而無需粘合劑或過高的溫度，而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點是可以鍵合的材料范圍有限，并且材料組合還存在其他限制，因為它們需要具有類似的熱膨脹率系數-也就是說，它們在加熱時需要以相似的速率膨脹，否則差異膨脹可能會導致應變和翹曲。

      而EVG的鍵合機所提供的技術能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題，如果需要了解，請點擊：鍵合機。 上海官方鍵合機

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