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EVG610納米壓印優(yōu)惠價(jià)格

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-05-08

SmartNIL技術(shù)簡(jiǎn)介

SmartNIL是基于紫外線曝光的全域型壓印技術(shù),可提供功能強(qiáng)大的下一代光刻技術(shù),幾乎具有無(wú)限的結(jié)構(gòu)尺寸和幾何形狀功能。由于SmartNIL集成了多次使用的軟標(biāo)記處理功能,因此還可以實(shí)現(xiàn)****的吞吐量,并具有顯著的擁有成本的優(yōu)勢(shì),同時(shí)保留了可擴(kuò)展性和易于維護(hù)的操作功能。另外,主模板的壽命延長(zhǎng)到與用于光刻的掩模相當(dāng)?shù)臅r(shí)間。岱美作為EVG在中國(guó)區(qū)的代理商,歡迎各位聯(lián)系我們,探討納米壓印光刻的相關(guān)知識(shí)。我們?cè)敢馀c您共同進(jìn)步。


EV Group的一系列高精度熱壓花系統(tǒng)是基于該公司市場(chǎng)**的晶圓鍵合技術(shù)。EVG610納米壓印優(yōu)惠價(jià)格

UV納米壓印光刻

EV Group提供完整的UV納米壓印光刻(UV-NIL)產(chǎn)品線,包括不同的***積壓印系統(tǒng),大面積壓印機(jī),微透鏡成型設(shè)備以及用于高 效母版制作的分步重復(fù)系統(tǒng)。除了柔軟的UV-NIL,EVG還提供其專(zhuān)有的SmartNIL技術(shù)以及多種用途的聚合物印模技術(shù)。高 效,強(qiáng)大的SmartNIL工藝可提供高圖案保真度,高度均勻的圖案層和**少的殘留層,并具有易于擴(kuò)展的晶圓尺寸和產(chǎn)量。EVG的SmartNI技術(shù)達(dá)到了納米壓印的長(zhǎng)期預(yù)期,即納米壓印是一種用于大規(guī)模生產(chǎn)微米和納米級(jí)結(jié)構(gòu)的高性能,低成本和具有批量生產(chǎn)能力的技術(shù)。


IQAligner納米壓印免稅價(jià)格HERCULES?NIL是完全集成的納米壓印光刻解決方案,可實(shí)現(xiàn)300 mm的大批量生產(chǎn)。

SmartNIL是行業(yè)**的NIL技術(shù),可對(duì)小于40 nm *的極小特征進(jìn)行圖案化,并可以對(duì)各種結(jié)構(gòu)尺寸和形狀進(jìn)行圖案化。SmartNIL與多用途軟戳技術(shù)相結(jié)合,可實(shí)現(xiàn)****的吞吐量,并具有顯著的擁有成本優(yōu)勢(shì),同時(shí)保留了可擴(kuò)展性和易于維護(hù)的操作。EVG的SmartNIL兌現(xiàn)了納米壓印的長(zhǎng)期前景,即納米壓印是一種用于大規(guī)模制造微米級(jí)和納米級(jí)結(jié)構(gòu)的低成本,大批量替代光刻技術(shù)。

*分辨率取決于過(guò)程和模板


如果需要詳細(xì)的信息,請(qǐng)聯(lián)系我們岱美儀器技術(shù)服務(wù)有限公司。

納米壓印應(yīng)用三:連續(xù)性UV納米壓印

EVG770是用于步進(jìn)重復(fù)納米壓印光刻的通用平臺(tái),可用于有效地進(jìn)行母版制作或?qū)迳系膹?fù)雜結(jié)構(gòu)進(jìn)行直接圖案化。這種方法允許從比較大50 mm x 50 mm的小模具到比較大300 mm基板尺寸的大面積均勻復(fù)制模板。與鉆石車(chē)削或直接寫(xiě)入方法相結(jié)合,分步重復(fù)刻印通常用于高 效地制造晶圓級(jí)光學(xué)器件制造或EVG的SmartNIL工藝所需的母版。岱美作為EVG在中國(guó)區(qū)的代理商,歡迎各位聯(lián)系我們,探討納米壓印光刻的相關(guān)知識(shí)。我們?cè)敢馀c您共同進(jìn)步。


SmartNIL集成多次使用的軟標(biāo)記處理功能,并具有顯著的擁有成本的優(yōu)勢(shì),同時(shí)保留可擴(kuò)展性和易于維護(hù)的特點(diǎn)。

    具體說(shuō)來(lái)就是,MOSFET能夠有效地產(chǎn)生電流流動(dòng),因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造技術(shù)旺旺不能精確控制住摻雜的水平(硅中摻雜以帶來(lái)或正或負(fù)的電荷),以確保跨各組件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一層二氧化硅(SiO2)襯底上,然后沉積一層金屬或多晶硅制成的。然而這種方法可以不精確且難以完全掌控,摻雜有時(shí)會(huì)泄到別的不需要的地方,那樣就創(chuàng)造出了所謂的“短溝道效應(yīng)”區(qū)域,并導(dǎo)致性能下降。一個(gè)典型MOSFET不同層級(jí)的剖面圖。不過(guò)威斯康星大學(xué)麥迪遜分校已經(jīng)同全美多個(gè)合作伙伴攜手(包括密歇根大學(xué)、德克薩斯大學(xué)、以及加州大學(xué)伯克利分校等),開(kāi)發(fā)出了能夠降低摻雜劑泄露以提升半導(dǎo)體品質(zhì)的新技術(shù)。研究人員通過(guò)電子束光刻工藝在表面上形成定制形狀和塑形,從而帶來(lái)更加“物理可控”的生產(chǎn)過(guò)程。(來(lái)自網(wǎng)絡(luò)。EVG的納米壓印設(shè)備已使納米圖案能夠在面板尺寸比較大為第三代(550 mm x 650 mm)的基板上實(shí)現(xiàn)。廣東晶圓納米壓印

SmartNIL集成了多次使用的軟標(biāo)記處理功能,因此還可以實(shí)現(xiàn)****的吞吐量。EVG610納米壓印優(yōu)惠價(jià)格

EVG ® 770特征:

微透鏡用于晶片級(jí)光學(xué)器件的高 效率制造主下降到納米結(jié)構(gòu)為SmartNIL ®

簡(jiǎn)單實(shí)施不同種類(lèi)的大師

可變抗蝕劑分配模式

分配,壓印和脫模過(guò)程中的實(shí)時(shí)圖像

用于壓印和脫模的原位力控制

可選的光學(xué)楔形誤差補(bǔ)償

可選的自動(dòng)盒帶間處理


EVG ® 770技術(shù)數(shù)據(jù):

晶圓直徑(基板尺寸):100至300毫米

解析度:≤50 nm(分辨率取決于模板和工藝)

支持流程:柔軟的UV-NIL

曝光源:大功率LED(i線)> 100 mW /cm2

對(duì)準(zhǔn):頂側(cè)顯微鏡,用于實(shí)時(shí)重疊校準(zhǔn)≤±500 nm和精細(xì)校準(zhǔn)≤±300 nm

較早印刷模具到模具的放置精度:≤1微米

有效印記區(qū)域:長(zhǎng)達(dá)50 x 50毫米

自動(dòng)分離:支持的


前處理:涂層:液滴分配(可選)


EVG610納米壓印優(yōu)惠價(jià)格

岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司是一家磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測(cè)試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理(拍賣(mài)除外)及其相關(guān)配套服務(wù),國(guó)際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易,商務(wù)信息咨詢(xún)服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,經(jīng)相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)】磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測(cè)試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理(拍賣(mài)除外)及其相關(guān)配套服務(wù),國(guó)際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易,商務(wù)信息咨詢(xún)服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,經(jīng)相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)】的公司,致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實(shí)、誠(chéng)實(shí)可信的企業(yè)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)深耕行業(yè)多年,始終以客戶(hù)的需求為向?qū)В瑸榭蛻?hù)提供***的磁記錄,半導(dǎo)體,光通訊生產(chǎn),測(cè)試儀器的批發(fā)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)繼續(xù)堅(jiān)定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路,既要實(shí)現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長(zhǎng),又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。岱美儀器技術(shù)服務(wù)始終關(guān)注儀器儀表市場(chǎng),以敏銳的市場(chǎng)洞察力,實(shí)現(xiàn)與客戶(hù)的成長(zhǎng)共贏。

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