參考材料備用BK7和二氧化硅參考材料。BG-Microscope顯微鏡系統內取背景反射的小型抗反光鏡BG-F10-RT平臺系統內獲取背景反射的抗反光鏡REF-Al-1mmSubstrate基底-高反射率鋁基準REF-Al-3mmSubstrate基底-高反射率鋁基準REF-BK71?"x1?"BK7反射基準。REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未經處理的石英，用于雙界面基準。REF-Si-22"單晶硅晶圓REF-Si-44"單晶硅晶圓REF-Si-66"單晶硅晶圓REF-Si-88"單晶硅晶圓REF-SS3-Al專為SS-3樣品平臺設計之鋁反射率基準片REF-SS3-BK7專為SS-3樣品平臺設計之BK7玻璃反射率基準片REF-SS3-Si專為SS-3樣品平臺設計之硅反射率基準片監測控制生產過程中移動薄膜厚度。高達100 Hz的采樣率可以在多個測量位置得到。Filmetrics F60膜厚儀有哪些應用

銦錫氧化物與透明導電氧化物液晶顯示器，有機發光二極管變異體，以及絕大多數平面顯示器技術都依靠透明導電氧化物(TCO)來傳輸電流，并作每個發光元素的陽極。和任何薄膜工藝一樣，了解組成顯示器各層物質的厚度至關重要。對于液晶顯示器而言，就需要有測量聚酰亞胺和液晶層厚度的方法，對有機發光二極管而言，則需要測量發光、電注入和封裝層的厚度。在測量任何多個層次的時候，諸如光譜反射率和橢偏儀之類的光學技術需要測量或建模估算每一個層次的厚度和光學常數(反射率和k值)。不幸的是，使得氧化銦錫和其他透明導電氧化物在顯示器有用的特性，同樣使這些薄膜層難以測量和建模，從而使測量在它們之上的任何物質變得困難。Filmetrics的氧化銦錫解決方案Filmetrics已經開發出簡便易行而經濟有效的方法，利用光譜反射率精確測量氧化銦錫。將新型的氧化銦錫模式和F20-EXR,很寬的400-1700nm波長相結合，從而實現氧化銦錫可靠的“一鍵”分析。氧化銦錫層的特性一旦得到確定，剩余顯示層分析的關鍵就解決了。穿透率膜厚儀代理價格F20-UV測厚范圍：1nm - 40μm；波長：190-1100nm。

生物醫療設備涂層應用生物醫療器械應用中的涂層生物醫療器械的制造和準備方面會用到許多類型的涂層。有些涂層是為了保護設備免受腐蝕，而其他的則是為了預防組織損傷、敢染或者是排異反應。藥物傳輸涂層也變得日益普通。其它生物醫學器械，如血管成型球囊，具有讀立的隔膜，必須具有均勻和固定的厚度才能正常工作。這些涂層厚度的測量方法各不相同，但有一件事是確定的。使用普通方法(例如，在涂層前后稱某一部分的重量)，無法檢測到會導致器械故障的涂層不完全覆蓋或涂層的不均勻性等問題。

FSM膜厚儀簡單介紹：FSM128厚度以及TSV和翹曲變形測試設備:美國FrontierSemiconductor(FSM)成立于1988年，總部位于圣何塞，多年來為半導體行業等高新行業提供各式精密的測量設備，客戶遍布全世界,主要產品包括:光學測量設備:三維輪廓儀、拉曼光譜、薄膜應力測量設備、紅外干涉厚度測量設備、電學測量設備:高溫四探針測量設備、非接觸式片電阻及漏電流測量設備、金屬污染分析、等效氧化層厚度分析(EOT)。請訪問我們的中文官網了解更多的信息。應用：襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)，平整度。

    銦錫氧化物與透明導電氧化物液晶顯示器，有機發光二極管變異體，以及絕大多數平面顯示器技術都依靠透明導電氧化物(TCO)來傳輸電流，并作每個發光元素的陽極。和任何薄膜工藝一樣，了解組成顯示器各層物質的厚度至關重要。對于液晶顯示器而言，就需要有測量聚酰亞胺和液晶層厚度的方法，對有機發光二極管而言，則需要測量發光、電注入和封裝層的厚度。在測量任何多個層次的時候，諸如光譜反射率和橢偏儀之類的光學技術需要測量或建模估算每一個層次的厚度和光學常數(反射率和k值)。不幸的是，使得氧化銦錫和其他透明導電氧化物在顯示器有用的特性，同樣使這些薄膜層難以測量和建模，從而使測量在它們之上的任何物質變得困難。Filmetrics的氧化銦錫解決方案Filmetrics已經開發出簡便易行而經濟有效的方法，利用光譜反射率精確測量氧化銦錫。將新型的氧化銦錫模式和F20-EXR,很寬的400-1700nm波長相結合，從而實現氧化銦錫可靠的“一鍵”分析。氧化銦錫層的特性一旦得到確定，剩余顯示層分析的關鍵就解決了。 膜厚儀是一種用于測量薄膜或涂層的厚度的儀器。光刻膠膜厚儀芯片行業

測量SU-8 其它厚光刻膠的厚度有特別重要的應用。Filmetrics F60膜厚儀有哪些應用

電介質成千上萬的電解質薄膜被用于光學，半導體，以及其它數十個行業, 而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。常見的電介質有:二氧化硅 – ZUI簡單的材料之一, 主要是因為它在大部分光譜上的無吸收性 (k=0)， 而且非常接近化學計量 (就是說，硅：氧非常接近 1:2)。 受熱生長的二氧化硅對光譜反應規范，通常被用來做厚度和折射率標準。 Filmetrics能測量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 對此薄膜的測量比很多電介質困難，因為硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要與薄膜厚度同時測量。 更麻煩的是，氧常常滲入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大測量難度。 但是幸運的是，我們的系統能在幾秒鐘內 “一鍵” 測量氮化硅薄膜完整特征!Filmetrics F60膜厚儀有哪些應用